Kang, Jin-Kyu;Dinh, Thi Hinh;Lee, Chang-Heon;Han, Hyoung-Su;Lee, Jae-Shin;Tran, Vu Diem Ngoc
Transactions on Electrical and Electronic Materials
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제18권1호
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pp.1-6
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2017
A comparative study of microwave and conventional sintering of lead-free $Bi_{1/2}(Na_{0.82}K_{0.18})_{1/2}TiO_3-BaZrO_3-CuO$ ceramics is presented. It was found that microwave sintering (MWS) can be successfully applied to the fabrication of large strain Bi-perovskite with electric field-induced strains comparable to those obtained with conventional sintering (CFS). Although MWS resulted in smaller grained microstructures than CFS, the ferroelectric properties were stronger in MWS-derived specimens than in the CFS-derived ones. The piezoelectric strain constant $d_{33}{^*}$ of the CFS-derived specimens reached a maximum value of 372 pm/V after sintering at $1100^{\circ}C$, whereas that of MWS-derived specimens peaked at $950^{\circ}C$ with a $d_{33}{^*}$ value of 324 pm/V.
Journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers
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제17권5호
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pp.492-496
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2004
In this study, (0.96 -x)(PSN-PZT)-xBF-0.04 PNW+0.3wt%MnO$_2$+0.6wt%CuO ceramics were fabricated with the variations of the amount of BiFeO$_3$substitution and sintering temperature for the development of modified ceramics which can be sintered in the low temperature($\leq$100$0^{\circ}C$ ), and their microstructural, dielectric and piezoelectric characteristics were investigated. As the amount of BiFeO$_3$ substitution was increased, the density, mechanical quality factor(Q$_{m}$) and electromechanical coupling factor(k$_{p}$) showed the maximum value at each of sintering temperature. At sintering temperature of 98$0^{\circ}C$ and BiFeO$_3$substitution of 2 mol%, the density, dielectric constant and electromechanical coupling factor(k$_{p}$) showed the maximum value of 7.84 g/㎤, 1415 and 0.49, respectively. And at sintering temperature of 95$0^{\circ}C$ and BiFeO$_3$substitution of 3mol%, mechanical quality factor showed the maximum value of 1062. 1062.
Effects of bottom electrode materials (Al, Cu, Ti, and Mo), included in film bulk acoustic resonators (FBARs), on the orientation of piezoelectric AlN thin films and the frequency response characteristic of resonators were investigated. The texture coefficient (TC) for (002) orientation, crystallite size, full width half maximum (FWHM), and surface roughness of deposited AlN films were measured for the various bottom electrodes. The return tosses estimated from the frequency responses of fabricated resonators were also compared. Experimental results showed that the difference of lattice constant and thermal expansion coefficient between the bottom electrode and the AlN film were the most important factors for achieving a high performance resonator.
Ferroelectric properties of the PMT-PT were also studied from the temperature dependence of hysteresis loops using a method slightly modified from Sawyer-Tower's. Dielectric, pyroelectric and piezoelectric properties of the ceramics in the system PMT-PT were investigated. The resulted densities of the PMT-PT ceramics system were greater than 97 % of the theoretical value. As observed SEM micrograph of the fracture surfaces of the PMT-PT ceramics system, the average grain sizes were increased about 3-5 ${\mu}m$ to 6-8 ${\mu}m$ with increasing sintering temperature. The specimens with PT<0.30 for PMT-PT solid solution system exhibited the dielectric and pyroelectric properties of a typical relaxor ferroelectrics. The composition with the maximum dielectric constant exhibits relatively superior pyroelectric and piezoelectric properties.
Journal of electromagnetic engineering and science
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제6권1호
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pp.1-9
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2006
A sandwich structure of dielectric material and air gap inside a rectangular waveguide is proposed as a fast electrically tunable low-loss phase shifter. As the dielectric material is shifted up and down by piezoelectric actuator and, thereby, the thickness of air gap is changed, the effective dielectric constant of the sandwich structure is varied. Phase shifters based on the sandwich structure with different dielectric materials showed phase shift of $20{\sim}200^{\circ}/cm$ at X-band as the thickness of air gap varied up to $30{\mu}m$. The idea can be extended toward low-loss millimeter wave phase shifters since modem microwave ceramics have been developed to show very low dielectric loss$(tan\;{\delta}{\sim}10^{-4})$.
Magnetoelectric(ME) laminate composites of $Pb(Mg_{1/3}Nb_{2/3})O_3-PbTiO_3 (PMN-PT)$ and Terfenol-D were prepared by sandwiching single crystals of PMN-PT between Terfenol-D disks. The magnetoelectric voltage coefficient (dE/dH) of the composite was determined to be 10.30 V/cm${\cdot}$Oe, at 1 kHz and under a dc magnetic bias of 0.4 T. The value of dE/dH is ∼80 times higher than either that of naturally occurring magnetoelectrics or artificially-grown magnetoelectric composites. This superior magnetoelectric voltage coefficient is attributed to the high piezoelectric voltage constant as well as the high elastic compliance of PMN-PT single crystal and the large magnetostrictive response of Terfenol-D.
Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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한국전기전자재료학회 2000년도 하계학술대회 논문집
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pp.391-395
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2000
In this study, the temperature coefficient of resonant frequency(TC $F_{r}$), dielectric and piezoelectric properties of Pb[(S $b_{1}$2/N $b_{1}$2/)$_{0.0035}$-(M $n_{1}$3/N $b_{2}$3/)$_{0.0065}$-(Z $r_{x}$$Ti_{1-x}$ )$_{0.90}$] $O_3$ceramics is investigated with Zr/Ti ratio. The dielectric constant and electromechanical coupling factor( $k_{p}$) showed the highest values of 1257, 0.562 respectively when the Zr/Ti ratio is 49.5/50.5. The mechanical quality factor( $Q_{m}$) is the lowest value of 713 when the Zr/Ti ratio is 49.5/50.5, and increased with the decrease of the Zr/Ti ratio. The temperature coefficient of resonant frequency(TC $F_{r}$) change abruptly at the morphotropic phase boundary(MPB), which is between the rhombohedral phase with highly negative TC $F_{r}$ of -106ppm/$^{\circ}C$ and the tetragonal phase with highly positive TC $F_{r}$ of +64pp $m^{\circ}C$ as Zr/Ti ratio changes from 50/50 to 49.5/50.5.50.5..5.50.5.5.
This study analyzes the phase transition behavior and electrical properties of lead-free (1-x)K0.5Na0.5NbO3-xBaZrO3 (KNN-100xBZ) piezoelectric ceramics. The stabilized crystal structures in BaZrO3-modified KNN ceramics is clarified to be pseudocubic. The polymorphic phase transition from the orthorhombic to pseudocubic phases can be observed with KNN-6BZ ceramics considering the optimized piezoelectric constant (d33). Electromechanical strain behaviors are discussed. Accordingly, the enhancement of strain value at x = 0.08 (composition) may originate from the coexistence of ferroelectric domains and polar nanoregions. A schematic of domains for KNN, KNN-8BZ, and KNN-15BZ ceramics has been proposed to describe the relationship between the stabilized relaxor and changes in electrical properties.
This paper is the study for piezoelectric properties of PMN-PT-PZ composition for high power piezoelectric device. It needs the properties such as high mechanical quality factor(Qm), high electromechanical coupling coefficient(kp) and high dielectric strain constant$(d_31)$, and the stable electromechanical properties under high vibration level. For acquiring this results, the value of x is changed in 0.1Pb$(Mn_{1/3}Nb_{2/3})O_3$+(0.9-x)$PbZrO_3+xPbTiO_3$ composition to find MPB(morphotropic phase boundary), and the piezoelectric constants is measured by resonance-antiresonance frequency method, based on IRE Standard. Also, it is measured as a function of the amount of additive, $Nb_2O_5$. When the composition is applied to high power device, the electromechanical properties is measured by laser vibrometer to confirm the reliablity under high vibration level. From these results, PMN-PT-PZ composition is shown excellent properties and capacity of application to high power device.
Transactions on Electrical and Electronic Materials
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제13권4호
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pp.171-176
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2012
As langasite $A_3BC_3D_2O_{14}$ compounds with piezoelectric properties exhibit no phase transition up to the melting point of 1,400-$1,500^{\circ}C$, many high temperature applications are expected for the SAW filter, temperature sensor, pressure sensor, and so on, based on the digital transformation of wider bandwidth and higher-bit rates. It has a larger electromechanical coupling factor compared to quartz and also nearly the same temperature stability as quartz. The $La_3Ga_5SiO_{14}$ (LGS) crystal with the $Ca_3Ga_2Ge_4O_{14}$-type crystal structure was synthesized and the crystal structure was analyzed by Mill et al. It is also an important feature that the growth of the single crystal is easy. In the case of three-element compounds such as $[R_3]_A[Ga]_B[Ga_3]_C[GaSi]_DO_{14}$ (R=La, Pr and Nd), the piezoelectric constant increases with the ionic radius of R. In this study, crystal structures of four-element compounds such as $[A_3]_A[B]_B[Ga_3]_C[Si_2]_DO_{14}$ (A = Ca or Sr, B = Ta or Nb) are analyzed by a single crystal X-ray diffraction, and the mechanism and properties of the piezoelectricity depending on the species of cation was clarified based on the crystal structure.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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