• 제목/요약/키워드: InAs 양자점

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2단계 수렴 블록 부동점 스케일링 기법을 이용한 8192점 파이프라인 FFT/IFFT 프로세서 (A 8192-point pipelined FFT/IFFT processor using two-step convergent block floating-point scaling technique)

  • 이승기;양대성;신경욱
    • 한국통신학회논문지
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    • 제27권10C호
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    • pp.963-972
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    • 2002
  • DMT 기반의 VDSL 모뎀, OFDM 방식의 DVB 모뎀 등 다중 반송파 변조 시스템에서 핵심 블록으로 사용되는 8192점 FFT/IFFT 프로세서를 설계하였다. 새로운 2단계 수렴 블록 부동점 (two-step convergent block floating-point; TS_CBFP) 스케일링 방법을 제안하여 설계에 적용하였으며, 이를 통해 FFT/IFFT 출력의 신호 대 양자화 잡음 비 (signal-to-quantization-noise ratio; SQNR)가 크게 향상되도록 하였다. 제안된 TS_CBFP 스케일링 방법은 별도의 버퍼 메모리를 사용하지 않아 기존의 방법에 비해 메모리를 약 80% 정도 감소시키며, 따라서 칩 면적과 전력소모를 크게 줄일 수 있다. 입력 10-비트, 내부 데이터와 회전인자 14-비트, 그리고 출력 16-비트로 설계된 8192점 FFT/IFFT 코어는 약 60-㏈의 SQNR 성능을 갖는다. 0.25-$\mu\textrm{m}$ CMOS 셀 라이브러리로 합성한 결과. 약 76,300 게이트와 390K 비트의 RAM, 그리고 39K 비트의 ROM으로 구현되었다. 시뮬레이션 결과, 50-MHzⓐ2.5-V로 안전하게 동작할 것으로 평가되었으며, 8192점 FFT/IFFT 연산에 약 164-$\mu\textrm{s}$가 소요될 것으로 예상된다. 설계된 코어는 Xilinx FPGA에 구현하여 정상 동작함을 확인하였다.

디지털 합금 AlGaAs층을 이용하여 제작된 GaAs/AlGaAs DBR의 균일도 향상 (Improved Uniformity of GaAs/AlGaAs DBR Using the Digital Alloy AlGaAs Layer)

  • 조남기;송진동;최원준;이정일;전헌수
    • 한국진공학회지
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    • 제15권3호
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    • pp.280-286
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    • 2006
  • 디지털 합금 (digital-alloy) 성장방법을 사용한 AIGaAs층을 이용하여 $1.3{\mu}m$ vertical cavity surface emitting laser (VCSEL)에 사용될 수 있는 AlGaAs/GaAs distributed Bragg reflector (DBR)를 분자선 에피탁시 (molecular beam epitaxy) 방법을 통해 제작하였다. 3인치 1/4 크기의 기판에 디지털 합금 AlGaAs층을 사용한 DBR을 성장하고 기판 여러 부분에서의 반사율을 측정하여 각 부분 간의 반사율 편차가 0.35%이내임을 확인하였다. TEM 사진을 통한 계면분석을 통해 디지털 합금 AlGaAs층의 조성과 두께가 균일함을 확인하였는데, 이는 디지털 합금 AlGaAs층의 성장시 기판 표면의 온도가 불균일하더라도 크게 영향을 받지 않음을 보여준다. 이를 통해 DBR의 균일성에 따라 소자의 특성에 큰 영향을 받는 InAs 양자점을 활성층으로 사용하는 VCSEL의 수율을 향상시키는데 디지털 합금 AlGaAs층을 이용한 DBR이 응용될 수 있음을 보였다.

Si 도핑이 InAs 자기조립 양자점 적외선 소자 특성에 미치는 효과 (Effect of Si Doping in Self-Assembled InAs Quantum Dots on Infrared Photodetector Properties)

  • 서동범;황제환;오보람;김준오;이상준;김의태
    • 한국재료학회지
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    • 제29권9호
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    • pp.542-546
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    • 2019
  • We investigate the characteristics of self-assembled quantum dot infrared photodetectors(QDIPs) based on doping level. Two kinds of QDIP samples are prepared using molecular beam epitaxy : $n^+-i(QD)-n^+$ QDIP with undoped quantum dot(QD) active region and $n^+-n^-(QD)-n^+$ QDIP containing Si direct doped QDs. InAs QDIPs were grown on semi-insulating GaAs (100) wafers by molecular-beam epitaxy. Both top and bottom contact GaAs layer are Si doped at $2{\times}10^{18}/cm^3$. The QD layers are grown by two-monolayer of InAs deposition and capped by InGaAs layer. For the $n^+-n^-(QD)-n^+$ structure, Si dopant is directly doped in InAs QD at $2{\times}10^{17}/cm^3$. Undoped and doped QDIPs show a photoresponse peak at about $8.3{\mu}m$, ranging from $6{\sim}10{\mu}m$ at 10 K. The intensity of the doped QDIP photoresponse is higher than that of the undoped QDIP on same temperature. Undoped QDIP yields a photoresponse of up to 50 K, whereas doped QDIP has a response of up to 30 K only. This result suggests that the doping level of QDs should be appropriately determined by compromising between photoresponsivity and operating temperature.

전자선 석판 기술에서 디지타이징과 노광후굽기 최적화를 통한 40 nm 급 패턴 제작에 관한 연구 (Study on 40 nm Electron Beam Patterning by Optimization of Digitizing Method and Post Exposure Bake)

  • 한상연;신형철;이귀로
    • 전자공학회논문지D
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    • 제36D권10호
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    • pp.23-30
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    • 1999
  • 본 논문에서는 전자선 직접 묘화 시스템을 이용하여 50 nm 이하의 패턴 폭을 가지는 패터닝 결과를 얻기 위한 실험을 수행하였다. SAL601 negative E-beam PR(Photo Resist)를 이용하여 실험을 진행하였고, E-beam 장비의 특성을 최대로 이용하기 위해서 PR의 두께를 100nm로 줄이고, field 크기를 200 ${um}m$로 줄여 실험하였으며, 또한 SAL601 PR의 경우 작은 선폭을 얻기 위해 중요한 요인 중에 하나인 PEB (Post Expose Bake) 온도와 시간을 줄이면서 실험을 진행하였다. 여기에 디지타이징 방식의 최적화를 통하여 50 nm 이하의 패턴 폭을 가지는 단선 패터닝 결과를 얻었다. 이 공정을 이용하여 단전자 메모리 소자에 응용 가능한 50 nm 급의 silicon 양자선과 silicon 양자점을 제작하였다. 이는 현재 많이 연구되고 있는 단전자 기억소자 및 국소 채널 MOS소자 제작에 유용할 것이다.

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다중스펙트럼 위성영상 압축을 위한 복합부호화 기법 (Hybrid Coding for Multi-spectral Satellite Image Compression)

  • 정경훈
    • 한국지리정보학회지
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    • 제3권1호
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    • pp.1-11
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    • 2000
  • 본 논문에서는 인공위성으로부터 얻어진 다중스펙트럼영상의 부호화 방법을 다룬다. 위성영상의 공간 및 스펙트럼 해상도가 급속도로 향상되면서 처리해야 할 다중스펙트럼 영상의 데이터량은 엄청나게 증가하였다. 이에 따라 위성영상을 활용하기 위해서는 효율적으로 부호화하는 기술이 필요하다. 본 논문에서는 벡터양자화에 근거한 예측부호화, 영상의 quadtree 분할, 그리고 예측오차의 압축을 위한 DCT를 복합적으로 적용한 부호화 기법을 제시한다. 벡터양자화를 통해 대역영상간의 공간적인 특징이 동일하다는 점을 이용한 예측을 하고, 영상분할을 통해 영상의 공간적인 정보량에 따라 적응적으로 비트를 할당하며, DCT를 통해 예측오차의 공간적응적인 부호화를 수행한다. Landsat TM 영상을 대상으로 수행한 실험을 통해 제안 알고리듬의 위성영상 압축기법으로서의 타당성을 보였다.

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카드뮴 셀레나이드 양자점과 단일벽 탄소나노튜브로 구성된 이종 나노 소재를 기반으로 한 광전소자의 제작 및 특성평가 (Fabrication and characterization of optoelectronic device using CdSe nanocrystal quantum dots/single-walled carbon nanotubes)

  • 심형철;정소희;한창수;김수현
    • 센서학회지
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    • 제19권2호
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    • pp.160-167
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    • 2010
  • In this paper, we fabricated the optoelectronic device based on Cadmium selenide(CdSe) nanocrystal quantum dots (NQDs)/single-walled carbon nanotubes(SWNTs) heterostructure using dieletrophoretic force. The efficient charge transfer phenomena from CdSe to SWNT make CdSe-Pyridine(py)-SWNT unique heterostructures for novel optoelectronic device. The conductivity of CdSe-py-SWNT was increased when it was exposed at ultra violet(UV) lamp, and varied as a function of wavelength of incident light.

TV용 차세대 디스플레이의 지배적 디자인 예측을 위한 소비자 선호속성 분석 : 컨조인트 분석의 활용 (An Analysis of Consumer Preferences for Forecasting a Dominant Design of the Next Generation TV Display Technology: A Conjoint Analysis)

  • 이민우;지일용
    • 한국콘텐츠학회논문지
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    • 제19권6호
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    • pp.663-675
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    • 2019
  • 최근 10여 년간 디스플레이 시장에서의 지배적 디자인은 LCD로 한국 업체들이 이를 주도해 왔다. 그러나 최근 중국 기업들로부터의 위협이 증가되고 있어, 국내 업체들은 차세대 디스플레이 분야로 진출하기 위한 노력을 기울이고 있다. 한국 디스플레이 업체들은 최근 양자점 디스플레이 및 유기발광디스플레이 등의 신기술을 출시하여, 특히 TV용 차세대 디스플레이 시장에서 지배적 디자인을 차지하기 위한 표준 경쟁에 돌입하였다. 지배적 디자인을 결정하는 요소는 다양한 가운데, 디스플레이 제품은 특히 제품 자체의 기술적 속성이 가장 중요할 것으로 예상된다. 따라서 본 연구에서는 TV용 차세대 디스플레이에 대한 소비자의 선호 속성을 파악함으로써, 이 분야 표준 경쟁을 위한 시사점을 제공하고자 한다. 이를 위해 본 연구에서는 잠재적 소비자들을 대상으로 한 컨조인트 분석을 실시하였다. 분석 결과, 초고해상도 화면에 자연스런 색상을 표현할 수 있는 내구성 높은 제품에 대한 선호도가 높은 가운데, 제품의 가격이 중요한 요소로 작용하는 것으로 나타났다.

물체 정합을 위한 특징점 추출 및 물체 표현에 관한 연구 (A Study on the salient points detection and object representation for object matching)

  • 박정민;손광훈;허영
    • 전자공학회논문지S
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    • 제35S권6호
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    • pp.101-108
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    • 1998
  • 물체를 인식하기 위한 효율적인 방법 중의 하나는 물체의 경계선에서 가장 적절한 특징들을 추출해 내어 인식에 사용하는 것이다. 본 논문에서는 경계선 위의 각 화소에서 주변 화소들과의 관계를 이용해 코너점, 접점, 변곡점을 추출하여 물체의 특징점으로 사용하였다. 기존에 주로 사용되던 중요한 특징점의 하나인 코너점은 곡률 함수상에서 찾고, 또한 물체가 직선과 곡선으로 이루어져 있을 경우 코너점만으로 물체를 표현하기에 부족하므로 곡률 함수를 미디안 필터링하여 양자화 잡음을 제거함으로써 접점과 변곡점을 찾는 새로운 방법을 제안하였다. 그리고 이 세 가지 특징점을 물체 정합의 요소로 사용하여 물체를 정합하였다. 정합 방법으로는 Discrete Hopfield Neural Network을 사용하였으며, 성능 분석 결과 곡선이 섞인 물체에서 코너점만으로 물체를 정합한 경우보다 특징점으로 물체를 정합한 경우 우수한 정합 성능을 나타내었다.

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InAs 양자점을 이용하여 Silicon (001) 기판위에 제작된 고품질 InSb layer의 특성 분석

  • 임주영;송진동;조남기;박성준;신상훈;최원준;이정일;김경호;안재평;김형준;양해석;최철종
    • 한국진공학회:학술대회논문집
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    • 한국진공학회 2009년도 제38회 동계학술대회 초록집
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    • pp.110-110
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    • 2010
  • 본 실험에서는 Silicon (001) 기판을 사용하여 silicon 기판상에 modified Stranski-Krastanow(S-K) 방식으로 InAs quantum dot (QD) 을 성장하고 그 위에 InSb layer를 형성하였다. 기판온도 $390^{\circ}$에서 In injection period를 4번 반복하여 제작된 InAs quantum dot layer를 buffer로 사용하였으며, QD layer의 밀도는 $1{\mu}m^2$ 당 600개, height가 $6.2\;{\pm}\;2.0\;nm$, width가 $36.1\;{\pm}\;9.2\;nm$ 정도이다. 성장된 $2.8{\mu}m$ 두께의 InSb film의 특성을 분석해 보면 AFM 상에서의 root mean square (rms) roughness는 5.142nm정도이며, electron mobility는 340 K 에서 $41,352cm^2/Vs$, 1.8 K에서는 $4,215cm^2/Vs$ 정도를 나타내었다. 본 실험에서는 다른 실험과는 달리 InAs QD 을 buffer layer로 사용하였으며, silicon기판도 아무런 처리가 되지 않은 (001)기판을 사용하였으므로 기존의 다른 연구 결과와는 차별성을 가진다. 또한 buffer로 사용된 InAs quantum dot layer의 종류를 한 가지로 고정하고 실험을 하였지만 추후 더욱 다양한 밀도와 크기의 quantum dot layer를 적용시키고, 기존의 다른 논문에서 적용된 방법들을 추가로 적용시켜 본다면 mobility값은 더욱 증가할 것으로 생각된다. 이러한 연구를 통해 값이 싸고 구하기 쉬운 silicon기판상에 silicon에 비하여 더 좋은 특성을 갖는 III-V족 화합물 반도체 소자를 구현 할 수 있을 것으로 생각된다.

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중국 프랜차이즈 시스템에서의 본부와 가맹점간 신뢰의 영향요인 (The Determination of Trust in Franchisor-Franchisee Relationships in China)

  • 신건철;마요곤
    • 마케팅과학연구
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    • 제18권2호
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    • pp.65-88
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    • 2008
  • 본 연구는 중국 프랜차이즈 시스템에 참여하는 본부와 가맹점 사이의 신뢰에 영향을 미치는 요인에 대해서 규명하고자 하였다. 중국의 외식 프랜차이즈 산업 가맹점을 조사대상으로 한 실증분석 결과, 프랜차이즈 시스템에서는 신뢰의 형성이 매우 중요하며, 이를 위하여 본부의 가맹점에 대한 지원의 강화, 양자 간의 원활한 커뮤니케이션, 가맹점의 과거결과에 대한 만족의 증진, 양자 간의 갈등 예방 및 해소가 필요하며, 이러한 본부의 가맹점에 대한 지원과 원활한 커뮤니케이션이 가맹점의 과거결과에 대한 만족을 증가시킬 수 있고, 원활한 커뮤니케이션이 양자 간의 갈등을 감소시킬 수 있는 것으로 나타났다.

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