Proceedings of the Korean Institute of Information and Commucation Sciences Conference (한국정보통신학회:학술대회논문집)

The Korea Institute of Information and Commucation Engineering (한국정보통신학회)
권호 표지

Analysis of the MOSFET IV characteristic curve Process using MicroTec Tool

MicroTec을 이용한 MOSFET IV특성곡선 분석

  • Han, Ji-Hyung (School of Electronic and Information Eng., Kunsan National University) ;
  • Jung, Hak-Kee (School of Electronic and Information Eng., Kunsan National University) ;
  • Lee, Jae-Hyung (School of Electronic and Information Eng., Kunsan National University) ;
  • Jeong, Dong-Soo (School of Electronic and Information Eng., Kunsan National University) ;
  • Lee, Jong-In (School of Electronic and Information Eng., Kunsan National University) ;
  • Kwon, Oh-Shin (School of Electronic and Information Eng., Kunsan National University)
  • 한지형 (군산대학교 전자정보공학부) ;
  • 정학기 (군산대학교 전자정보공학부) ;
  • 이재형 (군산대학교 전자정보공학부) ;
  • 정동수 (군산대학교 전자정보공학부) ;
  • 이종인 (군산대학교 전자정보공학부) ;
  • 권오신 (군산대학교 전자정보공학부)
  • Published : 2008.05.30
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Abstract

본 연구에서는 MicroTec을 이용하여 MOSFET IV특성곡선을 분석하였다. 일반적으로 MOSFET은 4단자로 구성되며, 금속-산화물-반도체부분(또는 MOS커패시터 부분)이 트랜지스터의 핵심을 이루고 있다. MicroTec을 사용하여 Process한 모델을 바탕으로 MOSFET의 IV특성곡선을 분석하기 위해서 각각의 Directive와 Subdirective에 파라미터값을 지정하고 파라미터값의 변화에 따라 IV특성 곡선의 변화를 분석하였다. 드레인전류와 게이트 소스전압, 드레인 소스 전압 사이의 관계를 수학적으로 유도할 것이다. 전류-전압 관계에서 나타나는 2개의 특성변수는 소스와 드레인 사이의 거리인 채널의 길이와 폭이다.

Keywords