In this paper some attempts have been made: (a) To identify all the elementary minor concepts of the Highest Common Factor (H.C.F.) and the Lowest Common Multiple (L.C.M.), and (b) To find the sequential order of these elementary concepts. Total 385 elementary minor concepts have been identified and sequenced.
We show that if a connected Stein manifold M of dimension n has the holomorphic automorphism group Aut(M) isomorphic to $Aut(C^k {\times}(C^*)^{n - k})$ as topological groups, then M itself is biholomorphically equivalent to C^k{\times}(C^*)^{n - k}$. Besides, a new approach to the study of U(n)-actions on complex manifolds of dimension n is given.
완도납석과 carbon black 의 혼합물을 135$0^{\circ}C$에서 질소분위기를 사용하여 탄소환원질화법으로 $\beta$-Sialon 분물에 $\beta$-SiC를 제2상으로 넣어서 $Y_2O_3$와 $ZrO_2$를 각 소결조제로 사용하여 175$0^{\circ}C$에서 2시간 동안 상압소결하였다. 10wt %의 $Y_2O_3$를 소결조제로 사용하였을 때에 파괴인성은 3.8MN/m^{3/2}$, 3점꺽임 강도는 470MN/$m^2$ 그리고 경도는 13.7MN/$m^2$로서 좋은 값을 나타내었다. 이와 같은 파괴인성과 꺽임강도의 증가는 균열편향과 균열나눠짐에 의한 것으로 생각된다.
해수에서 납 산화피막전극들의 특성과 DBNA의 음극반응성을 조사하기 위해 constant current-poten-tial 방법으로 실현하여 다음과 같은 결론을 얻었다. 1). 대체로 인산 수용액에서 만들어진 산화피막전극에 의한 양성자의 제1단계 환원반응은 DBNA에 의하여 크게 억제되었다. 그러나 $30^{\circ}C$, 0.5M NaCl 수용액과 $6\%_{\circ}$해수에서 DBNA의 첨가 유무에는 관계없이 제2단계의 환원반응이 일어났다. 2). 0.5M NaCl수용액에 DBNA를 첨가했을 때 수산 수용액에서 만들어진 산화피막에 의한 음극반응은 일어나지 않았다. 이 현상은 억제제 DBNA가 수산에서 만들어진 산화피막과 결합하여 완전 절연체를 형성하였기 때문이다. 3). 0.5M NaCl수용액과 $6\%_{\circ}$해수에 DBNA를 첨가하여 인산수용액에서 만들어진 산화피막전극으로 음극반응을 시키면 $(\partial\triangle\;E_{H^+}/\partial T)_{i=const}$의 값은 가가$-0.006\;V/^{\circ}C$와 $-0.005\;V/^{\circ}C$로서 거의 같았지만, $(\partial E_o/\partial T)_{i=o}$의 값은 각각 $0.002\;V/^{\circ}C$와 $-0.002\;V/^{\circ}C$로서 대조적인 현상을 나타내었다. 4). 일련의 관계식을 유도하여 몇 가지 상수 및 열역학적 값을 구하였든 바, 0.5M NaCl 수용액, $6\%_{\circ}$해수 및 $6\%_{\circ}$해수에 60mM DBNA를 첨가한 수용액에서 산화피막전극에 의한 양성자의 환원 반응성을 설명한 수 있었다.
피조개 D형 유생을 냉동보존하기 위한 적절한 첨가제 종류와 농도 및 동해방지제로 적용한 ethylene glycol 농도에 대한 냉동보존 효과실험을 실시하였다. 유생을 0$^{\circ}C$로 설정된 프로그램 냉동기로 옮겨 -1$^{\circ}C$/분의 냉동율로 -12$^{\circ}C$까지 냉동한 후 10분 동안 유지한 상태에서 식빙하고 -35$^{\circ}C$까지 재냉동한 다음, 즉시 액체질소통에 저장하였다. 1.0 M과 2.0 M ethylene glycol을 동해방지제로 사용하여 첨가제별로 D형 유생을 냉동한 결과, 0.5 M sucrose에서 생존율이 각각 50.5 ${\pm}$ 1.3%, 51.9 ${\pm}$ 1.7%로 가장 좋았다. 0.5 M sucrose를 첨가한 ethylene glycol의 농도별 냉동에서는 2.0 M이 생존율 51.9 ${\pm}$ 1.7%로 가장 높았다. 주사 및 투과전자현미경을 이용하여 유생을 관찰한 결과, 냉동 전, 후 유생의 외부형태 및 세포내 구조의 차이가 인정되지 않았다.
이천온천원보호지구에는 9개의 온천공이 개발되어 있다. MRD-2 온천공이 996 m 심도까지 추가 굴착되기 이전의 온천공들의 굴착 심도는 166-294 m 범위였으며, 지하수면은 지표로부터 약 50m 정도 하부에 위치하였다. 이들 온천공에서 지표 온도와 공저온도를 이용한 연구지역의 지온경사는 최고 $64^{\circ}C/km$ (SB-2 온천공), 최저 $45^{\circ}C/km$ (SB-1 온천공), 평균 $54.28^{\circ}C/km$로 산정되었다. 그러나 심부까지 추가 굴착된 MRD-2 온천공을 관찰한 결과, 연구지역은 지표로부터 720 m 심도 이내 범위의 암반 균열계에 의해 매우 심한 열적 교란상태를 겪고 있는 것으로 나타났다. 이에 반하여, 심도 720 m 이하의 심부지역에서는 지하수의 유동이 존재하지 않는 것으로 관찰되었다. 따라서 연구지역의 지온경사는 열적으로 안정된 720 m 이하의 심도 구간 자료를 이용하여 $33^{\circ}C/km$로 재산정 되었으며, 이 값이 연구지역인 이천온천원지구에서의 합리적인 지온경사로 해석된다. 양수시험시 측정된 용출온도 $36^{\circ}C$는 지표하 720 m 심도에서의 온도 검층 결과와 일치되어 이 지점이 지하수 유동 및 열적 교란의 하부 경계가 되고 있음을 뒷받침하고 있다.
배양온도, 먹이생물의 종류에 따라 rotifer 의 성장과 세포크기변화를 알아본 결과 다음과 같다. Large-type rotifer 의 최대세포수는 온도 $36^{\circ}C$, 먹이생물 $\omega$-yeast를 공급한 것에서 배양 7일후 1,420 ind./ml, small-type rotifer에서는 온도 $34^{\circ}C$, 먹이생물 $\omega$- yeast를 공급한 것에서 배양 7일후 1,669 ind./ml로 최고의 성장을 보였다. Rotifer의 크기변화에서는 large-type의 경우 온도 $34^{\circ}C$, 먹이생물 C. ellipsoidea를 공급한 실험구에서 $112.1\mu m$까지 감소되었다 (실험시작시 $202.0\mu m$. Small-type rotifer의 경우는 $320^{\circ}C$, $\omega$-yeast를 먹이로 공급한 것이 배양시작 5일후 $201.3\mu m$까지 증가되었다 (실험시작시 $157.0\mu m$. 크기의 변화가 큰 rotifer에 온도 변화를 다시 주었을 때 처음 실험 시작 때의 rotifer 크기로 회복되었다.
Sol-Gel법에 의해 흑연소지의 표면에 SiC막을 형성해 줌으로써 내산화성을 향상시키고자 하였다. 규소(Si) 및 탄소(C)의 근원물질로는 TEOS(Tetraethyl orthosilicate)와 phenol수지를 각각 사용하였으며, TEOS sol의 농도가 SiC막의 형성에 미치는 영향을 알아 보기 위해, $H_2O$/TEOS의 몰비를 2, 4, 6, 8 및 10으로 변화시켜 흑연소지에 SiC가 피복된 상태를 X-ray diffractometer와 SEM(scanning electron microscope)을 이용하여 분석한 결과, 약 5 ${\mu}m$, 12 ${\mu}m$, 7 ${\mu}m$, 7 ${\mu}m$ 및 2 ${\mu}m$의 SiC코팅층이 각각 형성되었음을 알 수 있다. 또, 내산화성을 알아보기 위해 $1600^{\circ}C$에서 코팅된 흑연소지를 다시 공기중에서 $1000^{\circ}C$의 온도하에서 1 시간 동안 열처리 해 준 후의 무게소실율을 조사한 결과, 각각 26.17%, 20.97%, 17.28%, 21.73% 및 28.13%로 나타났다.
The magnetron reactive ion etching (RIE) characteristics of polycrystalline (poly) 3C-SiC grown on $SiO_{2}$/Si substrate by APCVD were investigated. Poly 3C-SiC was etched by $CHF_{3}$ gas, which can form a polymer as a function of side wall protective layers, with additive $O_{2}$ and Ar gases. Especially, it was performed in magnetron RIE, which can etch SiC at a lower ion energy than a commercial RIE system. Stable etching was achieved at 70 W and the poly 3C-SiC was undamaged. The etch rate could be controlled from $20\;{\AA}/min$ to $400\;{\AA}/min$ by the manipulation of gas flow rates, chamber pressure, RF power, and electrode gap. The best vertical structure was improved by the addition of 40 % $O_{2}$ and 16 % Ar with the $CHF_{3}$ reactive gas. Therefore, poly 3C-SiC etched by magnetron RIE can expect to be applied to M/NEMS applications.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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