The three-dimensional integrated circuit (3D-IC) is a general trend for the miniaturized and high-performance electronic devices. The through-silicon-via (TSV) is the advanced interconnection method to achieve 3D integration, which uses vertical metal via through silicon substrate. However, the TSV based 3D-IC undergoes severe thermo-mechanical stress due to the CTE (coefficient of thermal expansion) mismatch between via and silicon. The thermo-mechanical stress induces mechanical failure on silicon and silicon-via interface, which reduces the device reliability. In this paper, the thermo-mechanical reliability of TSV based 3D-IC is reviewed in terms of mechanical fracture, heat conduction, and material characteristic. Furthermore, the state of the art via-level and package-level design techniques are introduced to improve the reliability of TSV based 3D-IC.
Recently, board level solder joint reliability performance of IC packages during drop impact becomes a great concern to semiconductor and electronic product manufacturers. The handheld electronic products are prone to being dropped during their useful service life because of their size and weight. The IC packages are susceptible to solder joint failures, induced by a combination of printed circuit board (PCB) bending and mechanical shock during impact. The board level drop testing is an effective method to characterize the solder joint reliability performance of miniature handheld products. In this paper, applying the JEDEC (JESD22-B111) standard present a finite element modeling of the FBGA. The simulation results revealed that maximum stress was located at the outermost solder ball in the PCB or IC package side, which consisted well with the location of crack initiation observed in the failure analysis after drop reliability tests.
According the difference of flex substrate, (reel tape), there are three kind assembly types of LCD driver IC is COG, TCP and COF, respectively. The TCP is the maturest in these types for stability of raw material supply and other specification. And TCP is the major assembly type of LCD driver IC and the huge demand from Taiwan's large TFT LCD panel house since this spring. But due to its package structure and the raw material applied in this package, there is some limitation in fine pitch application of this package type, (TCP). So, COF will be very potential in compact and portable application comparison with TCP in the future. There are three kinds assembly methods in COF, one is ACF by using the anisotropic conductive film to connect the copper lead of tape and gold bump of IC, another is eutectic bonding by using the thermo-pressure to joint the copper lead of tape and gold bump of IC, and last is NCP by using non-conductive paste to adhere the copper lead of tape and gold bump of IC. To have a global realization, this paper will briefly review the status of Taiwan's large TFT panel house, the internal driver IC design house, and the back-end assembly house in the beginning. The different material property of raw material, PI tape is also compared in the paper. The more detail of three kinds of COF assembly method will be described and compared in this paper.
3차원 적층 반도체에서의 열관리를 위한 연구 동향에 대해서 살펴보았다. 적층 구조는 평면구조와 달리 단위 패키지당 발열량 증가, 단위 바닥면적당 전력 소비량 증가, 이웃 칩의 영향으로 과열 가능성의 증가, 냉각구조 추가의 어려움, 국부 열원의 발달 등으로 발열 문제가 매우 심각해질 수 있으며, 특히 국부 열원은 적층을 위해 칩 두께가 얇아짐으로 더욱 심화되고 있어 이를 고려한 발열관리가 필요하다. 구리 TSV는 높은 열전도도를 이용하여 열원의 열을 효과적으로 주변으로 배출하는 역할을 하며 범프 및 gap 충진 재료, 적층 순서와 함께 적층 반도체의 열확산에 큰 영향을 미친다. 이는 실험으로나 수치해석으로 확인되고 있으며, 향후 적층 구조의 각 구성 요소들의 열 특성을 반영한 회로 설계가 이루어질 것으로 예상된다.
본 연구에서는 3차원 적층 집적회로 구조에서 Cu TSV를 활용한 열관리 가능성에 대해 살펴보았다. Cu TSV가 있는 실리콘 웨이퍼와 일반 실리콘 웨이퍼 후면부를 점열원을 이용하여 가열한 후 전면부의 온도 변화를 적외선 현미경을 이용하여 관찰하였다. 일반 실리콘 웨이퍼의 경우 두께가 얇아지면서 국부적인 고온영역이 관찰됨으로서 적층 구조에서 층간 열문제의 가능성을 확인할 수 있었다. TSV 웨이퍼의 경우 일반 실리콘 웨이퍼보다 넓은 영역의 고온 분포를 나타내었으며, 이는 Cu TSV를 통한 우선적인 열전달로 인한 것으로 적층 구조에서 Cu TSV를 이용한 효과적인 열관리의 가능성을 나타낸다.
As the performance and density of IC devices increase, especially the clock frequency increases, power grid network integrity problems become more challenging. To resolve these power integrity problems, the use of passive devices such as resistor, inductor, and capacitor is very important. To manage the power integrity with little noise or ripple, decoupling capacitors are essential in electronic packaging. The decoupling capacitors are classified into voltage regulator capacitor, board capacitor, package capacitor, and on-chip capacitor. For next generation packaging technologies such as 3D packaging or wafer level packaging on-chip MIM decoupling capacitor is the key element for power distribution and delivery management. This paper reviews the use and necessity of on-chip decoupling capacitor.
본 연구에서는 디지털 셀룰러용 IF Frequency Synthesizer의 설계, 시뮬레이션 결과 및 측정 결과를 기술하였으며, 공정 및 소자 라이브러리는 AMS사의 0.8 $\mu\textrm{m}$ BiCMOS를 사용하였다. IF Frequency Synthesizer부는 IF 전압제어발진기, 위상검파기, 8분배기, 차지 펌프 및 루프 필터(Loop Filter) 등을 포함하고 있다. 공급전원은 2.7에서 3.6 V이며, IF VCO의 조절전압은 0.5~2.7V이고, 소비전류는 11 mA로 설계결과와 측정결과가 유사한 결과를 보였다.
Recently, LCD (Liquid Crystal Display) requires various technical challenges; high definition, high quality, big size, and low price. These demands more pixels in the fixed area of the LCD and very fine lead pitch of the driving IC which controls the pixels. Therefore, a new packaging technology is needed to meet such technical requirement. NCP (Non Conductive Paste) is one of the new packaging methods and has excellent characteristics to overcome the problems of the ACF (Anisotropic Conductive Film). In this paper, we analyzed the process of the NCP for COF (Chip on FPCB) and proposed the key design parameters of the NCP process. Through a series of experiments, we obtained the stable values of the design parameters for successful NCP process.
This paper provides a heuristic analysis technique which determines an optimal number of V\ulcorner/V\ulcorner pads meeting allowable Simultaneous Switching Noise(SN) budget, early in the design phase. Until now, in determining the number of V\ulcorner/V\ulcorner pads, designers had to simulate packaging models case by case in the design phase or roughly allocate the power/ground pins in an inaccurate way according to typical design rules. However, due to the high density and frequency trends of IC technologies, the V\ulcorner/V\ulcorner pads allocation method can affect an adverse effect on IC operations, which requires more accurate and efficient methods be devised. Thus, this paper proposes an analytic V\ulcorner/V\ulcorner pads calculation method that gives a practical help for packaging designs early in the design phase. The proposed method is applied to a design example of a 1/8x208 pin plastic quad flat package (PQFP) and the results are verified through simulation using HSPICE.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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