• ETRI Journal
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• 제25권3호
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• pp.195-202
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• 2003

This paper proposes a new LDMOSFET structure with a trenched sinker for high-power RF amplifiers. Using a low-temperature, deep-trench technology, we succeeded in drastically shrinking the sinker area to one-third the size of the conventional diffusion-type structure. The RF performance of the proposed device with a channel width of 5 mm showed a small signal gain of 16.5 dB and a maximum peak power of 32 dBm with a power-added efficiency of 25% at 2 GHz. Furthermore, the trench sinker, which was applied to the guard ring to suppress coupling between inductors, showed an excellent blocking performance below -40 dB at a frequency of up to 20 GHz. These results confirm that the proposed trenched sinker should be an effective technology both as a compact sinker for RF power devices and as a guard ring against coupling.

• 대한전자공학회논문지SD
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• 제40권8호
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• pp.555-559
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• 2003

본 논문에서는 CMOS 소자의 RF 동작을 정확히 예측하기 위해 Si 표면에서의 메탈 라인 사이의 커패시턴스 효과와 표피효과 및 근접효과를 포함한 RF IC 설계를 위한 새로운 CMOS RF 모델을 처음으로 제시하였다. Si 표면에서의 메탈 라인 사이의 커패시턴스는 레이아웃에 기초하여 모델링하였으며, 표피효과는 메탈 라인의 등가회로에 병렬회로를 부가하여 사다리꼴 등가회로로 구현하였다. 근접효과는 사다리꼴 등가회로에서 교차 결합된 인덕턴스 사이의 상호 인덕턴스를 부가함으로써 모델링하였다. 제안된 RF 모델은 BSIM 3v3에 비해 측정 데이터와 잘 일치하였으며, GHz 영역에서 소자 동작의 주파수 종속성을 잘 보여주었다.

• 대한전자공학회:학술대회논문집
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• 대한전자공학회 2000년도 제13회 신호처리 합동 학술대회 논문집
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• pp.911-914
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• 2000

본 논문에서는 배터리가 없는 ASK 전송방식의 RFID(Radio Frequency IDentification) Transponder 칩 설계에 관한 내용을 다룬다. Transponder IC는 power-generation 회로, clock-generation 회로, digital block, modulator, overoltge protection 회로로 구성된다. 설계된 칩은 저전력 회로를 적용하여 원거리 transponder칩을 구현할 수 있도록 하였다. 설계된 회로는 0.25㎛ 표준 CMOS 공정으로 레이아웃하여 제작하였다.

• 마이크로전자및패키징학회지
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• 제6권3호
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• pp.1-7
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• 1999

본 연구에서는 900MHz대역 수신기용으로 선행 개발되어진 RF 칩세트를 장착한 RF 특성평가 보드를 개발하였으며, 환경평가시험을 수행하였다. 선행 개발되어진 RF-IC 칩에는 저잡음증폭기, 하향변조 주파수혼합기, AGC Amp, SW-CAP 필터 등을 포함하고 있으며, 이에 따른 정합회로와 RF/IF SAW 필터, 듀플렉서 필터 및 전원공급회로를 RF 특성평가보드에 첨가하여 제작하였다. 공급전원은 2.7에서 3.6V이며, RF 보드의 소모전류는 42mA로 나타났으며, 동작 주파수는 RF 입력이 925~960MHz으로 제작, 측정되었다. 측정결과 일반적인 900MHz용 디지털 이동통신단말기의 RF 수신특성과 유사하게 양호한 결과를 보였다.

• 대한전자공학회:학술대회논문집
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• 대한전자공학회 2000년도 추계종합학술대회 논문집(2)
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• pp.104-107
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• 2000

We designed and implemented the RFIC(RF front-end IC) for DTV(Digital TV) tuner. The DTV tuner RF front-end consists of low noise IF amplifier fur the amplification of 900 MHz RF signal and down conversion mixer for the RF signal to 44MHz IF conversion. The RFIC is implemented on ETRI 0.8u high resistive (2㎘ -cm) and evaluated by on wafer, packaged chip test. The gain and IIP3 of IF amplifier are 15㏈ and -6.6㏈m respectively. For the down conversion mixer gain and IIP3 are 13㏈ and -6.5㏈m. Operating voltage of the IF amplifier and the down mixer is 5V, current consumption are 13㎃ and 26㎃ respectively.

• 정보처리학회논문지A
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• 제10A권3호
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• pp.255-260
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• 2003

RFID의 대표적 예인 비접촉식 IC 카드는 현재 교통 및 출입 통제 시스템 등에 널리 사용되고 있으며, RF 기술의 발달과 사용자 편의성 요구의 증대로 인해 점점 더 보편화되는 추세에 있다. 본 논문은 비접촉 IC 카드를 구현하기 위해 필요한 내장형 비접촉 프로토콜 처리용 하드웨어 모듈에 관한 것으로서 아날로그 회로부와 특화된 디지털 로직부로 구성된다. 그리고 비접촉 IC 카드 설계시 아날로그 회로, 디지털 로직, 그리고 소프트웨어가 담당한 기능을 잘 구분하여 설계할 수 있는 방법을 제시한다.

• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 2007년도 심포지엄 논문집 정보 및 제어부문
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• pp.181-183
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• 2007

본 논문은 RF 리더기와 RF 태그 상호간의 통신시에 발생할 수 있는 충돌을 감지하고 이를 능동적으로 회피할수 있는 RFID(Radio Frequency IDentification)의 설계에 관한 내용이다. RFID는 사람, 자동차, 화물, 상품 등에 정보를 부가하는 시스템으로 그 부가정보를 무선통신매체를 이용하여 비접족으로 해독하는 시스템으로 기존의 바코드보다 데이터의 전송속도와 용량의 증가 그리고 편리성이 향상되는 장점이 있으나, 동시에 여러개의 RF태그와의 무선통신으로 인한 데이터의 충돌이 발생할 수 있다. 이러한 충돌을 감지하고 이를 적절하게 회피하는 것은 RFID 시스템의 신뢰성을 높이는데 필수적인 요소이다. RFID 태그로 사용되기 위해서는 건전지로 구동될 수 있도록 저전력소모가 요구되며 또한 통신의 시작과 충돌을 파악할 수 있는 캐리어 감지기능이 필수적이다. 본 논문에서는 이러한 조건들을 만족하는 Chipcon 사(社)의 양방향 RF IC를 사용하였다. Chipcon 사(社)의 양방향 RF IC는 다중 주파수 대역의 선택과 변조방식을 시리얼통신을 통해서 손쉽게 변경할 수 있기 때문에 충돌감지시 다양한 회피알고리즘을 상황에 맞게 구현할 수 있다. 본 논문에서는 양방향 RF IC를 사용하여 충돌을 감지하고 회피할 수 있는 RFID시스템을 설계하고 구현하였다.

• 대한전자공학회:학술대회논문집
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• 대한전자공학회 1999년도 하계종합학술대회 논문집
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• pp.393-396
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• 1999

A circuit model of silicon substrate coupling for CMOS RF-IC design is developed. Its characteristics are analyzed by using a simple RC mesh model in order to investigate substrate coupling. The coupling effects due to the substrate were characterized with substrate resistivity, oxide thickness, substrate thickness. and physical distance. Thereby the silicon substrate effects are analytically investigated and verified with simulation. The analysis and simulation of the model have excellent agreements with MEDICI(2D device simulator) simulation results.

• 전기전자학회논문지
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• 제7권2호
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• pp.172-180
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• 2003

CMOS RF IC에서 중요한 문제가 되는 입력 노드에의 기생 커패시턴스 추가 문제를 줄이기 위해, 2차원 소자 시뮬레이션 결과 및 그에 따른 분석을 기반으로, 표준 CMOS 공정에서 쉽게 제작 가능한 pnpn 싸이리스터 구조의 ESD 보호용 소자를 제안한다. 제안된 소자의 DC 항복특성을 일반적으로 사용되고 있는 보호용 NMOS 트랜지스터 경우와 비교 분석하여 제안된 소자를 사용하였을 경우의 이점을 입증한다. 시뮬레이션을 통해 제안된 소자에 의한 특성 향상을 보이고 이와 관련된 미케니즘들에 대해 설명한다. 또한 제안된 소자의 최적 구조를 정의하기 위해 소자구조에 따른 특성변화를 조사한다. ESD 보호용으로 제안된 소자를 사용할 경우 추가되는 기생 커패시턴스의 감소 정도를 보이기 위해 AC 시뮬레이션 결과도 소개한다. 본 논문의 분석 결과는, CMOS RF IC에서 ESD 보호용으로 제안된 소자를 사용할 경우 NMOS 트랜지스터를 사용할 경우와 대비, 동일한 ESD 강도를 유지하면서 입력노드에 추가되는 커패시턴스의 양을 1/40 정도로 줄일 수 있는 가능성을 보여준다.

• 한국산업정보학회논문지
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• 제6권3호
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• pp.123-127
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• 2001

CMOS 트랜지스터의 등가회로모델 파라미터 $C_{gs}$ 의 예측방법이 CMOS 트랜지스의 반전층내의 유동전하량 계산과 전하유도 특성에 의해 제안되었다. 이 $C_{gs}$ 파라미터는 MOS 트랜지스터의 RF대역의 차단주파수를 결정하고 또한 입력과 출력을 커플링 시키는 중요한 파라미터이다. 이 제안된 방법은 등가회로 모델에서 파라미터 값을 예측하고 파라미터 값을 추출하는 소프트웨어 개발에 기여할 것이다.