• 제목/요약/키워드: Information Accumulation

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IFC 기반의 공정정보 축적을 위한 기초연구 (A Basic Study for Accumulation of IFC-based Schedule Information)

  • 송종관;최원식;원지선;김남곤
    • 한국산학기술학회논문지
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    • 제14권11호
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    • pp.5890-5896
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    • 2013
  • 본 연구는 BIM 기반의 납품체계에서 IFC 파일의 공정정보를 축적하고 활용하기 위한 방안을 제시하였다. 이를 위해 첫 번째로, 공정정보의 활용방안에 대하여 기존연구를 분석하였고, IFC 표준을 고찰하였다. 두 번째로, 공정요소를 도출하기 위해 공정계획 수립절차를 분석하였으며, 공정프로세스와 상용소프트웨어를 분석하여 공정정보항목을 도출하였다. 또한 도출된 공정정보항목을 기반으로 IFC 스키마를 분석하여 IFC의 공정요소를 도출하였다. 마지막으로 IFC 납품파일의 축적을 위해 조달청의 시설사업 BIM 적용 기본 지침서를 분석하여 개념적인 BIM 모델의 납품프로세스를 통한 축적방법과 활용방안을 제시하였다. 본 연구는 국가적으로 진행되고 있는 BIM 도입과정에서 BIM모델의 정보를 축적하는데 기여할 것으로 기대된다.

동영상 부호화를 위한 움직임 벡터의 추정 (Estimation of Motion Vector for Moving Picture Encoding)

  • 강성관;임춘환;손영수;배상현
    • 한국정보통신학회논문지
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    • 제5권7호
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    • pp.1340-1345
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    • 2001
  • 본 논문은 이동물체의 이동 정보를 표현하는 OF의 최적해를 계산하고 동작 속도를 향상시키는 방법을 제안한다. 이를 위하여 CHT와 투표누적을 사용하여 기존의 방법에 비해 양호한 최적해를 계산하였고, 간단하게 이 동물체를 검색하였다.

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일반적 상황에서 2차원 절삭력 추정을 위한 이송모터 전류의 거동분석 (Analysis of the Characteristics of the Feed motor Current for the Estimation of the Cutting Force in General Cutting Environment)

  • 정영훈;윤승현;조동우
    • 한국정밀공학회지
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    • 제19권4호
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    • pp.93-100
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    • 2002
  • The current from the feed motor of a machine tool contains substantial information about the machining state. There have been many researches that investigated the current as a measure for the cutting farces. However it has been reported that this indirect measurement of the cutting farces from the feed motor current is only feasible in low frequency. In this research, it was presented that the bandwidth of the current monitoring can be expanded to 130 Hz. And the unusual behavior of the current was examined in this bandwidth. The cross-feed directional cutting force influences the machined surface of the workpiece, which makes it necessary to estimate this force to control the roughness of the machined sulfate. The current exists in the stationary feed motor, and it can give the useful information on the quality of the machined surface. But the unpredictable behavior of the current prevents applying the current to prediction of the cutting state. Empirical approach was conducted to resolve the problem. As a result, the current was shown to be related to the accumulation of the accumulation of the infinitesimal rotation of the motor. rotation of the motor. Subsequently the relationship between the current and the cutting force was identified.

수치표고모델 해상도에 따라 도출된 춘천지역의 지형학적 매개변수 비교 (Comparison of Geomorphological Parameters Derived from Different Digital Elevation Model Resolutions in Chuncheon, South Korea)

  • 이준구;서용철;이동하
    • 한국지리정보학회지
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    • 제21권1호
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    • pp.106-114
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    • 2018
  • 수치표고모델(DEM, Digital Elevation Model)은 원격 탐사 기술의 발전으로 제작이 용이해졌다. 최근에는 작업의 요구사항에 따라 무인항공기(UAV)를 이용해서도 고해상도의 수치표고모델을 생산할 수 있지만, 고해상도는 데이터 저장 및 처리에 대한 시간과 비용의 문제를 동반한다. 본 연구에서는 수치표고모델 해상도의 효과를 확인하기 위하여 춘천을 대상 지역으로 하여 다양한 해상도의 수치표고모델로부터 얻은 6개의 지형적 매개변수를 비교하였다. 비교 분석은 지형의 기울기, 곡률, 유수의 방향, 유수의 축적(flow accumulation), 유수의 거리 및 유역에 대한 통계 분석을 기반으로 하였다. 그 결과, 수치표고모델의 표고와 유수의 축적 영역에는 변화가 없음을 확인할 수 있었으나, 기울기, 곡률, 유수의 거리 및 유역의 수는 픽셀 크기가 증가함에 따라 감소하였다. 따라서, 수치표고모델의 해상도는 요구되는 정밀도에 따라 신중하게 선택되어야 한다.

LDD MOSFET의 기생저항에 대한 간단한 모형 (A Simple Model for Parasitic Resistances of LDD MOSFETS)

  • 이정일;윤경식;이명복;강광남
    • 대한전자공학회논문지
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    • 제27권11호
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    • pp.49-54
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    • 1990
  • 본 논문에서는 LDD(lightly doped drain)구조를 갖는 짧은 채널 MOSFET에서의 기생저항의 게이트 전압 의존도에 대한 모형을 제시하였다. 게이트 전극 밑에 위치한 LDD 영역에서는 게이트 전압에 의해 준 이차원적인 축적층(quasi two-dimensional accumulation layer)이 형성된다. 소오스 측 LDD 기생저항을 축적층의 저항과 벌크 LDD 저항의 병렬 연결로 취급하였으며 별크 LDD 저항은 채널의 반전층 끝으로부터 ${n^+}$영역의 경계까지 퍼짐 저항으로 근사하였다. 그리고 접합에서의 도우핑 농도 구배가 LDD 저항에 미치는 영향이 토의하였다. 본 모형의 결과로 선형 영역에서는 LDD 저항이 게이트 전압의 증가에 따라 감소하고, 포화영역에서는 채널과 LDD에서 속도포화를 고려한 결과, 게이트 전압에 대해 준 일차적으로 증가하는 것으나 나타나 발표된 실험결과들과 일치하였다.

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지식 축적과 AI 기술을 기반으로 한 인류 역사 모형 (Human History Model Based on Knowledge Accumulation and AI Technology)

  • 권오성
    • 정보교육학회논문지
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    • 제25권5호
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    • pp.665-672
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    • 2021
  • 21세기 인류는 AI 실용 시대를 열어 가고 있다. 이제껏 인류는 산업 구조가 고도화 되어도 지식 생산의 추상화 작업 만큼은 자신의 고유 영역이라 보았는 데 그 믿음에 의구심을 갖게 되었고, 이에 현대인은 인간과 기계 지능을 구분하고 자신의 정체성을 새롭게 구축해야 하는 상황에 놓이게 되었다. 이에 본 논문은 현대 인류의 정체성을 과거로부터 축적한 지식의 결과라는 관점에서 살피고자 하였다. 이러한 논의를 지구와 인류 출현으로부터 시작하는 "단계별 지식 축적 방식의 변화" 라는 역사 모형으로 요약하여 제시하였다. 이 분석 모형의 1 단계는 지구 상에 인간 지능 출현까지의 "DNA 지식 축적" 이다. 2단계는 스스로 지식을 생산할 수 있게 된 인간의 생물학적 지능에 의한 "문명 지식 축적" 과정이다. 현재는 3단계로 분류되며 AI 기술을 이용한 "기계적 지식 축적"단계로 진입하고 있다고 보았다. 본 논문은 인류 역사를 이러한 단계별 지식 축적 모형으로 제안하며 관련한 논의를 기술하였다.

딥러닝 의류 가상 합성 모델 연구: 가중치 공유 & 학습 최적화 기반 HR-VITON 기법 활용 (Virtual Fitting System Using Deep Learning Methodology: HR-VITON Based on Weight Sharing, Mixed Precison & Gradient Accumulation)

  • 이현상;오세환;하성호
    • 한국정보시스템학회지:정보시스템연구
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    • 제31권4호
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    • pp.145-160
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    • 2022
  • Purpose The purpose of this study is to develop a virtual try-on deep learning model that can efficiently learn front and back clothes images. It is expected that the application of virtual try-on clothing service in the fashion and textile industry field will be vitalization. Design/methodology/approach The data used in this study used 232,355 clothes and product images. The image data input to the model is divided into 5 categories: original clothing image and wearer image, clothing segmentation, wearer's body Densepose heatmap, wearer's clothing-agnosting. We advanced the HR-VITON model in the way of Mixed-Precison, Gradient Accumulation, and sharing model weights. Findings As a result of this study, we demonstrated that the weight-shared MP-GA HR-VITON model can efficiently learn front and back fashion images. As a result, this proposed model quantitatively improves the quality of the generated image compared to the existing technique, and natural fitting is possible in both front and back images. SSIM was 0.8385 and 0.9204 in CP-VTON and the proposed model, LPIPS 0.2133 and 0.0642, FID 74.5421 and 11.8463, and KID 0.064 and 0.006. Using the deep learning model of this study, it is possible to naturally fit one color clothes, but when there are complex pictures and logos as shown in <Figure 6>, an unnatural pattern occurred in the generated image. If it is advanced based on the transformer, this problem may also be improved.

Separation and Quantification of Parasitic Resistance in Nano-scale Silicon MOSFET

  • Lee Jun-Ha;Lee Hoong-Joo;Song Young-Jin;Yoon Young-Sik
    • KIEE International Transactions on Electrophysics and Applications
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    • 제5C권2호
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    • pp.49-53
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    • 2005
  • The current drive in a MOSFET is limited by the intrinsic channel resistance. All other parasitic elements in a device structure perform significant functions leading to degradation in the device performance. These other resistances must be less than 10$\%$-20$\%$ of the channel resistance. To meet the necessary requirements, the methodology of separation and quantification of those resistances should be investigated. In this paper, we developed an extraction method for the resistances using calibrated TCAD simulation. The resistance of the extension region is also partially determined by the formation of a surface accumulation region that gathers below the gate in the tail region of the extension profile. This resistance is strongly affected by the abruptness of the extension profile because the steeper the profile is, the shorter this accumulation region will be.

Power MOSFET에서 Source voltage 저하에 관한 Failure analysis (Failure analysis about deterioration of Source voltage in Power MOSFET)

  • 정재성;김종문;이재혁;하종신;박상득
    • 대한전자공학회:학술대회논문집
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    • 대한전자공학회 2003년도 하계종합학술대회 논문집 II
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    • pp.1109-1112
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    • 2003
  • 본 연구는 switching mode 의 Power NMOSFET failure mode 에 관하여 분석하고 원인을 규명하였다. 분석된 power NMOSFET은 30V급이며, vender A의 상용화 제품이다. 발생한 failure mode는 power switch 회로에서 특정 ID 를 detect 하지 못하는 mode 였다. 측정결과 source voltage 가 저하되었으며, power NMOSFET DC 동작특성 분석 결과 Vgs 변화에 따라 Id 가 저하되었다. Fail 된 power MOSFET 특성값 reference는 동일 LOT의 양품을 선정하였다. De-cap후 Inversion 과 Accumulation mode 별로 Photoemission spectrum analyzer(PSA) 분석 방법을 적용하였다. 결과 accumulation mode 에서 intensity가 감소하였으며, forward diode mode에서 국소적으로 변화하는 영역이 검출되었다. SEM 분석결과 gate metal 과 source metal 의 micro-contact 이 이루어져 있었다. 이 경우 gate metal 과 source metal 사이 close loop 를 형성하여 gate charge량을 변화시켜 power NMOSFET의 출력을 저하하는 failure mode가 발생됨을 분석할 수 있었다.

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SEPOX (selective poly oxidation) process에서 Si-buffer layer에 발생하는 pinhole 현상에 대한 연구 (Si-buffer pinholes in the SEPOX (selective poly oxidation) process)

  • 윤영섭
    • 전자공학회논문지A
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    • 제33A권6호
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    • pp.151-157
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    • 1996
  • We propose a mechanism for the formation of pinholes in the Si-buffer layer, through the observations with varying the process- and structure variables in the SEPOX (selective poly-oxidation) process, an isolation method for sub-u DRAMs. Pinholes are formed through the accumulation of Si vacancies generated by the oxidation of Si, in which Si atoms leave the sites (vacancies) at the Si/SiO$_{2}$ interfaces and diffuse into the oxide to be oxidized near interface. In the course of the accumulation of Si-vacancies, the stress induced in the Si-buffer layer affects the migration of vacancies to result in the final size and distribution of pinholes. This paper may be, to our knowledge, the first report about the oxidation-induced pinhole in the Si/SiO$_{2}$ system.

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