• JSTS:Journal of Semiconductor Technology and Science
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• 제9권4호
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• pp.240-248
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• 2009

Moore's law has driven silicon technology scale down aggressively, and it results in significant increase of leakage current on nano-meter scale CMOS. Especially, in mobile devices, leakage current has been one of designers' main concerns, and thus many studies have introduced low power methodologies. However, there are few studies to minimize implementation cost in the mixed use of the methodologies to the best of our knowledge. In this paper, we introduce industrial applications of low power design methodologies for the decrease of leakage current. We focus on the design cost reduction of power gating and reverse body bias when used together. Also, we present voltage scale as an alternative to reverse body bias. To sustain gate leakage current, we discuss the adoption of high-$\kappa$ metal gate, which cuts gate leakage current by a factor of 10 in 32 nm CMOS technology. A 45 nm mobile SoC is shown as the case study of the mixed use of low power methodologies.

• 한국항행학회논문지
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• 제20권6호
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• pp.631-637
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• 2016

CMOS (complementary metal-oxide-semiconductor)의 소형화에 대한 한계를 극복할 수 있는 대체 기술 중 하나인 양자 셀룰라 오토마타 (QCA; quantum cellular automata)는 나노 단위의 셀들로 이루어져 있고, 전력의 소모량이 매우 적은 것이 특징이다. QCA를 이용한 다양한 회로들이 연구되고 있고, 그 중에서 XOR (exclusive-OR)게이트는 오류 검사 및 복구에 유용하게 사용되고 있다. 기존의 XOR 논리 게이트는 확장성이 부족하고, 클럭 구간의 수가 많이 소요되며, 실제 구현에 어려움이 있는 경우가 많다. 이러한 단점을 극복하기 위해 클럭 구간의 수를 단축한 다수결 게이트를 이용한 XOR 논리 게이트를 제안한다. 제안한 회로는 기존의 XOR 논리 게이트들과 비교 분석하고 그 성능을 검증한다.

• 전자공학회논문지
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• 제50권11호
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• pp.117-123
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• 2013

비터비 디코더(Viterbi decoder)용 임베디드 SRAM은 범용(General purpose) CPU에 쓰이는 SRAM과 달리 읽기, 쓰기 동작이 비터비 복호 알고리즘에 따라 일정한 액세스 패턴을 갖고 동작한다. 이 연구를 통하여 제안된 임베디드 SRAM의 구조는 이러한 메모리 동작의 패턴에 최적화되어 워드라인과 비트라인에서 발생하는 불필요한 전력소모를 제거함으로써 쓰기 동작의 소모 전력을 크게 줄일 수 있다. 65nm CMOS 공정으로 설계된 비터비 디코더는 본 논문에서 제안된 SRAM 구조를 이용하여 기존의 임베디드 SRAM 대비 8.92%만큼 면적증가로 30.84% 소모 전력 감소를 이룩할 수 있었다.

• 전자공학회논문지SC
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• 제47권1호
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• pp.29-34
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• 2010

본 논문에서는 새로운 패리티 보존형 가역 논리게이트를 제안한다. 패리티 보존형 가역 논리게이트는 입력 값과 출력 값의 패리티가 같은 가역 논리게이트를 의미한다. 최근 가역 논리 게이트가 저전력 CMOS 디자인, 양자 컴퓨팅 그리고 나노 테크놀로지와 같은 분야에서 전력을 효율적으로 사용하는 방법임을 알려졌다. 그리고 패리티 체크(parity-checking)는 디지털 시스템에서 오류 주입을 확인 하는 대표적인 방법 중 하나이다. 제안하는 새로운 패리티 보존형 가역 논리게이트는 모든 boolean 함수를 구성할 수 있고, 기존의 오류 확인 boolean 함수보다 가역 논리게이트 수, garbage-output의 수 그리고 하드웨어 연산량에서 효율적으로 구성할 수 있다.

• 한국산업융합학회 논문집
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• 제24권5호
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• pp.635-639
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• 2021

As times goes by, a ton of electric devices have been developing. Nowadays, there are many personal electric goods that are connected each other and have important private information such as identification, account number, passwords, and so on. As many people own at least one electric device, security of the electric devices became significant. To prevent leakage of the information, study of Chaotic TRNG, "Chaotic True Random Number Generator", protecting the information by generating random numbers that are not able to be expected, is essential. In this paper, A chaotic TRNG is introduced is simulated. The proposed Chaotic TRNG is simulated with Virtuoso &, a circuit design program of Cadence that is a software company. For simulating the mentioned Chaotic TRNG, setting values, 0V low and 3V high on Vpulse, 1.2V on V-ref, 3.3V on VDD, and 0V on VSS, are used.

• 한국광학회지
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• 제23권3호
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• pp.97-102
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• 2012

일반적으로 왜곡을 측정하는 방법으로 패턴의 전체 이미지를 분석하여 왜곡을 평가하는 방법을 이용하고 있으나 정확도가 높지 않아 카메라 등의 광학계에 많이 적용되고 있다. 1um이하의 정확도를 요구하는 왜곡수차를 측정하는 방법으로는 고가의 정밀 스테이지를 이용하여 마스크의 이미지 위치를 정확히 측정하는 방법이 주로 이용된다. 본 논문에서는 정확도가 요구되지 않는 매뉴얼 스테이지를 이용하여 왜곡을 정확히 측정하는 방법을 연구 하였다. 주요 아이디어로는 CCD나 CMOS를 이용하여 마스크 이미지를 일부 중첩되도록 분할측정하고 인접중첩영역의 이미지를 통합하여 마스크 이미지 위치를 정확히 계산하는 것이다. 마스크 이미지의 정확한 위치정보를 얻기 위해 Canny Edge Detection 기법을 사용하였으며 이렇게 확보된 위치정보로부터 좌표변환과 최소자승법을 사용하여 정확한 왜곡수차를 계산하는 과정을 연구하였다.

• 한국산업융합학회 논문집
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• 제21권6호
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• pp.265-271
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• 2018

DC-DC buck converter is a critical building block in the power management integrated circuit (PMIC) architecture for the portable devices such as cellular phone, personal digital assistance (PDA) because of its power efficiency over a wide range of conversion ratio. To ensure a safe operation, avoid unexpected damages and enhance the reliability of the converter, fully-integrated protection circuits such as over voltage protection (OVP), under voltage lock out (UVLO), startup, and thermal shutdown (TSD) blocks are designed. In this paper, these three fully-integrated protection circuit blocks are proposed for use in the DC-DC buck converter. The buck converter with proposed protection blocks is operated with a switching frequency of 1 MHz in continuous conduction mode (CCM). In order to verify the proposed scheme, the buck converter has been designed using a 180 nm CMOS technology. The UVLO circuit is designed to track the input voltage and turns on/off the buck converter when the input voltage is higher/lower than 2.6 V, respectively. The OVP circuit blocks the buck converter's operation when the input voltage is over 3.3 V, thereby preventing the destruction of the devices inside the controller IC. The TSD circuit shuts down the converter's operation when the temperature is over $85^{\circ}C$. In order to verify the proposed scheme, these protection circuits were firstly verified through the simulation in SPICE. The proposed protection circuits were then fabricated and the measured results showed a good matching with the simulation results.

• 전자공학회논문지 IE
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• 제49권1호
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• pp.18-23
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• 2012

본 논문에서 소형 휴대기기용 DC-DC 변환기를 위한 전압보호회로를 설계 하였다. 제안하는 전압보호회는 저전압 보호회로(UVLO)와 고전압 보호회로(OVP) 로 구성되며, 비교기와 바이어스 회로를 사용하여 구현하였다. XFAB $1{\mu}m$ CMOS 공정을 SPICE 모의실험을 통하여 특성 확인을 하였다. 모의실험 결과, 저전압 보호회로(UVLO)는 입력 전압이 4.8 V 이상이 되면 턴-온 되며, 4.2 V 이하가 되면 턴-오프가 되어 저전압의 입력전압이 인가될 때 회로의 오작동을 막을 수 있다. 고전압 보호회로(OVP)는 기준전압 3.8V 이상의 출력전압이 발생하였을 때 회로를 차단하여 소자의 파괴를 막아 안정성과 신뢰성을 높일 수 있다. 또 가상의 DC-DC 변환기 제어회로에 연결한 결과 전압의 이상에 따른 전압보호회로의 동작여부를 확인하였다. 본 논문에서 제안하는 전압보호회로는 DC-DC 변환기의 보호회로 셀로 유용하게 사용 될 것으로 사료된다.

• 대한전자공학회:학술대회논문집
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• 대한전자공학회 2005년도 추계종합학술대회
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• pp.607-610
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• 2005

In this paper, Ni Germanosilicide using Ni-Ta/Co/TiN is proposed to improve thermal stability. The sheet resistance of Ni Germanosilicide utilizing pure Ni increased dramatically after the post-silicidation annealing at $600^{\circ}C$ for 30min. However, using the proposed Ni-Ta/Co/TiN structure, low temperature silicidation and wide range of RTP process window were achieved.

• 한국산학기술학회논문지
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• 제13권9호
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• pp.4159-4164
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• 2012

본 논문에서는 암호통신을 위한 전압 제어형 카오스 신호 발생회로를 설계하였다. 제안하는 회로는 3개의 MOS 소자로 이루어지는 비선형 함수 블록과 소스 팔로워를 버퍼로 하는 이산형 카오스 신호 발생회로로, 비겹침 2상 클럭으로 구동되며, 2개의 제어전압 단자를 가진다. 제안된 회로는 SPICE 모의실험을 통하여 시간특성, 주파수특성 및 분기도 등의 여러 가지 카오스 다이내믹스가 생성됨을 확인하였다.