• 제목/요약/키워드: RF modeling

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비선형 RF 전력 증폭기의 효율적 다항식 기반 이산 행동 모델링 기법에 관한 연구 (A Study on Efficient Polynomial-Based Discrete Behavioral Modeling Scheme for Nonlinear RF Power Amplifier)

  • 김대근;구현철
    • 한국전자파학회논문지
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    • 제21권11호
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    • pp.1220-1228
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    • 2010
  • 본 논문에서는 비선형 RF 전력 증폭기의 효율적인 다항식 기반의 이산 신호 모델링 방법을 제시하였다. 비선형 RF 증폭기의 입, 출력 신호의 샘플링 과정을 통하여 이산 비선형 모델을 추출하는 과정을 기술하고, 테일러 급수와 메모리 다항식 구조를 이용한 다항식 기반의 비선형 이산 모델에서 모델 인자인 샘플률, 비선형 차수, 최대 메모리 깊이의 변화에 따른 모델의 오차를 분석하였다. 다항식 기반의 비선형 모델에서 오차는 샘플률, 비선형 차수, 최대 메모리 깊이에 대하여 특정 값 이후부터 일반적으로 수렴하는 특성을 보인다. 이에 모델 인자값에 따른 시스템의 복잡성을 고려하는 효율적인 이산 신호 모델링 기법을 제시하였다. 모델링 효율 지수를 정의하고, 이를 활용하여 최적의 모델 인자 값을 추출하는 방법을 제시하였다. 제시한 방법을 WiBro, WCDMA 등의 다양한 신호를 가지는 RF 전력 증폭기의 모델링에 적용하고, 제시한 방법의 효율성을 검증하였다. 제안된 기법은 빠른 속도의 모델링과 저렴한 가격의 디지털부를 사용할 수 있게 하여 차후 광대역 송신기에서의 빠른 속도와 낮은 가격의 디지털 전치 왜곡기 구성 등에 활용될 수 있을 것으로 사료된다.

RF-DSRC 링크초기접속 모델링 및 분석 (Modeling and Analysis of Link Initialization Access of RE-DSRC)

  • 이민희;곽수진;정종인;이상선
    • 한국ITS학회 논문지
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    • 제4권2호
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    • pp.23-31
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    • 2005
  • 고속으로 이동하는 차량에 대한 정보수집 및 제공 등의 서비스를 구현해야 하는 지능형 교통시스템(WS : Intelligent Transponation System)은 단거리전용 무선통신(RF-DSRC : Radio Frequency Dedicated Short Range Communication)과 같은 특수목적의 통신시스템이 필수적이다. RF-DSRC를 사용하기 위해서는 먼저 차량 탑재장치(OBE : On-Board Equipment)는 슬롯화된 알로하방식에 의해 할당된 접속요구슬롯(ACTS$\cdot$Activation Slot)내의 접속요구채널(ACTC$\cdot$Activation Channel)을 이용하여 링크초기접속 요구를 한다. 링크초기접속은 통신 시스템의 성능을 결정하는 중요한 요소임에도 불구하고, 링크 초기접속에 대한 수학적 모델링 연구는 미흡한 상태이다. 본 논문에서는 RF-DSRC에 대한 링크초기접속에 관한 수학적 모델링을 제시하고, 모델링의 성능을 분석하기 위한 제시된 부하(G)를 RF-DSRC의 특성에 맞게 정의하여 링크초기접속 확률을 계산하였다.

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Wide Width Effect를 고려하여 개선된 SPICE MOSFET RF Model 연구 (A Study on Improved SPICE MOSFET RF Model Considering Wide Width Effect)

  • 차지용;차준영;이성현
    • 대한전자공학회논문지SD
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    • 제45권2호
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    • pp.7-12
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    • 2008
  • 본 연구에서는 게이트 finger수가 증가될수록 드레인 전류의 증가율과 차단주파수가 감소되는 wide width effect를 관찰하였으며, 이 현상을 모델링하기 위하여 기존 BSIM3v3 RF 모델에 finger수에 무관한 외부 소스 저항을 새로 첨가한 개선된 SPICE MOSFET RF 모델을 개발하였다. 이러한 모델로 시뮬레이션된 Nf 종속 드레인 전류와 차단주파수는 기존 BSIM3v3 RF모델보다 $0.13{\mu}m$ multi-finger MOSFET의 측정데이터와 더 잘 일치하였으며, 이는 개선된 RF 모델의 정확도를 증명한다.

$0.13{\mu}m$ RF CMOS 공정용 스케일러블 인덕터 모델링 (Scalable Inductor Modeling for $0.13{\mu}m$ RF CMOS Technology)

  • 김성균;안성준;김병성
    • 대한전자공학회논문지TC
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    • 제46권1호
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    • pp.94-101
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    • 2009
  • 본 논문에서는 RF 집적회로 설계를 위한 $0.13{\mu}m$ RF CMOS용 인덕터 라이브러리를 개발하였다. 스케일러블 모델링을 위해 선폭, 회전수, 내경을 조절하여 다수의 인덕터 패턴을 제작하고, 정확한 패드 효과 보상을 위해 급전 구조를 최적화하였다. 제작된 패턴의 S-파라미터 측정 데이터를 이용하여 각 소자별로 이중-$\pi$ 등가회로 소자값을 추출한 뒤 이 값들을 인덕터의 물리적 설계 변수의 함수로 표현하는 스케일러블 모델링을 수행하였다. 개발된 라이브러리는 표준(standard) 구조와 대칭(symmetric) 구조를 가지는 두 종류의 스케일러블 인덕터 모델을 제공하며, 모델 유효 주파수는 30GHz 또는 자기공진주파수까지이다. 표준구조 인덕터의 경우 $0.12{\sim}10.7nH$의 인덕턴스를, 대칭구조 인덕터의 경우는 $0.08{\sim}13.6nH$의 인덕턴스를 갖는다. 본 연구를 통해 최종적으로 10%이하의 오차를 가지는 RF CMOS용 인덕터 라이브러리를 완성하였다.

ISAR 영상을 이용한 RF탐색기 측정치 모델링 (RF Seeker Measurement modeling using ISAR Image)

  • 하현종;박우성;정기환;박상섭;고일석;유창경
    • 한국항공우주학회지
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    • 제43권1호
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    • pp.40-48
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    • 2015
  • 본 논문에서는 RF탐색기 측정치인 산란점 모델링 기법에 대해 제안한다. 우선 상대자세 각 따라 변화하는 ISAR 영상(Inverse Synthetic Aperture Radar Image)로부터 기준 산란점을 생성하였다. 다음으로 RF탐색기 측정치의 주요 불확실성 요소인 잡음세기(noise strength), 깜박임(blink), boresight 오차를 기준 산란점에 부가한다. 본 연구에서 제안된 RF탐색기 모델은 다양한 표적추적 필터 알고리듬 개발에 사용할 수 있다.

고온 종속 RF MOSFET 캐패시턴스-전압 곡선 추출 및 모델링 (Extraction and Modeling of High-Temperature Dependent Capacitance-Voltage Curve for RF MOSFETs)

  • 고봉혁;이성현
    • 대한전자공학회논문지SD
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    • 제47권10호
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    • pp.1-6
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    • 2010
  • 본 연구에서는 S-파라미터 측정 데이터를 사용하는 RF측정방법으로 short-channel MOSFET의 RF 캐패시턴스 전압(C-V) 곡선을 상온에서 $225^{\circ}C$까지 추출하였으며, 추출된 고온 종속 특성을 엠피리컬하게 모델링하였다. RF C-V 특성곡선의 weak inversion영역에서 온도 변화에 따른 voltage shift가 threshold voltage shift보다 적은 현상이 관찰되었지만, 기존 long-channel C-V 이론 방정식으로 설명할 수 없는 현상임이 입증되었다. 이러한 short-channel C-V 곡선의 고온 종속 모델링을 위해서 새로운 엠피리컬 방정식이 개발되었다. 이 방정식의 정확도는 모델된 C-V곡선과 측정 데이터가 넓은 온도범위에서 잘 일치하는 결과를 관찰함으로써 입증되었다. 또한, 높은 게이트 전압에서는 온도가 증가함에 따라 채널 캐패시턴스 값이 감소하는 것을 확인할 수 있다.

High Resistivity SOI RF CMOS 대칭형 인덕터 모델링을 위한 개선된 Optimization 방법 연구 (A Study on Improved Optimization Method for Modeling High Resistivity SOI RF CMOS Symmetric Inductor)

  • 안자현;이성현
    • 전자공학회논문지
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    • 제52권9호
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    • pp.21-27
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    • 2015
  • High resistivity(HR) silicon-on-insulator(SOI) RF CMOS 공정 인덕터의 모델 파라미터를 정확히 결정하기 위하여 직접추출과 simultaneous optimization을 사용한 개선된 방법을 개발하였다. 먼저, 대칭형 인덕터와 센터탭이 접지된 대칭형 인덕터 등가회로들의 Y 및 Z-파라미터 방정식 유도를 통해 일부 모델 파라미터들을 직접 추출하고, 병렬 저항과 전체 인덕턴스 방정식들로 미지 변수들을 줄여 모델링 정확도를 향상시켰다. 또한, 두 등가회로의 동일한 모델 파라미터들을 공통 변수로 두고 S-파라미터 데이터 세트를 동시에 optimization함으로써 optimization 정확도를 크게 향상시켰다.

Analytical Noise Parameter Model of Short-Channel RF MOSFETs

  • Jeon, Jong-Wook;Park, Byung-Gook;Lee, Jong-Duk;Shin, Hyung-Cheol
    • JSTS:Journal of Semiconductor Technology and Science
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    • 제7권2호
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    • pp.88-93
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    • 2007
  • In this paper, a simple and improved noise parameter model of RF MOSFETs is developed and verified. Based on the analytical model of channel thermal noise, closed form expressions for four noise parameters are developed from proposed equivalent small signal circuit. The modeling results show a excellent agreement with the measured data of $0.13{\mu}m$ CMOS devices.

An Improved Distributed Equivalent Circuit Modeling for RF Components by Real-Coefficient AFS Technique

  • Kim, Koon-Tae;Ko, Jae-Hyeong;Paek, Hyun;Kahng, Sung-Tek;Kim, Hyeong-Seok
    • Journal of Electrical Engineering and Technology
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    • 제6권3호
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    • pp.408-413
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    • 2011
  • In this paper, a real-coefficient approach to Adaptive Frequency Sampling (AFS) technique is developed for efficient equivalent circuit modeling of RF components. This proposed method is advantageous than the vector fitting technique and the conventional AFS method in terms of fewer samples leading to a lower order of a rational function on a given data and to a direct conversion to an equivalent circuit for PSPICE(Personal Simulation Program with Integrated Circuit Emphsis) simulation, respectively. To validate the proposed method, the distributed equivalent circuit of a presented multi-layered RF low-pass filter is obtained using the proposed real-coefficient AFS, and then comparisons with EM simulation and circuit simulation for the device under consideration are achieved.

간단하고 정확한 RF MOSFET의 기판효과 모델링과 파라미터 추출방법 (A Simple and Accurate Parameter Extraction Method for Substrate Modeling of RF MOSFET)

  • 심용석;양진모
    • 한국정보기술응용학회:학술대회논문집
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    • 한국정보기술응용학회 2002년도 추계공동학술대회 정보환경 변화에 따른 신정보기술 패러다임
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    • pp.363-370
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    • 2002
  • RF에서 동작하는 초미세 공정 MOS 트랜지스터의 기판 효과에 따른 기판회로망과 물리적 의미를 가지는 파라미터 추출법이 고려되었다. 제안된 기판 회로망에는 단일의 저항과 링 -형태의 기판 콘택에 의해 생성된 인덕터가 포함되었다 모델 파라미터는 최적화 과정없이 단절된 게이트와 공통-벌크 구성 을 갖는 MOS 트랜지스터에서 측정 된 S-파라미터로부터 추출된다. 제안된 기술은 다양한 크기 의 MOS 트랜지스터에 적용되어 졌다. 추출된 기 판 회 로망을 이 용한 가상실험 결과와 측정치는 약 30GHz까지 일치함을 검증하였다.

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