• 대한조선학회논문집
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• 제32권3호
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• pp.62-71
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• 1995

비압축성 가정하에 Navier-Stokes 방정식을 이용하여 비정상 점성유동을 수치해석하기 위해서는 매시간 단계에서 타원형 압력 Poisson 방정식의 해를 구해야 하며, 이에 많은 계산시간이 소요된다. 본 논문에서는 직접법을 이용하여 압력 Poisson 방정식을 수치해석하였으며, 분할수 증가에 따른 소요시간 문제를 다루었다. Green 정리를 압력 Poisson 방정식에 적용하면 주어진 문제는 경계치문제로 변환되고, convolution 형의 영역적분은 F.F.T.를 이용하여 계산시간을 단축할 수 있어, 직접법 이용시 소요시간은 경계치문제의 해를 구하는 데에 좌우된다. 직접법의 검증을 위하여 해석해를 알고 있는 경우에 대하여 수치해석하였고, 물체경계조건과 정합문제에 관하여 수치해석 하였는데. 분할수가 (n.n) 시 O($n^{3}$) 미만의 계산시간으로 수치해석할 수 있었다.

• 대한조선학회논문집
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• 제33권4호
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• pp.48-59
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• 1996

비정상 점성유동 수치해석단계는 연속방정식을 만족시키는 공간해석단계와 시간전진단계로 구분할 수 있다. 본 연구에서는 공간해석단계의 압력 Poisson 방정식의 해를 구하는데 스팩트럴법을 이용하였다. 압력 Poisson 방정식의 최고차미분항을 Fourier 급수로 전개하면 압력 및 압력의 1차미분항의 Fourier 급수의 적분으로 표현되므로 Gibb's 현상을 제거할 수 있어, 비주기성인 경우에도 스팩트럴법을 적용할 수 있다. 수치해법의 검증을 위하여 2차원 원주상체 및 날개주위 비정상 점성유동을 수치해석하였고, 그 결과를 비교하여 보았다.

• 한국데이터정보과학회:학술대회논문집
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• 한국데이터정보과학회 2005년도 추계학술대회
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• pp.171-176
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• 2005

An infinite dam with compound Poisson inputs and a state-dependent release rate is considered. We build the Kolmogorov's backward differential equation and solve it to obtain the Laplace transforms of the first exit times for this dam.

• Journal of the Korean Wood Science and Technology
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• 제41권5호
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• pp.425-431
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• 2013

Estimation equations of shear modulus in the plane of laminated veneer lumber (LVL) were compared each other through uniaxial tension test results. The equations - basic elastic equation in the dimensional orthotropic case, Hankinson's formula and empirical equation proposed by Salikis and Falk, were applied to determine the elastic constants at various angles to the grain, which were needed for determination of shear modulus. Tensile elastic modulus of LVL predicted from these equations were compared with test data to evaluate the accuracy of the equation. Tensile elastic modulus rapidly decreased at orientations between 0 and 15 degrees and elastic modulus at grain angles of 15, 30, and 45 degrees overestimated in the presented equations. But the proposed equation by Salikis and Falk showed better prediction, especially at 30, and 45 degrees. This proposed formula would be more useful and practical for estimating of shear modulus of wood composites like LVL to minimize the effect of Poisson's ratio term.

• Journal of the Korean Statistical Society
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• 제36권2호
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• pp.229-235
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• 2007

We consider a ruin model whose surplus process is formed by a compound Poisson process. If the level of surplus reaches V > 0, it is assumed that a certain amount of surplus is invested. In this paper, we apply the optional sampling theorem to the surplus process and obtain the expectation of period T, time from origin to the point where the level of surplus reaches either 0 or V. We also derive the total and average amount of surplus during T by establishing a backward differential equation.

• JSTS:Journal of Semiconductor Technology and Science
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• 제11권1호
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• pp.40-50
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• 2011

A two-dimensional (2D) analytical model for the potential distribution and threshold voltage of short-channel ion-implanted GaAs MESFETs operating in the sub-threshold regime has been presented. A double-integrable Gaussian-like function has been assumed as the doping distribution profile in the vertical direction of the channel. The Schottky gate has been assumed to be semi-transparent through which optical radiation is coupled into the device. The 2D potential distribution in the channel of the short-channel device has been obtained by solving the 2D Poisson's equation by using suitable boundary conditions. The effects of excess carrier generation due to the incident optical radiation in channel region have been included in the Poisson's equation to study the optical effects on the device. The potential function has been utilized to model the threshold voltage of the device under dark and illuminated conditions. The proposed model has been verified by comparing the theoretically predicted results with simulated data obtained by using the commercially available $ATLAS^{TM}$ 2D device simulator.

• 한국정보통신학회논문지
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• 제15권9호
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• pp.2000-2006
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• 2011

본 연구에서는 이중게이트(Double Gate; DG) MOSFET의 채널내 도핑분포 형태에 따른 드레인유기장벽감소(drain induced barrier lowering; DIBL) 현상을 분석하였다. DGMOSFET는 기존 MOSFET에서 발생하는 단채널효과를 감소시킬 수 있다는 장점 때문에 많은 연구가 진행 중에 있다. DIBL은 높은 드레인 전압에 의하여 발생하는 에너지밴드의 변화가 문턱전압의 감소로 니타나는 단채널효과이다. 이러한 DIBL을 DGMOSFET의 구조적 파라미터 및 채널 내 도핑분포함수의 변화에 따라 분석하고자 한다. 이를 위하여 가우시안 분포함수를 이용하여 포아송방정식의 해석학적 모델을 유도하였다. 본 논문에서 사용한 해석학적 포아송방정식의 전위분포모델 및 DIBL 모델의 타당성을 입증하기 위하여 수치해석학적 결과값과 비교하였으며 이 모델을 이용하여 DGMOSFET의 DIBL을 분석하였다.

• 한국정보통신학회논문지
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• 제15권8호
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• pp.1764-1770
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• 2011

본 연구에서는 이중게이트 MOSFET의 채널내 도핑분포에 따른 문턱전압이하 스윙을 분석하였다. DGMOSFET는 차세대 나노소자로서 단채널효과를 감소시킬 수 있다는 장점 때문에 많은 연구가 진행 중에 있다. 문턱전압이하 스윙특성의 저하는 중요한 단채널 효과로서 디지털소자응용에서 매우 심각한 영향을 미치고 있다. 이러한 문턱 전압이하 스윙특성의 저하를 이중게이트(Double Gate; DG) MOSFET의 구조적 파라미터 및 채널 내 도핑분포함수의 변화에 따라 분석하고자 한다. 이를 위하여 가우시안 분포함수를 이용하여 포아송방정식의 해석학적 모델을 유도하였다. 본 논문에서 사용한 해석학적 포아송방정식의 전위분포모델 및 문턱전압이하 스윙모델의 타당성을 입증하기 위하여 수치해석학적 결과값과 비교하였으며 이 모델을 이용하여 이중게이트 MOSFET의 문턱전압이하 스윙을 분석하였다.

• 한국수학교육학회지시리즈B:순수및응용수학
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• 제4권2호
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• pp.105-110
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• 1997

The distribution of staff in a hierachial organization has been studied in a variety of forms and models. Results here show that the promotion process follows a binomial distribution with parameters n and $\alpha=e^{-pt}$ and the recruitment process follows a poisson distribution with parameter $\lambda$. Futhermore, the mean time to promotion in the grade was estimated.

• Korea-Australia Rheology Journal
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• 제15권2호
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• pp.83-90
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• 2003

In cases of the microfluidic channel, the electrokinetic influence on the transport behavior can be found. The externally applied body force originated from the electrostatic interaction between the nonlinear Poisson-Boltzmann field and the flow-induced electrical field is applied in the equation of motion. The electrostatic potential profile is computed a priori by applying the finite difference scheme, and an analytical solution to the Navier-Stokes equation of motion for slit-like microchannel is obtained via the Green's function. An explicit analytical expression for the induced electrokinetic potential is derived as functions of relevant physicochemical parameters. The effects of the electric double layer, the zeta potential of the solid surface, and the charge condition of the channel wall on the velocity profile as well as the electroviscous behavior are examined. With increases in either electric double layer or zeta potential, the average fluid velocity in the channel of same charge is entirely reduced, whereas the electroviscous effect becomes stronger. We observed an opposite behavior in the channel of opposite charge, where the attractive electrostatic interactions are presented.