• 제목/요약/키워드: Memory Information

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A Memory-Efficient VLC Decoder Architecture for MPEG-2 Application

  • Lee, Seung-Joon;Suh, Ki-bum;Chong, Jong-wha
    • 대한전자공학회:학술대회논문집
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    • 대한전자공학회 1999년도 추계종합학술대회 논문집
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    • pp.360-363
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    • 1999
  • Video data compression is a major key technology in the field of multimedia applications. Variable-length coding is the most popular data compression technique which has been used in many data compression standards, such as JPEG, MPEG and image data compression standards, etc. In this paper, we present memory efficient VLC decoder architecture for MPEG-2 application which can achieve small memory space and higher throughput. To reduce the memory size, we propose a new grouping, remainder generation method and merged lookup table (LUT) for variable length decoders (VLD's). In the MPEG-2, the discrete cosine transform (DCT) coefficient table zero and one are mapped onto one memory whose space requirement has been minimized by using efficient memory mapping strategy The proposed memory size is only 256 words in spite of mapping two DCT coefficient tables.

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가상 구역에 따른 메모리 자가 치유에 대한 분석 알고리즘 (Analysis Algorithm for Memory BISR as Imagination Zone)

  • 박재흥;심은성;장훈
    • 대한전자공학회논문지SD
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    • 제46권12호
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    • pp.73-79
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    • 2009
  • 최근 VLSI 회로 직접도가 급속도로 증가함에 따라 하나의 시스템 칩에 고밀도와 고용량의 내장 메모리(Embedded Memory)가 구현되고 있다. 고장난 메모리를 여분 메모리(Spare Memory)로 재배치함으로써 메모리 수율 향상과 사용자에게 메모리를 투명하게 사용할 수 있도록 제공할 수 있다. 본 논문에서는 고장난 메모리 부분을 여분 메모리의 행과 열 메모리 사용으로 고장난 메모리를 고장이 없는 메모리처럼 사용할 수 있도록 여분 메모리 재배치 알고리즘인 MRI를 제안하고자 한다.

Hardware Platforms for Flash Memory/NVRAM Software Development

  • Nam, Eyee-Hyun;Choi, Ki-Seok;Choi, Jin-Yong;Min, Hang-Jun;Min, Sang-Lyul
    • Journal of Computing Science and Engineering
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    • 제3권3호
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    • pp.181-194
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    • 2009
  • Flash memory is increasingly being used in a wide range of storage applications because of its low power consumption, low access latency, small form factor, and high shock resistance. However, the current platforms for flash memory software development do not meet the ever-increasing requirements of flash memory applications. This paper presents three different hardware platforms for flash memory/NVRAM (non-volatile RAM) software development that overcome the limitations of the current platforms. The three platforms target different types of host system and provide various features that facilitate the development and verification of flash memory/NVRAM software. In this paper, we also demonstrate the usefulness of the three platforms by implementing three different types of storage system (one for each platform) based on them.

Simulation and Modelling of the Write/Erase Kinetics and the Retention Time of Single Electron Memory at Room Temperature

  • Boubaker, Aimen;Sghaier, Nabil;Souifi, Abdelkader;Kalboussi, Adel
    • JSTS:Journal of Semiconductor Technology and Science
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    • 제10권2호
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    • pp.143-151
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    • 2010
  • In this work, we propose a single electron memory 'SEM' design which consist of two key blocs: A memory bloc, with a voltage source $V_{Mem}$, a pure capacitor connected to a tunnel junction through a metallic memory node coupled to the second bloc which is a Single Electron Transistor "SET" through a coupling capacitance. The "SET" detects the potential variation of the memory node by the injection of electrons one by one in which the drainsource current is presented during the memory charge and discharge phases. We verify the design of the SET/SEM cell by the SIMON tool. Finally, we have developed a MAPLE code to predict the retention time and nonvolatility of various SEM structures with a wide operating temperature range.

전력증폭기의 비선형 특성과 Memory Effect를 보상하기 위한 Look-up Table 방식의 Digital Pre-distorter (Look-up Table type Digital Pre-distorter for Linearization Power Amplifier with Non-linearity and Memory Effect)

  • 최홍민;김왕래;유재우;안광은
    • 한국정보통신설비학회:학술대회논문집
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    • 한국정보통신설비학회 2008년도 정보통신설비 학술대회
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    • pp.218-222
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    • 2008
  • RF power amplifier requires linearization in order to reduce adjacent channel interference. And most of the existing linearization algorithms assume that a PA has memory-less nonlinearity. But for the wider bandwidth signal, the memory effect of PA cannot be ignored. This paper investigates digital pre-distortion by use of a memory polynomial model which compensates for amplifier nonlinearity and memory effect. The look-up table based implementation scheme is used to reduce the computational complexity of the pre-distortion block. The linearization performance is demonstrated on wideband CDMA signal and class AB high power amplifier.

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LFM 기법을 이용한 플래시 메모리 스와핑 파일 시스템 설계 (A Design of a Flash Memory Swapping File System using LFM)

  • 한대만;구용완
    • 인터넷정보학회논문지
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    • 제6권4호
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    • pp.47-58
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    • 2005
  • 플래시 메모리는 NOR 형과 NAND 형의 플래시 메모리 형태로 구분 할 수 있다. NOR 형태의 플래시 메모리는 빠른 읽기 속도와 Byte I/O 형태를 지원하기 때문에 ROM BIOS 와 같은 코드저장용으로 개발되어 진다. NAND 형태의 플래시 메모리는 NOR 형태의 플래시 메모리 보다 값이 싸고 임베디드 리눅스 시스템의 대용량 처리 장치 등에서와 같이 폭 넓게 사용되고 있다. 본 논문에서는 NAND 형태의 플래시 메모리를 이용하여 시스템의 성능을 저하 시키는 Swapping을 감소시키고, 수행시간을 보장할 수 있는 플래시 메모리 Swapping 알고리즘을 제안하여, 임베디드 시스템을 기반으로 하는 파일시스템을 설계한다. 실험과 플래시 파일 시스템 구현을 통하여 임베디드 시스템에서 요구하는 NAND 형 플래시 파일 시스템의 성능을 개선한다.

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Page Replacement for Write References in NAND Flash Based Virtual Memory Systems

  • Lee, Hyejeong;Bahn, Hyokyung;Shin, Kang G.
    • Journal of Computing Science and Engineering
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    • 제8권3호
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    • pp.157-172
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    • 2014
  • Contemporary embedded systems often use NAND flash memory instead of hard disks as their swap space of virtual memory. Since the read/write characteristics of NAND flash memory are very different from those of hard disks, an efficient page replacement algorithm is needed for this environment. Our analysis shows that temporal locality is dominant in virtual memory references but that is not the case for write references, when the read and write references are monitored separately. Based on this observation, we present a new page replacement algorithm that uses different strategies for read and write operations in predicting the re-reference likelihood of pages. For read operations, only temporal locality is used; but for write operations, both write frequency and temporal locality are used. The algorithm logically partitions the memory space into read and write areas to keep track of their reference patterns precisely, and then dynamically adjusts their size based on their reference patterns and I/O costs. Without requiring any external parameter to tune, the proposed algorithm outperforms CLOCK, CAR, and CFLRU by 20%-66%. It also supports optimized implementations for virtual memory systems.

IEEE 1149.1을 이용한 March 알고리듬의 내장형 자체 테스트 구현 (Implementation of March Algorithm for Embedded Memory Test using IEEE 1149.1)

  • 양선웅;박재흥;장훈
    • 한국정보과학회논문지:컴퓨팅의 실제 및 레터
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    • 제7권1호
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    • pp.99-107
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    • 2001
  • 본 논문에서는 내장 메모리 테스트를 위해 메모리 테스트 알고리즘인 10N March 테스트 알고리즘을 회로로 구현하였으며, 구현된 내장 메모리 BIST 회로를 제어하기 위해 IEEE 1149.1 표준안을 회로로 구현하였다. 구현된 내장 메모리 테스트 회로는 워드 단위의 메모리를 위한 변경 데이터를 이용함으로써 워드 단위 메모리의 고착 고장, 천이 고장, 결합 고장을 완전히 검출할 수 있다. 구현된 회로는 Verilog-HIDL을 이용하여 구현하였으며, Synopsys에서 합성하였다. 합성된 메모리 테스트 회로와 IEEE 1149.1 회로의 검증은 메모리 컴파일러에 의해 생성된 메모리 셀과 VerilogXL을 이용하여 수행하였다.

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대용량 메모리 데이타 처리를 위한 범용 하드웨어 기반의 원격 메모리 시스템 (Large-Memory Data Processing on a Remote Memory System using Commodity Hardware)

  • 정형수;한혁;염헌영
    • 한국정보과학회논문지:시스템및이론
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    • 제34권9호
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    • pp.445-458
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    • 2007
  • 본 논문에서는 대용량 메모리 데이타 처리를 위한 범용 하드웨어 기반의 원격 메모리 시스템을 제안한다. 느린 디스크와 상대적으로 대단히 빠른 접근 속도를 보장하는 메모리 사이에 존재하게 되는 새로운 메모리 계층을 구현하기 위해, 본 논문에서는 다수의 일반적인 범용 데스크탑 PC들과 원격 직접메모리 접근 (이하 RDMA) 기능이 가능한 고속 네트워크를 최대한 활용하였다. 제안된 새로운 계층의 메모리는 합리적인 응답시간과 용량을 제공함으로서 비교적 적은 양의 성능 부담으로서 대용량의 메모리 상주 데이타베이스를 구동할 수 있게 되었다. 제안된 원격 메모리 시스템은 원격 메모리 페이지들을 관리하게 되는 원격 메모리 시스템과, 원격 메모리 페이지의 교체를 관리하게 되는 원격 메모리 페이저로 구성되어 있다. 범용으로 쓰이는 MySQL과 같은 데이타베이스를 이용한 TPC-C 실험 결과로 볼 때 제안된 원격 메모리 시스템은 일반적인 대용량 메모리 데이타 처리 시스템에서 요구하는 다양한 요구조건을 만족시킬 수 있을 것이라 생각된다.

NAND 플래시 메모리에서 디지털 포렌식을 위한 파일 복구기법 (A File Recovery Technique for Digital Forensics on NAND Flash Memory)

  • 신명섭;박동주
    • 한국정보과학회논문지:데이타베이스
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    • 제37권6호
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    • pp.292-299
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    • 2010
  • 최근 플래시 메모리가 디지털 기기의 저장장치로 널리 사용됨에 따라 플래시 메모리에서 디지털 증거를 분석하기 위한 디지털 포렌식의 필요성이 증가하고 있다. 이를 위해 플래시 메모리에 저장되어 있는 파일을 효율적으로 복구하는 것이 매우 중요하다. 그러나 기존의 하드 디스크 기반 파일 복구 기법을 플래시 메모리에 그대로 적용하기에는 너무나 비효율적이다. 덮어쓰기 불가능과 같이 플래시 메모리는 하드 디스크와 전혀 다른 특성을 가지기 때문이다. 본 논문에서 디지털 포렌식을 지원하기 위한 플래시 메모리를 잘 이해하는 파일 복구 기법을 제안한다. 첫째, 플래시 메모리 저장장치로부터 복구 가능한 모든 파일들을 효과적으로 검색하는 방법을 제안한다. 이것은 플래시 메모리의 쓰기 연산을 담당하는 FTL(Flash Translation Layer)의 메타데이터를 최대한 활용한다. 둘째, 복구 대상 파일들 중에서 특정 파일을 효율적으로 복구할 수 있는 기법을 제안하며, 이를 위해 FTL의 사상 테이블의 위치 정보를 이용한다. 다양한 실험을 통해 본 논문에 제안하는 기법이 기존의 하드 디스크 기반 파일 복구 기법보다 우수함을 보인다.