• 한국정보통신학회:학술대회논문집
• /
• 한국해양정보통신학회 2010년도 추계학술대회
• /
• pp.715-717
• /
• 2010

본 연구에서는 MicroTec4.0을 이용하여 더블게이트 MOSFET의 문턱전압이하특성을 채널도핑농도의 변화에 따라 분석하였다. DGMOSFET는 구조상 단채널효과를 감소시킬 수 있다는 장점 때문에 많은 연구가 진행중에 있다. 이에 DGMOSFET에서 단채널효과로서 잘 알여진 문턱전압이하 스윙 및 문턱전압 등을 반도체소자 시뮬레이이터인 MicroTec을 이용하여 분석하고자 한다. 나노소자인 DGMOSFET의 구조적 특성도 함께 고찰하기 위하여 채널의 두께, 길이, 폭 등 크기요소에 따라 분석하였다. 본 논문에서 사용한 MicroTec 프로그램은 여러 논문에서 수치해석학적 값과 비교하여 그 타당성이 입증되었으므로 이 모델을 이용하여 DGMOSFET의 문턱전압이하특성을 분석하였다.

• 한국정보통신학회:학술대회논문집
• /
• 한국해양정보통신학회 2001년도 춘계종합학술대회
• /
• pp.321-324
• /
• 2001

MOSFET는 전력감소, 도핑농도 증가, 캐리어 속도 증가를 위해서 많은 변화를 가져왔다. 이러한 변화를 받아들이기 위해서, 채널의 길이와 공급전압이 감소해야만했으며, 그것으로 인해 소자가 더욱 작아지게 되었다. 본 논문에서는 이러한 변화를 두 가지의 시뮬레이터를 사용하여 비교 분석하였다. 사용되어진 시뮬레이터는 Micro-Tec과 ISE-TCAD이며, 본 논문에서 LDD(lightly-doped drain) MOSFET에 관하여 시뮬레이션 하였다. 게이트 길이는 180nm를 기준으로 MOSFET의 특성과 전계를 비교 분석하였다.

• 한국정보통신학회:학술대회논문집
• /
• 한국해양정보통신학회 2008년도 추계종합학술대회 B
• /
• pp.596-599
• /
• 2008

본 연구에서는 MicroTec을 이용하여 MOSFET 전송 특성을 분석하였다. MicroTec의 Semsim은 디바이스 시뮬레이터로써 입력 바이어스에 의해 공정 시뮬레이션인 SiDif와 디바이스 조립인 MergIC에 의해 소자를 시뮬레이션 한다. 소자에 대한 스케일링은 정전압 스케일링을 사용하였고, 채널의 길이는 100nm, 50nm, 25nm로 변화하면서 비교 분석하였다. MicroTec의 이동도 모델중 Lombardi, Constant, Yamaguchi 모델을 선택하여 이동도 모델을 비교하였다. 전류-전압 특성 곡선을 비교하였을때 Lombardi 모델과 Yamaguchi 모델보다 Constant 모델에서 결과값이 높게 나타는 것을 알 수 있었다. 또한 MicroTec의 유용성을 조사하여 시뮬레이터로서 적합함과 나노구조 소자의 스케일링 이론의 적합함을 보았다.

• 한국정보통신학회논문지
• /
• 제6권1호
• /
• pp.103-108
• /
• 2002

MOSFET는 전력감소, 도핑농도 증가, 캐리어 속도 증가를 위해서 많은 변화를 가져왔다. 이러한 변화를 받아들이기 위해서, 채널의 길이와 공급전압이 감소해야만하며, 그것으로 인해 소자가 더욱 작아지게 되었다. 현존하고 있는 시뮬레이션 프로그램은 많은 기술자와 과학자들에 의해 개발되어졌다. 본 논문에서는 상용화되어지고 있는 두 가지 시뮬레이터인 Micro-tec과 ISE-TCAD을 사용하여 나노 구조 소자를 시뮬레이션하여 비교하였다. 소자의 게이트 길이(Lg)는 180nm를 사용하였다. 두 시뮬레이터를 사용하여 MOSFET의 특성과 I-V 곡선 및 전계에 대해서 비교 분석하였다.

• 대한기계학회:학술대회논문집
• /
• 대한기계학회 2007년도 춘계학술대회A
• /
• pp.1459-1462
• /
• 2007

In general a thermoelectric cooler (TEC) consists of a series of P type and N type thermoelectric materials sandwiched between two wafers. When a DC current passes through these materials, three different effects take place; Peltier effect, Joule heating effect and heat transfer by conduction due to temperature difference between hot and cold plates. In this study we have developed a micro TEC using $Bi_2Te_3$ (N type) and $Bi_{0.5}Sb_{1.5}Te_3$ (P type) thin films. In order to improve that performance of a micro TEC, we made 10 um height TE legs using special PR only for lift-off. We measured COP (coefficient of performance) and temperature difference between hot and cold connectors with current.

• 한국정보통신학회:학술대회논문집
• /
• 한국해양정보통신학회 2008년도 춘계종합학술대회 A
• /
• pp.730-733
• /
• 2008

본 연구에서는 MicroTec을 이용하여 MOSFET IV특성곡선을 분석하였다. 일반적으로 MOSFET은 4단자로 구성되며, 금속-산화물-반도체부분(또는 MOS커패시터 부분)이 트랜지스터의 핵심을 이루고 있다. MicroTec을 사용하여 Process한 모델을 바탕으로 MOSFET의 IV특성곡선을 분석하기 위해서 각각의 Directive와 Subdirective에 파라미터값을 지정하고 파라미터값의 변화에 따라 IV특성 곡선의 변화를 분석하였다. 드레인전류와 게이트 소스전압, 드레인 소스 전압 사이의 관계를 수학적으로 유도할 것이다. 전류-전압 관계에서 나타나는 2개의 특성변수는 소스와 드레인 사이의 거리인 채널의 길이와 폭이다.

• 한국정보통신학회논문지
• /
• 제13권6호
• /
• pp.1045-1050
• /
• 2009

본 연구에서는 MicroTec을 이용하여 태양전지의 전류-전압 특성곡선을 분석하였다. 전류-전압 특성곡선은 태양전지의 효율을 나타낸다. 전극이 직접 접촉하는 부분에 고농도 도핑을 하고 전극이 없는 부분에 저농도 도핑으로 전면을 처리한다. 도핑 농도를 $10^{14}cm^{-3}$에서 $10^{17}cm^{-3}$까지 변화시켜 도핑 농도에 따른 전류전압특성을 조사하였다. 또한 태양전지의 최대효율을 얻을 수 있는 도핑 농도를 결정하여 이의 전류-전압특성곡선을 비교 분석 하고자한다.

• 한국정보통신학회:학술대회논문집
• /
• 한국해양정보통신학회 2008년도 추계종합학술대회 B
• /
• pp.588-591
• /
• 2008

본 연구에서는 MicroTec을 이용하여 25nm LDD MOSFET Process를 구현하였다. LDD MOSFET의 저농도 도핑은 드레인의 끝에서 발생할 수 있는 핫 캐리어 효과를 감소시키는데 도움을 주며, 낮은 접합깊이는 DIBL 효과 및 전하공유와 같은 단채널효과를 감소시키는 중요한 역할을 한다. MicroTec 툴의 Sidif를 사용하여 25nm LDD MOSFET process를 설계하였고, 시뮬레이션 하는 과정과 방법을 설명하였다. 이온주입 양과 에너지의 크기를 증가하면서 전체도핑농도를 비교 분석하였다. 이온주입 양을 증가시키고 에너지의 크기가 커지면 더 강한 에너지가 가해지게되므로 높게 도핑되는 영역이 확장되고 전체 농도분포도 역시 확장되는걸 알 수 있었다.

• 제어로봇시스템학회:학술대회논문집
• /
• 제어로봇시스템학회 2005년도 ICCAS
• /
• pp.139-144
• /
• 2005

A rigorous research is underway in our team, for the design and development of high figure of merits (ZT= 1.5${\sim}$2.0) micro-thermoelectric coolers. This paper discusses the fabrication process that we are using for developing the $Sb_2Te_3-Bi_2Te_3$ micro-thermoelectric cooling modules. It describes how to obtain the mechanical properties of the thin film TEC elements and reports the results of an equation-based multiphysics modeling of the micro-TEC modules. In this study the thermoelectric thin films were deposited on Si substrates using co-sputtering method. The physical mechanical properties of the prepared films were measured by nanoindentation testing method while the thermal and electrical properties required for modeling were obtained from existing literature. A finite element model was developed using an equation-based multiphysics modeling by the commercial finite element code FEMLAB. The model was solved for different operating conditions. The temperature and the stress distributions in the P and N elements of the TEC as well as in the metal connector were obtained. The temperature distributions of the system obtained from simulation results showed good agreement with the analytical results existing in literature. In addition, it was found that the maximum stress in the system occurs at the bonding part of the TEC i.e. between the metal connectors and TE elements of the module.

• 한국정보통신학회:학술대회논문집
• /
• 한국해양정보통신학회 2010년도 춘계학술대회
• /
• pp.830-832
• /
• 2010

본 논문에서는 MicroTec을 이용하여 D-MOS(double-diffusion MOS) 트랜지스터의 접합깊이에 변화를 주어 그에 따른 전류-전압 특성 곡선을 분석하였다. D-MOS는 채널의 길이를 줄이고 높은 항복 전압을 얻기 위해 이중 확산 도핑을 하는 것을 특징으로 하며 연속적으로 확산 공정을 두 번 진행하여 채널 길이를 짧게 하고 이에 의해 고전압과 고전류를 인가할 수 있는 장점을 가진다. 본 연구에서는 D-MOS의 접합깊이에 변화를 주고 이에 따른 전류와 전압의 특성을 비교하여 분석하였다.