본 논문은 공용 데이터링크용 RF 송수신기 설계 및 제작에 관한 것이다. 송신부는 주파수 상향변환부, 전력증폭부, 듀플렉서로 구성된다. 수신부는 듀플렉서, 저잡음증폭부, 주파수 하향변환부로 구성된다. 최대 전송 거리, 수신 감도 등의 전기적 특성과 온도 특성을 충족하도록 설계되었다. RF 송수신기의 요구 규격을 만족하기위해 모델링 및 시뮬레이션을 이용하여 설계 및 구현하였다. 송신 출력과 잡음 지수는 각각 38.58dBm 및 5.5dB로 측정되었다. 전기적 특성 시험 및 온도 특성 시험으로 요구사항을 모두 만족함을 확인하였다.
Sub-$0.1{\mu}m$로 스케일이 감소함에 따라 기생 저항 효과가 크게 발생되는 dc Ids 측정 데이터 없이 측정 S-파라미터로부터 얻어진 RF Ids를 사용하여 벌크 MOSFET의 포화영역에서 게이트 전압 종속 유효 캐리어 속도를 추출하는 새로운 방법이 개발되었다. 이 방법은 바이어스 종속 기생 게이트-소스 캐패시턴스와 유효 채널 길이의 복잡한 추출 없이 포화영역의 유효 캐리어 속도를 추출할 수 있게 한다. 이러한 RF 기술을 사용하여 벌크 포화 속도를 초과하는 전자 속도 overshoot 현상이 $0.065{\mu}m$ 게이트 길이의 벌크 N-MOSFET에서 관찰되었다.
본 연구에서 사용된 방전 기체는 오염물의 제거 및 박막 표면 정제 등의 연구 분야에 응용되고 있는 질소 가스를 사용하였으며, 1차원 동심구 모델의 개발로 인하여, 접지 면적을 넓게 함에 따라 경방향으로의 플라즈마 분포가 중심축의 분포와 동일하다는 1차원적 가정이 적절하지 못하다는 Barnes 모델을 보완할 수 있었다. 일정한 인가 전압하에서는 입체각($\omega$)의 증가에 따라 질소 플라즈마를 구성하는 각 입자의 수밀도 분포, 전계 및 포텐셜이 감소함을 볼 수 있었다. 그러나 면적비가 증가하면서 구동 전극에서의 각 입자들의 움직임은 상대적으로 높은 전계로부터 더욱 활발하게 형성됨에 따라 직렬 연결된 블로킹 콘덴서에서 발생하는 자기 바이어스 전압은 증가하는 것을 알 수 있었다.
To ensure the reliability of ultrasonic nondestructive testing techniques for modern structural materials, the effects of anisotropy and inhomogeneity and the influence of non-planar component geometries on ultrasonic wave propagation have to be taken into account. In this article, fundamentals and applications of two analytical approaches to three-dimensional elastic beam field calculation are presented. Results for both isotropic materials including curved interfaces and for anisotropic media like composites are presented, covering field profiles for various types of transducers and the modeling of time-dependent rf-signals.
The substrate parameters of Si MOSFET equivalent circuit model were directly extracted from measured S-Parameters in the GHz region by using simple 2-port parameter equations. Using the above extract ion method, bias and gate length dependent curves of substrate parameters in the RF region are obtained by varying drain voltage at several short channel devices with various gate lengths. These extract ion data will greatly contribute to scalable RF nonlinear substrate modeling.
In this work, a new method for extracting substrate parameters of RF MOSFETs based on 3-port measurement is presented using device simulation. A T-type substrate resistance network is used. 3-port Y-parameter analyses were performed on the equivalent circuit of RF MOSFETs. All the components in the RF MOSFETs when the device is turned off were extracted directly from the 3-port device simulation data. The small-signal output admittance $Y_{22}$ can be well modeled up to 40 GHz. From the 3-port simulation and modeling results, it was verified that the proposed equivalent circuit and parameter extraction method was more accurate than the single substrate resistance model.
Mcewan, Neil J.;Ali, Nazar T.;Mezher, Kahtan A.;El-Khazmi, Elmahdi A.;Abd-Alhameed, Raed A.
ETRI Journal
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제33권1호
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pp.6-12
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2011
A case study of an active transmitting patch antenna revealed a characteristic loop locus of DC power versus RF output power as drive frequency was varied, with an operational bandwidth substantially smaller than the impedance bandwidth of the radiator. An approximate simulation technique, based on separation of the output capacitance of the power transistor, yielded easily visualized plots of power dependence on internal load impedance, and a simple interpretation of the experimental results in terms of a near-resonance condition between the output capacitance and output packaging inductance.
본 논문은 동역학 모델을 적용한 양방향 군 탐색구조 시스템의 시작품 제작에 대한 내용을 기술한다. USRP 개발 플랫폼과 단말기와 위성간의 통신을 상용 LTE망에 COSPAS-SARSAT 규격인 Spread Spectrum 방식의 신호체계를 USRP에 구현한 결과이다. 또한 구현된 결과의 정당성을 확인하기 위해 동역학 모델을 적용한 COSPAS-SARSAT 기반의 RF신호 처리를 USRP 테스트베드에 적용하여 실제적인 성능평가를 수행하였다. 향후 TDOA와 FDOA의 상관관계를 이용하는 CAF 알고리즘을 이용하여 보다 정확한 지상측위에 적용하고자 한다.
In the paper, we confirmed improvement Noise figure of the entire RF front-end using spiral inductor with PGS(Patterned Ground Shield) and current bleeding techniques. LNA design is to achieve simultaneous noise and input matching. Spiral inductor in input circuit of LNA inserted PGS for betterment of Q-factor. we modeling inductor using EM simulator, so compared with inductor of TSMC 0.18um. We designed and simulation the optimum structure of PGS using Taguchi's method. We confirmed enhancement of noise figure at LNA after substituted for inductor with PGS. Mixer designed using current bleeding techniques for reduced noise. We designed LNA using inductor with PGS and Mixer using current bleeding techniques, so confirmed improvement of noise figure.
This paper describes on RF circuit simulation technique, especially on a RF modeling and a model extraction of a LDMOS(Lateral Diffused MOS) that has gate-width (Wg) dependence. Small-signal model parameters of the LDMOSs with various gate-widths extracted from S-parameter data are applied to make the relation between the RF performances and gate-width. It is proved that a source inductance (Ls) was not applicable to scaling rules. These extracted small-signal model parameters are also utilized to remove extrinsic elements in an extraction of a large-signal model (using HP Root MOSFET Model). Therefore, we can omit an additional measurement to extract extrinsic elements. When the large-signal model with Ls having the above gate-width dependence is applied to a high-power LDMOS module, the simulated performances (Output power, etc.) are in a good agreement with experimental results. It is proved that our extracted model and RF circuit simulation have a good accuracy.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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