A new structure is proposed to achieve a low sustaining voltage and high luminous efficacy. By measuring minimum sustaining voltage(Vs) discharge current(Ion), discharge(Ioff), and brightness of the light from a 4-inch ac-PDP, performances of the conventional structure and proposed structure are compared. When compared with the conventional structure, proposed structure showed 6.5% Vsm improvement, 22% luminance improvement and 20% light dispersion improvement at the Ne-Xe(8%) gas mixture of 400 torr.
Kim, Tae-Hoon;Kang, Bong-Gu;Lee, Tae-Hoon;Son, Se-Mo
Journal of the Korean Graphic Arts Communication Society
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v.26
no.2
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pp.31-43
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2008
The functional dyes, which has various optical characteristics that can be applicable to field of electronic, photo electronic, such as sensor or electrode, were synthesized. Physical property and optical stability was studied with preparation of conductive type film as a kind of optical filter of plasma display panel, by adapting neon cut off dye, which can selectively absorbing between 580 and 610nm wavelength. The filter was prepared with PSA resin, which has functional group of - COOH and - OH, as binder. And the characters such as spectroscopy, heat-proof / wet-proof, thermal stability and commerciality, which must be held by functional dyes, were examined. Conductive type film is the kind of film includes only neon cut off dyes. For the neon cut off dyes, cyanine dyes can be applied. And it is observed that spectrum of before and after the durability test are not changed due to stability of dyes, as the result of coating on the mesh film with PSA binder.
In the AC PDP, the MgO film is used as electrode protective film. This film must provide excellent ion bombardment protection, high secondary electron emission, and should be high transparent to visible radiation. In this study, we investigated the relations between the crystal orientation and e-beam evaporation process parameters. The crystal orientation of the MgO layer depends on the conditions of deposition. The parameters are the thickness of the MgO film $1000{\AA}-6500{\AA}$, the deposition rate $200{\AA}/min{\sim}440{\AA}/min$, the temperature $150^{\circ}C{\sim}250^{\circ}C$, and the distance between crucible and substrate 11cm ${\sim}$ 14cm. The temperature of substrate and evaporation rate of source material, or deposition rate of the film, are definitely related to the crystal orientation of the MgO thin film. The crystal orientation can be changed by the distance between the target(MgO tablet) and the substrate. However, the crystal orientation is not much affected by the thickness of MgO thin film.
Choi Jae Woong;Hwang Gil Ho;Hong Seok Jun;Kang Sung Goon
Korean Journal of Materials Research
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v.14
no.8
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pp.552-557
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2004
Thin Ni-B films, 1 ${\mu}m$ thick, were electrolessly deposited on Cu bus electrode fabricated by electro deposition. The purpose of these films is to encapsulate Cu electrodes for preventing Cu oxidation and to serve as a diffusion barrier against copper contamination of dielectric layer in AC-plasma display panel. The layers were heat treated at $580^{\circ}C$(baking temperature of dielectric layer) with and without pre-annealing at $300^{\circ}C$($Ni_{3}B$ formation temperature) for 30 minutes. In the layer with pre-annealing, amount of Cu diffusion was lower about 5 times than that in the layer without pre-annealing. The difference of Cu concentration could be attributed to Cu diffusion before $Ni_{3}B$ formation at grain boundaries. However, the diffusion behavior of the layer with pre-annealing was similar to that of the layer without pre-annealing after $Ni_{3}B$ formation. With increasing annealing time, Cu concentration of both layers increased due to grain growth.
The high efficacy concept, featuring in this study an auxiliary electrode and a 200 ${\mu}m$ coplanar gap, is applied to AC-PDPs with a stripe - type and a closed - type barrier rib, respectively. The roles of the pulses applied to the auxiliary electrode create additional excitation during the sustain period and reduce a discharge current that flows into the display cells. The efficacy of the proposed panel with the closed barrier rib has maximum values when the auxiliary pulse voltage is 50 volts and 80 volts for the Ne+4%Xe and Ne+20%Xe gas-mixtures, respectively. The maximum luminous efficacy is more than 10 lm/W in terms of the measurement of the discharges in VGA resolution ($540{\mu}m{\times}720{\mu}m$) and the green cells.
Kim, Son-Ic;Choi, Hoon-Young;Lee, Seok-Hyun;Lee, Seung-Gol
Proceedings of the KIEE Conference
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2002.07c
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pp.1628-1630
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2002
In this paper, we measured 3-dimensional temporal behavior of the light emitted from discharge cell of plasma display panel(PDP) as a function of the pressure using the scanned point detecting system. The detected light signal through the PM tube is sent on the oscilloscope and oscilloscope which is connected to PC with GPIB. The whole system is controlled by a PC. From the temporal behavior results, we could analyze the discharge behavior of panel with Ne-Xe(4%) mixing gas and 300torr, 400torr, 500torr pressure. The top view of panel shows that the discharge moves from inner edge of cathode electrode to outer cathode electrode forming arc type. At the 300torr, initial emission time is very fast. The side view of panel shows that the light is detected up to $150{\mu}m$ height of barrier rib. In the panel of 300torr, emission distribution is wider than the others.
The Transactions of the Korean Institute of Electrical Engineers C
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v.52
no.10
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pp.476-480
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2003
In this paper, we have performed 3-dimensional time-resolving measurement of the Ne light emitted from the cell of plasma display panel(PDP) as a function of the pressure using the scanned point detecting system. From the temporal behavior results, we could analyze the discharge behavior of panel with Ne-Xe(4%) mixing gas and 300 torr, 400 torr and 500 torr pressure. At the top view of panel, the discharge of 300 torr panel starts at the 634 ns and ends at the 722 ns. The emission duration time is about 90 ns. The discharge of 400 torr panel starts at the 682 ns and ends at the 786 ns. the emission duration time is about 100 ns. Also, the discharge of 500 torr panel starts at the 770 ns and ends at the 826 ns. the emission duration time is about 56 ns. The discharge moves from inner edge of cathode electrode to outer cathode electrode forming arc type. In the side view of 300 torr, 400 torr and 500 torr an emission shows that the light is detected up to 180${\mu}{\textrm}{m}$, 150${\mu}{\textrm}{m}$ and 70${\mu}{\textrm}{m}$ height of barrier rib and the emission distribution of the 300 torr is wider than 400 torr, 500 torr.
We analyzed the effect of cell resolution on the luminous efficacy through three-dimensional numerical simulation to understand the inherent discharge mechanism change in the plasma display panel. As the resolution increases from VGA to Full HD, the luminous efficacy decreases. With higher Xe content, VUV generation efficacy of Full HD becomes much lower than those of VGA or XGA cells, due to the increased plasma loss and lower electron heating. However a long electrode gap $140{\mu}m$ in Full HD cell with Ne-Xe [20%] results in the high luminous efficacy comparable to that of the XGA cell with $60{\mu}m$ gap. When comparing the effects of Xe content variation on the luminous efficacy of two different subpixel types, i. e., SDE (Segmented electrode in Delta color arrayed, Enclosed subpixel) [1] and conventional stripe barrier type in the XGA and Full HD cells, the luminous efficacy of SDE structure shows higher improvement in Full HD resolution compared with that of conventional type XGA cell, whose cause is identified as the reduced plasma loss.
A transparent dielectric of the $PbO-B_2O_3-SiO_2-A1_2O_3$ system which was a low melting glass has been used for PDP (Plasma Display Panel), but it has a problem which is a reaction to be occurred between a transparent dielectric layer and electrodes (Ag, ITO) after firing. This research was conducted for ion migration of $Ag^+\$ and $Sn^ {2+}$ during firing three different frits of low melting glass. The result showed that yellowing phenomena occurred through a chemical reaction between $Ag^+\$and $Sn^ {2+}$ at 550~58$0^{\circ}C$ for 20~60 min. In addition, it was confirmed that the migration of $Sn^{2+}$ from ITO electrode made a strong effect on the yellowing phenomena.
Journal of the Institute of Electronics and Information Engineers
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v.52
no.1
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pp.135-139
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2015
The address discharge time lags are investigated in each subfield time in AC plasma display panel and a modified driving waveform is proposed to reduce the address discharge time lag by applying different additional scan voltage under no misfiring discharge production. The weak plasma discharge in AC PDP is generated by applying high positive-going ramp waveform to the scan electrode during the first reset period and that induce the production of the priming particle and wall charge. Because the wall charge becomes the wall voltage in a cell, the wall plus external address voltage produce the address discharge. However, as the wall charge in a cell is gradually disappeared as time passed, the address discharge time in the subfield time for 1 TV frame is lagged. In the first subfield time, the address discharge is faster produced than the other subfield time because the wall charge are much remained by the high positive-going ramp voltage during the reset period in the first subfield time. Meanwhile, from the second to last subfield, the address discharge production time is gradually delayed due to the dissipation of the wall charge in a cell. In this study, the address discharge time lags are measured in each subfield time and the total address discharge time lags are shortened by applying the different additional scan voltage during the address period in each the subfield time.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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