한국정보통신학회논문지 (Journal of the Korea Institute of Information and Communication Engineering)

  • 제7권3호
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  • Pages.474-477
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  • 2003
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  • 2234-4772(pISSN)
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  • 2288-4165(eISSN)
한국정보통신학회 (The Korea Institute of Information and Commucation Engineering)
권호 표지

초고주파용 SiGe pMOSFET에 대한 전기적 특성 분석

Electrical characteristics analysis of SiGe pMOSFET for High frequency

  • 정학기 (군산대학교 전자정보공학부) ;
  • 고석웅 (군산대학교 전자정보공학부)
  • 발행 : 2003.06.01
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초록

본 논문에서는 p형 SiGe pMOSFET를 디자인하고 온도에 따른 전기적 특성들을 분석하였다. 채널길이는 0.9$\mu\textrm{m}$로 하였으며, 온도는 300K와 77K일 때의 특성을 조사하였다. 게이트 전압이 -1.5V로 인가되었을 때, 실온에서는 -0.97V의 문턱전압 값을 얻었으나 77K에서는 -1.15V의 문턱전압 값을 얻었다. 이것은 실온에서의 Si pMOSFET가 갖는 문턱전압 값(-1.36V)보다 동작특성이 우수함을 알 수 있었다.

In this paper, we have designed the p-type SiGe MOSFET and analyzed the electrical characteristics over the temperature range or 300K and 77K. When the gate voltage is biased to -1.5V, the threshold voltage values are -0.97V and -1.15V at room temperature and 77K, respectively. We know that the operating characteristics of SiGe MOSFET is superior to the basic Si MOSFET which the threshold voltage is -1.36V.

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참고문헌

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