• 제목/요약/키워드: Frequency gain

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Design of a 1~10 GHz High Gain Current Reused Low Noise Amplifier in 0.18 ㎛ CMOS Technology

  • Seong, Nack-Gyun;Jang, Yo-Han;Choi, Jae-Hoon
    • Journal of electromagnetic engineering and science
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    • 제11권1호
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    • pp.27-33
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    • 2011
  • In this paper, we propose a high gain, current reused ultra wideband (UWB) low noise amplifier (LNA) that uses TSMC 0.18 ${\mu}m$ CMOS technology. To satisfy the wide input matching and high voltage gain requirements with low power consumption, a resistive current reused technique is utilized in the first stage. A ${\pi}$-type LC network is adopted in the second stage to achieve sufficient gain over the entire frequency band. The proposed UWB LNA has a voltage gain of 12.9~18.1 dB and a noise figure (NF) of 4.05~6.21 dB over the frequency band of interest (1~10 GHz). The total power consumption of the proposed UWB LNA is 10.1 mW from a 1.4 V supply voltage, and the chip area is $0.95{\times}0.9$ mm.

이득 여유가 작아도 안정한 개선된 네가티브 커패시턴스 회로 (Improved negative capacitance circuit stable with a low gain margin)

  • 김영필;황인덕
    • 전자공학회논문지SC
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    • 제40권6호
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    • pp.68-77
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    • 2003
  • 생체 임피던스 측정에 사용되는 프론트 엔드의 입력 커패시턴스를 상쇄시키며, 편하고, 작은 이득 여유로도 안정하게 동작하는 제안된 네가티브 커패시턴스 회로를 제안하였다. 기존의 회로를 사용하기 위해서는 적절한 이득-대역폭 적을 갖는 연산 증폭기를 선택해야 하는데 비하여 제안하는 회로는 광대역 연산 증폭기를 사용하므로 연산 증폭기의 선택이 쉽다. 또한 이득 여유가 귀환 커패시터에 직렬로 연결된 귀환 저항에 의하여 조절되므로 이득 여유를 가변 저항기로 튜닝할 수 있다. 제안된 회로의 입력 임피던스는 기존회로의 임피던스보다 2배 크며 네가티브 커패시턴스 회로를 채용하지 않았을 때에 비하여 40배 크다. 나아가서 제안된 회로의 폐루프 위상 응답은 기존의 회로와 네가티브 커패시턴스 회로를 채용하지 않았을 때에 비하여 좋다. 무엇보다도 이득 피킹이 발생하더라도 제안된 회로에서 이득 피킹의 주파수는 루프 이득이 최대로 되는 주파수 보다 높으므로, 이득 여유가 이득 피킹의 영향을 거의 받지 않는다. 따라서 제안된 회로는 매우 작은 이득 여유로도 안정하게 동작할 수 있다.

결정 벽개면을 갖는 DFB 레이저의 이득과 주파수 분석 (Analysis of Gain and Frequency in a DFB laser with Cleaved Facets)

  • 이창석;권기영;기장근;조현묵
    • 한국소프트웨어감정평가학회 논문지
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    • 제16권2호
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    • pp.117-125
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    • 2020
  • 본 논문에서는 벽개된 두 거울 면을 갖는, 1.55um 파장인 DFB 레이저에서 이득 그레이팅과 굴절률 그레이팅이 함께 존재할 때, 편의상 ρl의 위상=0으로 고정시키고, ρr의 위상을 -π/2, π, π/2, 0인 경우로 변화시킬 때, 발진 주파수와 발진 이득의 변화를 이론적으로 해석하였다. δL<0인 경우, (ρl의 위상=0, ρr의 위상=0)인 경우에, κL을 0.1로부터 10까지 증가시킬 때, 발진하기 위해 요구되는 발진 이득이 가장 낮은 경우는 κL=10인 경우이고, 이때 고차 모드와의 발진 이득의 차이가 커서 가장 안정된 주파수 동작을 얻을 수 있다. δL>0인 경우, (ρl의 위상=0, ρr의 위상=π)인 경우에, κL을 0.1로부터 10까지 증가시킬 때, 발진하기 위해 요구되는 발진 이득이 가장 낮은 경우는 κL=10이고, 이때 고차 모드와의 발진 이득의 차이가 커서 가장 안정된 주파수 동작을 얻을 수 있다.

유발이음향 방사현상을 이용한 와우각 특성 해석 (Analysis of Cochlear Characteristics Using Evoked Otoacoustic Emission)

  • 이남호;최진영;조진호;이건일
    • 대한의용생체공학회:학술대회논문집
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    • 대한의용생체공학회 1992년도 춘계학술대회
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    • pp.133-138
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    • 1992
  • Evoked otoacoustic emission (e-OAE) signals are measured from adult and analyzed by computer. Stimulation and detection are repeated and averaged 1000 times for noise cancellation. e-OAE signals are analyzed on frequency domain and time domain. The frequency domain analysis reveals that frequency of stimulus and emission has lineal relationship in 50 dB input sound amplitude. This result altos the cross correlation method to be applied for latency calculation. As the stimulus frequency grows higher, the latency tine is shorter and the gain or emission signal becomes greater. We introduced two mathmatical functions to identify these latecy and gain. These results can be utilized for cochlear modeling.

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공정제어루프 최종 조작부의 동작특성에 관한 연구 (Control Valve Positioner and Its effect on a Gas Turbine MW Control)

  • 김종안;신윤오
    • 대한전기학회:학술대회논문집
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    • 대한전기학회 1998년도 하계학술대회 논문집 B
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    • pp.728-730
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    • 1998
  • The control valve positioner is a high gain plain proportional controller which measures the valve stem position and compares it to its setpoint which is the primary controller output. The positioner in effect is the cascade slave of the primary controller. In order for a cascade slave to be effecttive, it must be fast enough compared to the speed of its set point change. This paper describes the positioner transfer function and its effect on the entire control loop characteristic based on the simulation results. The result showed that the control valve and positioner determined the gain and phase angle in the high frequency range, while the primary controller and process determined those of the low frequency range. We can also anticipate the combined characteristics in the whole frequency range when each element's frequency response is known.

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광대역 고속 AFC 기법을 적용한 다중 대역 VCO의 설계 (Design of Multi-Band VCO with Fast AFC Technique)

  • 안태원;윤찬근;이원석;문용
    • 대한전자공학회:학술대회논문집
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    • 대한전자공학회 2006년도 하계종합학술대회
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    • pp.983-984
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    • 2006
  • Multi-band VCO with fast response adaptive frequency calibration (AFC) technique is designed in 1.8V $0.18{\mu}m$ CMOS process. The possible operation is verified for 5.8GHz band, 5.2GHz band, and 2.4GHz band using the switchable L-C resonators for 802.11a/b/g WLAN applications. To linearize its frequency-voltage gain, optimized multiple MOS varactor biasing technique is used. In order to operate in each band frequency range with reduced VCO gain, 4-bit digitally controlled switched-capacitor bank is used and a wide-range digital logic quadricorrelator is implemented for fast frequency detector.

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Small-Signal Analysis of a Differential Two-Stage Folded-Cascode CMOS Op Amp

  • Yu, Sang Dae
    • JSTS:Journal of Semiconductor Technology and Science
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    • 제14권6호
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    • pp.768-776
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    • 2014
  • Using a simplified high-frequency small-signal equivalent circuit model for BSIM3 MOSFET, the fully differential two-stage folded-cascode CMOS operational amplifier is analyzed to obtain its small-signal voltage transfer function. As a result, the expressions for dc gain, five zero frequencies, five pole frequencies, unity-gain frequency, and phase margin are derived for op amp design using design equations. Then the analysis result is verified through the comparison with Spice simulations of both a high speed op amp and a low power op amp designed for the $0.13{\mu}m$ CMOS process.

SiGe HBT 소자의 높은 차단 주파수 특성을 위한 Ge profile 연구 (Optimum Ge Profile for Higher Cut Off Frequency of SiGe HBT)

  • 김성훈;김경해;이홍주;염병렬;이준신
    • 대한전기학회:학술대회논문집
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    • 대한전기학회 2000년도 하계학술대회 논문집 C
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    • pp.1803-1805
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    • 2000
  • This paper analyzes the effects of Ge profiles shape of SiGe heterojunction bipolar transistors (HBT's) for high frequency application. Device simulations using ATLAS/BLAZE for the SiGe HBT with trapezoidal or triangular Ge profile are carried out to optimize the device performance. An HBT with 15% triangular Ge profile shows higher cut-off frequency and DC current gain than that with 19% trapezoidal Ge profile. The cut-off frequency and BC gain are increased from 42GHz to 84GHz and from 200 to 600, respectively.

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고주파수용 SiGe HBT의 베이스 프로파일 시뮬레이션에 관한 연구 (Base Profile Simulation of SiGe Heterojunction Bipolar Transistor for High Frequency Applications)

  • 이우희;이준하;박병수;이홍주
    • 한국산학기술학회:학술대회논문집
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    • 한국산학기술학회 2004년도 춘계학술대회
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    • pp.172-175
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    • 2004
  • This paper analyzes the effects of Ge profiles shape of SiGe heterojunction bipolar transistors (HBT's) for high frequency application. Device simulations using ATLAS/BLAZE for the SiGe HBT with trapezoidal or triangular Ge profile are carried out to optimize the device performance. An HBT with $15\%$ triangular Ge profile shows higher cut-off frequency and DC current gain than that with $19\%$ trapezoidal Ge profile. The cut-off frequency and DC gain are increased from 42GHz to 84GHz and from 200 to 600, respectively. The SiGe HBT has been fabricated using a production CVD reactor.

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부분 예혼합 가스터빈 연소기에서의 비연소 전달함수 계측으로부터의 화염전달함수 특성 파악 (A Study of the Flame Transfer Function Characteristics using Cold-flow Transfer Function in a Partially Premixed Model Gas Turbine Combustor)

  • 주성필;김성헌;윤지수;여재익;윤영빈
    • 한국추진공학회지
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    • 제21권5호
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    • pp.54-60
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    • 2017
  • 연소불안정 연구의 일환인 화염전달함수에서 나타나는 gain의 특성을 파악하기 위하여 비연소상태에서의 전달함수를 도입하여 화염전달함수에서의 특성과 비연소전달함수의 특성에 대한 원인을 파악하고자 하였다. 비연소 전달함수를 획득하기 위하여 질소와 이산화탄소를 활용하였으며, 입력값과 출력값을 계측하기 위하여 열선풍속계를 이용하였다. 비연소 전달함수에서의 gain과 주파수의 peak는 비활성기체의 밀도와 유량에 대하여 영향을 받는 것을 확인하였다. 또한 연료공급라인에서의 음향학적 공진주파수가 peak 주파수에 영향을 주는 것을 확인하였다.