Proceedings of the Korean Institute of Information and Commucation Sciences Conference (한국정보통신학회:학술대회논문집)

The Korea Institute of Information and Commucation Engineering (한국정보통신학회)
권호 표지

Design of Predistortion Linearizer using Common-Gate MESFET

공통 게이트 MESFET를 이용한 전치왜곡 선형화기 설계

  • Published : 2003.10.01
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Abstract

A linear power amplifier is particularly emphasized on the CDMA system using a linear modulation scheme, because IMD which cause adjacent channel interference and co channel Interference is mostly generated in a nonlinear power amplifier. In this paper, a new type of linearization technique proposed. It is presented that balanced MESFET predistortion linearizer added. Experimental result are present for Korea PCS frequency band. The implemented linearizer is applied to a 30dBm class. A power amplifier for simulation performance. Two-tone signals at 1850 MHz and 1851.23 MHz are injected into the main power amplifier. The main power amplifier with a 12.1dB gain and a P1dB of 30 dBm(two-tone) was utlized. The reduction of IMD is around 22dB.

전력증폭기의 비선형성에 의해 채널간의 상호 변조 왜곡성분이 주로 발생하는 CDMA 시스템에서는 선형 전력증폭기가 요구된다. 본 논문에서는 평형 MESFET 전치왜곡 선형화기가 추가된 형태의 선형전력증폭기를 통한 선형화 방법을 제안하였다. 제안된 선형화기는 한국 PCS주파수 대역에서 G1dB가 12.1dB이고 P1dB가 30dBm인 A급 전력증폭기에 연결하여 시뮬레이션 하였다. 종단전력증폭기에 1850 MHz와 1851.23 MHz의 2-tone 신호를 인가한 결과 3차 혼변조가 약 22dB 개선되었다.

Keywords