• Polymer(Korea)
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• v.38 no.6
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• pp.782-786
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• 2014

Various kinds of thermal conductive ceramic/polymer composites (aluminum nitride, aluminum oxide, boron nitride, and silicon carbide/epoxy) were prepared by a casting method and their optical images were observed by FE-SEM. Among these, SiC/epoxy composite shows inhomogeneous dispersion features of SiC and air voids in the epoxy matrix layer, resulting in undesirable thermal conductive properties. To enhance the thermal conductivities of SiC/epoxy composites, the epoxy wetting method which can directly infiltrate the epoxy droplet onto filtrated SiC cake was employed to fabricate the homogeneously dispersed SiC/epoxy composite for ideal thermal conductive behavior, with maximum thermal conductivity of 3.85W/mK at 70 wt% of SiC filler contents.

• The Journal of Korean Institute of Communications and Information Sciences
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• v.18 no.1
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• pp.110-122
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• 1993

When voice is transmitted through packet switching network, there needs a overload control, that is, a control for the congestion which lasts short periods and occurrs in local extents. In this thesis, we analyzed the performance of the statistical packet voice multiplexer using the overload control strategy by bit dropping. We assume that the voice is coded accordng to (4,2) embedded ADPCM and that the voice packet is generated and transmitted according to the procedures in the CCITT recomendation G. 764. For the performance analysis, we must model the superposed packet arrival process to the multiplexer as exactly as possible. It is well known that interarrival times of the packets are highly correlated and for this reason MMPP is more suited for the modelling in the viewpoint of accuracy. Hence the packet arrival process in modeled as MMPP and the matrix geometric method is used for the performance analysis. Performance analysis is similar to the MMPP IG II queueing system. But the overload control makes the service time distribution G dependent on system status or queue length in the multiplexer. Through the performance analysis we derived the probability generating function for the queue length and using this we derived the mean and standard deviation of the queue length and waiting time. The numerical results are verified through the simulation and the results show that the values embedded in the departure times and that in the arbitrary times are almost the same. Results also show bit dropping reduces the mean and the variation of the queue length and those of the waiting time.

• Journal of the Korean Statistical Society
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• v.18 no.1
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• pp.62-71
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• 1989

We consider a Markov proces ${X_n} on [0,\infty)^k$ which is generated by $X_{n+1} = f(X_n) + \varepsilon_{n+1}$ where f is a continuous, nondecreasing concave function. Sufficient conditions for the existence of a unique invariant probability measure for ${X_n}$ are obtained.

• Proceedings of the Materials Research Society of Korea Conference
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• 2007.11a
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• pp.80.2-80.2
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• 2007

• Proceedings of the Korean Magnestics Society Conference
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• 2003.06a
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• pp.44-45
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• 2003

• Proceedings of the Korea Society of Design Studies Conference
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• 2002.11b
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• pp.70-71
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• 2002

• Communications for Statistical Applications and Methods
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• v.4 no.3
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• pp.863-879
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• 1997

정규분포에 대한 적합도 검정은 실제적인 측면이나 이론적인 측면에서 그 중요성을 무시할 수 없다. 본 연구에서는 이변량 정규분포의 적합도 검정을 위한 통계량을 제안하였다. 주요 아이디어는 모든 가능한 이변량 분포의 선형조합을 고려하여, 그 선형조합이 순서통계량을 이론적인 분위수와 비교하는 것이다. 또한 제안된 통계량의 극한분포가 Gaussian process의 적분의 형태로 표시될 수 있음을 보였다.

• Textile Coloration and Finishing
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• v.2 no.3
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• pp.59-64
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• 1990

염색가공 공장의 총가공비 가운데 에너지비가 점하는 비율은 약 20∼25%에 달하는 것이 일반적이다. 따라서 省에너지가 염색가공에 있어서 중요한 과제가 되고 있으며 소비되어지는 에저지로서는 전력에너지는 비교적 적고 熱에너지가 많으므로 열에너지 적감 효율이 높은 Kusters사에서 제작한 연속 염색기에 대해 조사한 바를 아래에 보고하고져 한다.

• Proceedings of the Korean Radioactive Waste Society Conference
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• 2012.10a
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• pp.219-220
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• 2012

• Proceedings of the Korean Institute of Information and Commucation Sciences Conference
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• 2008.05a
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• pp.740-743
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• 2008

본 연구에서는 MicroTec을 이용하여 MOSFET Process 설계를 구현하였다. MOS(Metal Oxide Semiconductor)는 실리콘 기판 등의 반도체 표면에 산화막을 입히고 그 위에 금속을 부착시킨 구조이다. MOSFET의 응용은 VLSI 회로에만 제한되지 않고 전력-전자 회로에서 중요한 역할을 하며 점점 더 적용범위를 증가시켜 마이크로파 응용에 이르기까지 광범위하게 사용하고 있다. Process를 구연하는 방법은 Grid의 크기를 지정하고, 기판의 원소는 B로 지정하고 $1{\times}10^{15}/cm^3$ 만큼 도핑한다. 기판에 구멍을 내어 B와 As의 도핑농도와 에너지값을 설정한다. 마지막으로 어넬링 파라미터 값을 설정한다. 본 연구에서는 원소의 도핑값과 에너지값의 변화에 따른 MOSFET Process의 변화를 알 수 있었다.