• 제목/요약/키워드: Intermodulation

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역위상 기법을 이용한 전력 증폭기 선형성 개선 (The Improvement of Linearity in Power Amplifier Using Anti Phase Intermodulation Distortion Linearization Technique)

  • 장정석;도지훈;강동진;김대웅;김대희;홍의석
    • 한국ITS학회 논문지
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    • 제7권2호
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    • pp.62-69
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    • 2008
  • 본 논문에서는 구동단의 IMD 특성과 최종단의 IMD 특성을 조절하여 선형성을 개선하는 방법에 대하여 제안을 하였다. WCDMA 4FA의 입력 신호를 사용하였을 때 평균 전력 50W에서 약 -48dBc@5MHz offset의 ACLR 특성을 얻었다. 제안된 역위상화 선형화 기법은 추가적인 선형회로 없이 구동 증폭단을 이용하여 전치왜곡 효과를 얻을 수 있었다. 이러한 점은 기존 analog predistortion 방식과 feedforward 방식의 단점을 보완하였음에 큰 의미를 가진다.

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공통 게이트 회로로 구성된 MESFET 전치왜곡 선형화기 (A Predistortion Linearizer which is composed of common-gate MESFET circuits)

  • 정성일;김한석;강정진;이종악
    • 전기전자학회논문지
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    • 제4권2호
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    • pp.241-248
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    • 2000
  • 채널간의 상호 변조에 의한 왜곡성분이 주로 전력 증폭기의 비선형성에 의해 발생하는 CDMA 시스템에서는 선형 전력 증폭기를 필요로 하게 된다. 본 논문에서는 평형 MESFET 전치 왜곡 선형화기가 추가된 새로운 형태의 선형화 방법을 제안하였다. 제안된 선형화기는 한국 PCS주파수 대역에서 30dBm A급 전력 증폭기에 연결하여 시뮬레이션하였으며 실험 결과를 통하여 1dB 압축점은 2dBm, 상호변조왜곡은 12.5dBc정도 개선됨을 보였다.

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Carrier Complex Power Series 해석을 통한 대전력 증폭기용 전치 왜곡기 설계 (A Design of High Power Amplifier Predistortor using Carrier Complex Power Series Analysis)

  • 윤상영;정용채
    • 한국전자파학회논문지
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    • 제12권5호
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    • pp.686-693
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    • 2001
  • 본 논문에서는 대전력 증폭기의 비선형 전달 특성을 나타내는 Carrier Complex Power Series를 유도하였고, 이 전달함수를 이용하여 대전력 증폭기를 선형화하기 위한 전치 왜곡기의 비선형 전달 특성을 유도하고 구현하였다. 측정 시료로 제작된 IMT-2000 기지국 송신 대역 대전력 증폭기의 이득은 34.6 dB이고 P$_{1dB}$가 35.4 dBm이다. Inverse Carrier Complex Power Series를 이용한 전치 왜곡기를 제작하고, 대전력 증폭기에 부착하여 주파수가 각각 2.1375 GHz와 2.1425 GHz($\Delta$f=5 MHz)인 2-tone 신호의 출력이 25.43 dBm/tone일 때 17 dB의 개선 특성을 얻었다.다.

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A Study on the Improvement of the Performance of Power Amplifiers by Deflected Ground Structure

  • Lim, Jong-Sik;Lee, Young-Taek;Han, Jae-Hee;Nam, Sang-wook;Park, Jun-Seok;Ahn, Dal;Kim, Byung-Sung
    • Journal of electromagnetic engineering and science
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    • 제1권2호
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    • pp.146-155
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    • 2001
  • This paper describes the improvement in performance of power amplifiers by Defected Ground Structure (DGS) for several operating classes. Due to its excellent capability of harmonic rejection, DGS plays a threat role in improving the main performance of power amplifiers such as output power, power added efficiency, harmonic rejection, and intermodulation distortion (IMD3). In order to verify the improvement in performance of power amplifiers by DGS, measured data for a 30 Watts power amplifier with and without DGS attached under several operating classes are illustrated and compared. The principle of the performance improvement is described with simple Volterra nonlinear transfer functions. Also, the measured performance far two cases, i.e. with and without DGS, and the quantities of improvement fur the various operating classes are compared and discussed.

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통신정보용 광대역 저잡음 증폭단 설계 및 구현 (Design and Fabrication of wideband low-noise amplification stage for COMINT)

  • 고민호
    • 한국전자통신학회논문지
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    • 제7권2호
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    • pp.221-226
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    • 2012
  • 본 논문에서는 광대역 (400 MHz~2000 MHz) 2단 증폭단을 설계, 제작 및 측정하였다. 제안한 증폭단은 새로운 구조의 이득제어 방식을 적용하여 고이득, 저잡음지수 및 높은 선형성 특성을 구현하였다. 증폭단은 공통 에미터 구조의 초단 증폭기 및 캐스코드 구조의 가변이득 증폭기. 입력신호의 크기를 감지하는 전력감지회로로 구성하였다. 제안한 증폭단은 설계 대역에서 전체이득 29 dB~37 dB, 잡음지수 1.5 dB을 나타내었고, 강전계 입력 조건에서 전력감지회로에서 발생되는 제어전압 2.0V인 조건에서 3차 상호변조 왜곡 신호의 크기는 측정 장비의 잡음레벨 보다 낮은 특성을 나타내어 높은 선형성 특성을 나타내었다.

Design of Next Generation Amplifiers Using Nanowire FETs

  • Hamedi-Hagh, Sotoudeh;Oh, Soo-Seok;Bindal, Ahmet;Park, Dae-Hee
    • Journal of Electrical Engineering and Technology
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    • 제3권4호
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    • pp.566-570
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    • 2008
  • Vertical nanowire SGFETs(Surrounding Gate Field Effect Transistors) provide full gate control over the channel to eliminate short channel effects. This paper presents design and characterization of a differential pair amplifier using NMOS and PMOS SGFETs with a 10nm channel length and a 2nm channel radius. The amplifier dissipates $5{\mu}W$ power and provides 5THz bandwidth with a voltage gain of 16, a linear output voltage swing of 0.5V, and a distortion better than 3% from a 1.8V power supply and a 20aF capacitive load. The 2nd and 3rd order harmonic distortions of the amplifier are -40dBm and -52dBm, respectively, and the 3rd order intermodulation is -24dBm for a two-tone input signal with 10mV amplitude and 10GHz frequency spacing. All these parameters indicate that vertical nanowire surrounding gate transistors are promising candidates for the next generation high speed analog and VLSI technologies.

디지털 마이크로파 수신기에서의 선형 증폭기와 ADC 접속 해석 (Analysis of the Linear Amplifier/ADC Interface in a Digital Microwave Receiver)

  • 이민혁;김성곤;최희주;변건식
    • 한국항행학회논문지
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    • 제3권1호
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    • pp.52-59
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    • 1999
  • 선형 증폭단, ADC 그리고 디지털 신호 처리기로 이루어진 디지털 광대역 마이크로파 수신기는 시스템의 감도와 동적 범위로 성능 평가를 해석할 수 있다. 시스템의 감도와 동적 범위는 시스템의 이득, 3차 상호변조적과 ADC 특성으로 결정되어지며 선형 증폭단의 설계 방법 또한 중요한 영향을 미친다. 그리고 수신기로 입력되는 두 신호의 주파수가 인접한 경우 디지털 신호 처리기는 두 신호를 분리할 수 있어야 한다. 본 논문에서는 증폭단의 이득을 변화시켜 동적 범위를 측정한 다음, 가장 적절한 감도와 동적 범위를 선택할 수 있는 이득 값을 결정하고, 인접한 두 신호의 분리를 위해 고해상도 스펙트럼 추정법을 사용하였다.

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공통 게이트 MESFET를 이용한 전치왜곡 선형화기 설계 (Design of Predistortion Linearizer using Common-Gate MESFET)

  • 주성남;박청룡;최조천;최충현;김갑기
    • 한국정보통신학회:학술대회논문집
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    • 한국해양정보통신학회 2003년도 추계종합학술대회
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    • pp.53-56
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    • 2003
  • 전력증폭기의 비선형성에 의해 채널간의 상호 변조 왜곡성분이 주로 발생하는 CDMA 시스템에서는 선형 전력증폭기가 요구된다. 본 논문에서는 평형 MESFET 전치왜곡 선형화기가 추가된 형태의 선형전력증폭기를 통한 선형화 방법을 제안하였다. 제안된 선형화기는 한국 PCS주파수 대역에서 G1dB가 12.1dB이고 P1dB가 30dBm인 A급 전력증폭기에 연결하여 시뮬레이션 하였다. 종단전력증폭기에 1850 MHz와 1851.23 MHz의 2-tone 신호를 인가한 결과 3차 혼변조가 약 22dB 개선되었다.

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확산 스펙트럼 위성 통신 시스템의 재밍간섭시의 성능 개선 (Performance Improvement of Spread Spectrum Satellite Communication System in the Presence of Jamming Interference)

  • 김기근;고재덕;유흥균
    • 한국전자파학회논문지
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    • 제9권2호
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    • pp.226-237
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    • 1998
  • 현재 위성통신 시스템에는 수동형 중계기가 많이 사용되고 있다. 이러한 수동형 중계기는 전체 위성통신 링크 시스템에서 재맹 간섭 선호에 대해 매우 취약한 부분이다. 수동행 중계기에 들어온 모든 신호는 주파수 변환, 재 전송 되면서 혼변조 성분을 발생하게 된다 본 연구에서는 중계기에 들어오는 재밍 신호에 대해서 사용자 신호의 대역을 확장하여 이러한 재멍 신호를 억압하는 방법을 제기하고자 한다. 정지궤도 위생중계 시뮬레이션 모델을 설정하고 DSSS 방볍에 의한 재머 억압 능력을 확인하여, 부분 대역 겹침의 경우에 처리이득이 16.9 [dB]이면, 2 2ASK 재머에 대해서는 BER이 $10^{-3}$ 에서 약 16.7 [dB], QPSK 재머에 대해서는 약 16.8 [dB]의 성능 개선을 얻었다.

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CMRC(Compact Microwave Resonance Circuit) 구조를 적용한 고효율, 고선형성 Class-F 전력증폭기 (A Highly Efficiency, Highly linearity Class-F Power Amplifier Using CMRC Structure)

  • 이종민;서철헌
    • 대한전자공학회논문지TC
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    • 제44권7호통권361호
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    • pp.12-16
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    • 2007
  • 본 논문은 일반적으로 고효율 특성을 가지고 있는 class-F 전력 증폭기의 출력 단에서 기생되는 2차 고조파 성분을 제거함으로 3차 IMD (Intermodulation distortion) 특성을 개선하였다. class-F 전력 증폭기의 경우 과부동 특성으로 인해 고효율을 얻을 수 있으나 선형성 측면에서는 많은 단점을 가지고 있다. 따라서 본 논문은 특별한 선형화 기술을 적용하지 않고 CMRC 구조를 적용하여 2차 고조파를 제거하여 선형성을 나타내는 U 특성을 개선하였다. CMRC 구조의 경우 광대역 저지대역 특성을 가지고 있으며 PBG 구조 보다 작은 크기로 더 좋은 특성을 얻을 수 있다.