The Transactions of the Korean Institute of Power Electronics
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v.3
no.3
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pp.222-230
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1998
This paper proposes a new gate drive circuit for high power IGBTs which can reduce the harmful effect of reverse recovery current at turn-on and actively suppress the overvoltage across the driven IGBT at turn-off without a snubber circuit. The turn-on scheme decreases the rising rate of the collector current by inereasing the input capacitance at turn-on transient when the gate-emitter voltage goes above threshold voltage. It results in soft transient of the reverse recovery current with no variation in turn-on delay time. The turn-off driving scheme has adaptive feature to the amplitude of collector current, so that the overvoltage can be limited much effectively at the fault collector current. Experimental results under various normal and fault conditions prove the effectiveness of the proposed circuit.
Kim, Nam-Soo;Cui, Zhi-Yuan;Lee, Kie-Yong;Ju, Byeong-Kwon;Jeong, Tae-Woong
Journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers
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v.18
no.1
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pp.17-23
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2005
The switching characteristics of MOS-Controlled Thyristor(MCT) is studied with variation of the channel length and impurity concentration in ON and OFF FET channel. The proposed MCT power device has the lateral structure and P-epitaxial layer in substrate. Two dimensional MEDICI simulator and PSPICE simulator are used to study the latch-up current and forward voltage-drop from the characteristics of I-V and the switching characteristics with variation of channel length and impurity concentration in P and N channel. The channel length and N impurity concentration of the proposed MCT power device show the strong affect on the transient characteristics of current and power. The N channel length affects only on the OFF characteristics of power and anode current, while the N doping concentration in P channel affects on the ON and OFF characteristics.
Journal of the Korean Institute of Illuminating and Electrical Installation Engineers
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v.28
no.12
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pp.124-129
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2014
This paper describes the analysis of the effect on personnel computer in case of turning off power supply of main breaker in general electrical installation. In order to analyze the effect on personnel computer in case of turning off the power supply of main breaker, the switching impulse generator has been designed and fabricated which makes it possible to evaluate the effect on electrical product by switching impulse. The switching impulse tests were carried out for personnel computer according to applied voltage and number of switching impulse. As a consequence, switching impulse had not a significant influence on personnel computer in this study. The varistor of power input section functions as a protection of switching impulse as well as lightning impulse. The results will be used to related organization, and electrical product manufacturer, and residents.
Human powered aircraft (HPA) is an airplane that uses only human power for its propulsion. The human power as a power resource and an engine produce the available power that is very crucial to the success of the HPA. In the present paper, the human power characteristics for completing the mission profile are discussed focusing on the take-off and climbing performance. The mission profile is designed by using an athlete's power generation. It is believed that present analysis can be helpful for the mission profile design and athletes exercise program development for the HPA competitions.
In this paper, a novel method for wind speed estimation in wind power generation systems is presented. The proposed algorithm is based on estimating the wind speed using Support-Vector-Machines for regression (SVR). The wind speed is estimated using the generator power-speed characteristics as a set of training vectors. SVR is trained off-line to predict a continuos-valued function between the system's inputs and wind speed value. The predicted off-line function as well as the instantaneous generator power and speed are then used to determine the unknown winds speed on-line. The simulation results show that SVR can define the corresponding wind speed rapidly and accurately to determine the optimum generator speed reference for maximum power point tracking.
This paper presents a new interleaved pulse-width modulation (PWM) boost-flyback converter to achieve power factor correction (PFC) and regulate DC bus voltage. The adopted boost-flyback converter has a high voltage conversion ratio to overcome the limit of conventional boost or buck-boost converter with narrow turn-off period. The proposed converter has wide turn-off period compared with a conventional boost converter. Thus, the higher output voltage can be achieved in the proposed converter. The interleaved PWM can further reduce the input and output ripple currents such that the sizes of inductor and capacitor are reduced. Since boundary conduction mode (BCM) is adopted to achieve power factor correction, power switches are turned on at zero current switching (ZCS) and switching losses are reduced. The circuit configuration, principle operation, system analysis, and design consideration of the proposed converter are presented in detail. Finally, experiments conducted on a laboratory prototype rated at 500W were presented to verify the effectiveness of the converter.
Power semicondcutor인 IGBT MOSFET, GTO, SI-Thyristor등은 높은 스위치 신뢰성과 life time, 그리고 fast repetition rate 등을 지니고 있기 때문에 medium/High voltage영역에서 스위치 사용이 대두되어 왔으나, Thyratron이나 Trigatron(Gap switch)와 비교하여 낮은 전압/전류를 스위칭하기 때문에 전통적으로 직렬연결을 통해 high voltage 영역의 스위치로 사용되어 왔다. 하지만, 직렬연결되어 있는 각각의 power semiconductor와 gate driving circuit의 on/off synchronization이 맞지 않기 때문에 부하의 급격한 변화에 따른 전압의 balance에 문제가 가장 심각하게 대두되어 왔다. 이러한 문제를 해결하기 위해서 gate driving circuit에서 제어를 해주는 방법과 power semiconductor에서 제어를 해주는 방법이 있으나 두 방식 모두 문제점이 있다. 본 논문에서는 기존의 zener clamping방식에서 벗어나 새로운 active clamping방식의 직렬연결을 제안했으며 시뮬레이션과 실험을 통해 나타난 이 결과들은 on/off transient 시 symmetry를 유지하는데 효과적이라는 것을 보여주고 있다.
In this paper, a resonant pulse power converter (RPPC) is proposed. The proposed RPPC transfers the pulse-shape power from a DC source to a load periodically. The RPPC consists of a resonant circuit and a resonant pulse converter driven by a self-switching circuit. Depending on the magnitude difference between the input and output voltages, the operations of the RPPC are divided into 4 modes; boost mode, hybrid mode, direct mode and cut-off mode, respectively. The main switch of the RPPC turns on in the ZCS condition and off in the ZVS condition spontaneously. The operational principles of a RPPC using the self-switching technique are analyzed and verified in experiments. An example of a RPPC application is demonstrated in the area of thermoelectric energy harvesting.
This study proposes a novel zero voltage transition (ZVT) pulse width modulation (PWM) DC-DC interleaved boost converter with an active snubber cell. All the semiconductor devices in the converter turn on and off with soft switching to reduce the switching power losses and improve the overall efficiency. Through the interleaved approach, the current stresses of the main devices and the ripple of the output voltage and input current are reduced. The main switches turn on with ZVT and turn off with zero voltage switching (ZVS). The auxiliary switch turns on with zero current switching (ZCS) and turns off with ZVS. In addition, the snubber cell does not create additional current or voltage stress on the main switches and main diodes. The proposed converter can smoothly achieve soft switching characteristics even under light load conditions. The theoretical analysis and operating stages of the proposed converter are made for the D > 50% and D < 50% modes. Finally, a prototype of the proposed converter is implemented, and the experimental results are given in detail for 500 W and 50 kHz. The overall efficiency of the proposed converter reached 95.5% at nominal output power.
Journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers
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v.32
no.3
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pp.201-206
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2019
This report constitutes the first demonstration in Korea of single-crystal lateral gallium oxide ($Ga_2O_3$) as a metal-oxide-semiconductor field-effect-transistor (MOSFET), with a breakdown voltage in excess of 480 V. A Si-doped channel layer was grown on a Fe-doped semi-insulating ${\beta}-Ga_2O_3$ (010) substrate by molecular beam epitaxy. The single-crystal substrate was grown by the edge-defined film-fed growth method and wafered to a size of $10{\times}15mm^2$. Although we fabricated several types of power devices using the same process, we only report the characterization of a finger-type MOSFET with a gate length ($L_g$) of $2{\mu}m$ and a gate-drain spacing ($L_{gd}$) of $5{\mu}m$. The MOSFET showed a favorable drain current modulation according to the gate voltage swing. A complete drain current pinch-off feature was also obtained for $V_{gs}<-6V$, and the three-terminal off-state breakdown voltage was over 482 V in a $L_{gd}=5{\mu}m$ device measured in Fluorinert ambient at $V_{gs}=-10V$. A low drain leakage current of 4.7 nA at the off-state led to a high on/off drain current ratio of approximately $5.3{\times}10^5$. These device characteristics indicate the promising potential of $Ga_2O_3$-based electrical devices for next-generation high-power device applications, such as electrical autonomous vehicles, railroads, photovoltaics, renewable energy, and industry.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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