Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference (한국진공학회:학술대회논문집)
- 2010.02a
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- Pages.110-110
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- 2010
InAs 양자점을 이용하여 Silicon (001) 기판위에 제작된 고품질 InSb layer의 특성 분석
- Im, Ju-Yeong ;
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Song, Jin-Dong
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- Jo, Nam-Gi ;
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Park, Seong-Jun
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- Sin, Sang-Hun ;
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Choe, Won-Jun
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Lee, Jeong-Il
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- Kim, Gyeong-Ho ;
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An, Jae-Pyeong
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Kim, Hyeong-Jun
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- Yang, Hae-Seok ;
- Choe, Cheol-Jong
- 임주영 (한국과학기술연구원) ;
-
송진동
(한국과학기술연구원) ;
- 조남기 (한국과학기술연구원) ;
-
박성준
(한국과학기술연구원) ;
- 신상훈 (한국과학기술연구원) ;
-
최원준
(한국과학기술연구원) ;
-
이정일
(한국과학기술연구원) ;
- 김경호 (한국과학기술연구원) ;
-
안재평
(한국과학기술연구원) ;
-
김형준
(한국과학기술연구원) ;
- 양해석 (한국과학기술연구원) ;
- 최철종 (한국과학기술연구원)
- Published : 2010.02.17
Abstract
본 실험에서는 Silicon (001) 기판을 사용하여 silicon 기판상에 modified Stranski-Krastanow(S-K) 방식으로 InAs quantum dot (QD) 을 성장하고 그 위에 InSb layer를 형성하였다. 기판온도
Keywords