• 한국인터넷방송통신학회논문지
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• 제11권3호
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• pp.161-168
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• 2011

본 논문은 모바일 환경에서 IEEE802.11 무선랜의 성능을 실제로 측정하고 성능을 분석해본다. 성능 분석을 위해서는 기존의 IEEE802.11b/g와 차량간 통신(V2V) 환경에 적합하게 설계된 IEEE802.11p에 대해서 성능을 측정하여 분석하였다. 기존의 IEEE802.11b/g는 V2I, IEEE802.11p는 V2I와 V2V에서 실험을 진행하였다. 따라서 각각 자동차의 주행속도를 점차 증가시켜 실험을 진행하였으며, 그에 따른 통신반경, 링크접속시간, 데이터 전송속도를 측정하였다.

• 한국통신학회논문지
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• 제36권10A호
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• pp.816-822
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• 2011

본 논문은 모바일 컨버전스를 위해서는 가장 필요하다고 보이는 대중적인 무선통신 방법인 IEEE802.11 무선랜의 성능이 이동성을 가지는 환경에서 어떠한지를 실제로 측정하고 성능을 분석해본다. 성능 분석을 위해서는 기존의 IEEE802.11b/g와 차량간 통신(V2V) 환경에 적합하게 설계된 IEE802.11p에 대해서 성능을 측정하여 분석하였다. 본 논문에서는 기존의 IEEE802.11b/g는 V2I, IEEE802.11p는 V2I와 V2V에서 실험을 진행하였다. 따라서 각각 자동차의 주행속도를 점차 증가시켜 실험을 진행하였으며, 그에 따른 통신반경, 링크접속시간, 데이터 전송속도, 지연시간을 측정하였다. 또한 무선 채널에 512, 1024, 1518 byte의 부하를 가지게 함으로써, 주위에 통신량이 많고 적은 상황에 따른 성능도 확인하였다. 결론을 통해서는 분석된 내용을 기반으로 향후 연구 내용을 논한다.

• 한국정보통신학회:학술대회논문집
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• 한국해양정보통신학회 2003년도 춘계종합학술대회
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• pp.682-684
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• 2003

본 논문에서는 p형 SiGe pMOSFET를 디자인하고 온도에 따른 전기적 특성들을 분석하였다. 채널 길이는 0.9$\mu\textrm{m}$로 하였으며, 온도는 300K와 77K일 때의 특성을 조사하였다. 게이트 전압이 -1.5V로 인가되었을 때, 실온에서는 -0.97V의 문턱전압 값을 얻었으나 77K에서는 -1.15V의 문턱전압 값을 얻었다. 이것은 실온에서의 Si pMOSFET가 갖는 문턱전압 값(-1.36V)보다 동작특성이 우수함을 알 수 있었다.

• 한국정보통신학회논문지
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• 제7권3호
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• pp.474-477
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• 2003

본 논문에서는 p형 SiGe pMOSFET를 디자인하고 온도에 따른 전기적 특성들을 분석하였다. 채널길이는 0.9$\mu\textrm{m}$로 하였으며, 온도는 300K와 77K일 때의 특성을 조사하였다. 게이트 전압이 -1.5V로 인가되었을 때, 실온에서는 -0.97V의 문턱전압 값을 얻었으나 77K에서는 -1.15V의 문턱전압 값을 얻었다. 이것은 실온에서의 Si pMOSFET가 갖는 문턱전압 값(-1.36V)보다 동작특성이 우수함을 알 수 있었다.

• 한국정보통신학회:학술대회논문집
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• 한국해양정보통신학회 2003년도 추계종합학술대회
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• pp.773-776
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• 2003

본 논문에서는 p형 SiGe pMOSFET를 디자인하고 온도에 따른 전기적 특성들을 분석하였다. 채널 길이는 0.9$\mu\textrm{m}$로 하였으며, 온도는 300K와 77K일 때의 특성을 조사하였다. 게이트 전압이 -1.5V로 인가되었을 때, 실온에서는 -0.97V의 문턱전압 값을 얻었으나 77K에서는 -1.15V의 문턱전압 값을 얻었다. 이것은 실온에서의 Si pMOSFET가 갖는 문턱전압 값(-1.36V)보다 동작특성이 우수함을 알 수 있었다.

• 전기전자학회논문지
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• 제26권2호
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• pp.329-332
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• 2022

본 논문에서는 ferroelectric(HfO₂)구조가 적용된 3D NAND flash memory의 parameter에 따른 lateral charge migration의 retention과 V_th를 분석하였다. P_s가 클수록 Program 시 ferroelectric에서 가능한 최대 polarization이 크기 때문에 초기 V_th는 P_s 25µC/cm² 보다 P_s 70µC/cm²에서 약 1.04V차이로 커진다. 또한 Program 이후 trap된 전자는 시간이 지남에 따라서 lateral charge migration이 발생한다. Program 이후 gate에 전압을 가하지 않고 ferroelectric은 polarization을 유지하기 때문에 P_s와 크게 관계없이 P_r이 클수록 polarization이 커지고 lateral charge migration에 의한 ∆V_th는 P_r 5µC/cm² 보다 P_r 50µC/cm²에서 약 1.54V차이로 작아진다.

• 한국항행학회논문지
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• 제23권1호
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• pp.36-43
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• 2019

본 논문에서는 최신 커넥티드 카 기술에 적용되는 IEEE 802.11p 표준에 기반한 현세대 및 차세대 V2X (vehicle to anything) 시스템에 대해 분석하고 차세대 V2X 시스템에 적용될 수 있는 채널 접근 기술을 제시한다. 제안하는 기법은 차세대 무선랜 표준의 직교 주파수분할 다중 사용자전송 환경에서의 다중 사용자 전송기법을 차용하여 IEEE 802.11p 기반차세대 표준에 적용하는 방법을 제시하고 있다. 본 논문에서는 기존 IEEE 802.11p 표준 기반 시스템과 제안하는 시스템 간의 그 전송 거리 및 지리적 네트워크 면적 성능을 측정함으로써 제안하는 기법에 의해 해당 요소들이 어느 정도 개선될 수 있는지를 보이며, 이를 통해 얻어낸 본 연구의 실험 결과는 제안하는 기법들이기존 V2X 표준 및 시스템의 성능을 개선시키는 데에 매우 적합함을 보인다. 또한, 본 논문은 제안하는 기법을 포함한 차세대 V2X 채널 접근 기법에 대한 분석 방법과 실험 결과를 함께 제공한다.

• 지질공학
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• 제18권4호
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• pp.371-379
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• 2008

본 연구에서는 경기도 일대의 편마암지역 11곳에서 다운홀(down-hole) 탄성파탐사를 이용하여 획득한 탄성파속도를 이용, 편마암지역에서의 탄성파 속도와 동탄성계수와의 상관성을 조사하였다. 연구결과 편마암에서의 탄성파속도의 특성은 $V_s=0.5589{\times}V_p$ 상관관계를 보여준다. 탄성파 속도와 동탄성계수와의 상관관계는 두 개의 군으로 분리된다. 풍화가 진행됨에 따라 첫 번째 군은 암석의 비중에 큰 영향을 받지만 두 번째 군에서는 절리면의 간격에 영향을 받는다. 풍화가 진행됨에 따라 첫 번째 군은 감소하는 경향을 보인다. 경암반에서의 압축파속도($V_p$) 동탄성계수($E_d$, $G_d$, $K_d$)의 상관관계는 선형으로 분석되었지만, 보통암반에서의 압축파속도($V_p$)와 동탄성계수($E_d$, $G_d$, $K_d$)의 상관관계는 2차 함수 포물선 곡선의 형태를 띠는 것으로 분석되었다. 전단파속도($V_s$)와 동탄성계수($E_d$, $G_d$, $K_d$)의 상관관계 또한 압축파속도($V_p$)와 유사한 결과를 보이는 것으로 분석되었다.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2008년도 추계학술대회 논문집 Vol.21
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• pp.95-95
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• 2008

본 연구에서는 SiGe p-MOSFET을 제작하여 I-V 특성과 게이트 길이, $V_D$, $V_G$의 변화에 따른 저주파 노이즈특성을 측정하였다. Si 기판위에 성장한 $Si_{0.88}Ge_{0.12}$으로 제작된 SiGe p-MOSFET의 채널은 게이트 산화막과 20nm 정도의 Si Spacer 층으로 분리되어 있다. 게이트 산화막은 열산화에 의해 70$\AA$으로 성장되었고, 게이트 폭은 $25{\mu}m$, 게이트와 소스/드레인 사이의 거리는 2.5때로 제작되었다. 제작된 SiGe p-MOSFET은 빠른 동작 특성, 선형성, 저주파 노이즈 특성이 우수하였다. 제작된 SiGe p-MOSFET의 ESD 에 대한 소자의 신뢰성과 내성을 연구하기 위하여 SiGe P-MOSFET에 ESD를 lkV에서 8kV까지 lkV 간격으로 가한 후, SiGe P-MOSFET의 I-V 특성과 게이트 길이, $V_D$, $V_G$의 변화에 따른 저주파 노이즈특성 변화를 분석 비교하였다.

• 대한환경공학회지
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• 제30권6호
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• pp.621-627
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• 2008

본 연구에서는 물속 As(III)와 As(V)의 종 규명분석에 필요한 HPLC와 DRC-ICP-MS의 최적조건을 설정하고, 이를 이용하여 한강 팔당수계 10개 지류 천으로부터 채취한 시료중의 As(III)와 As(V)를 분석 검토하였다. 종 분리를 위한 HPLC의 이동상으로는 10 mM ammonium nitrate와 10 mM ammonium phosphate monobasic을 사용하였으며, flushing solvent로는 5% v/v 메탄올을 사용하였다. 검출기는 DRC-ICP-MS를, 반응기체는 산소를 사용하였다. 최적 분석조건을 설정하기 위하여 이동상의 pH, 유량 및 시료 주입량과 DRC의 산소 유량을 달리하여 검토한 결과, 이동상의 pH는 9.4, 유량은 1.5 mL/min, 시료 주입량은 100 $\mu$L, 산소의 유량은 0.5 mL/min이었을 때 가장 좋은 분석조건으로 나타났다. 검정곡선은 As(III)와 As(V)에 대해 모두 r$^2$ = 0.998 이상의 선형성을 나타냈으며, As(III)의 검출한계는 0.10 $\mu$g/L, 정확도(RSD)는 4.3%, 회수율은 95.2%, As(V)의 검출한계는 0.08 $\mu$g/L, 정확도(RSD)는 3.6%, 회수율은 96.4%로 나타났다. 분석시간은 4분이었다. 설정된 파라미터를 적용하여 한강 팔당수계 유입 10개 지류 천에서 채수한 시료를 분석한 결과, As(III)는 0.10$\sim$0.22 $\mu$g/L, As(V)는 0.44$\sim$1.19 $\mu$g/L의 범위로 나타났으며, 총 비소의 93.5%가 As(V)의 형태인 것을 확인할 수 있었다.