• 한국정밀공학회:학술대회논문집
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• 한국정밀공학회 2004년도 추계학술대회 논문집
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• pp.890-893
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• 2004

The ultra precision machining in industrial field are increased day by day. The diamond turning has been used generally, but now is faced with limitation of use, because of higher requirement of production field. The electron beam lithography is alternative in machining area as semiconductor production. For EB lithography, 5 axis vacuum stage is required to duplicate small and large patterns on wafer. The stage is composed of 2 rotational axis and 3 translational axis with 5 DC servo motors. The positioning repeatability and resolution of Z axis feed unit are 3.21$\mu$m and 0.5 $\mu$m/step enough to apply to lithography.

• 한국산학기술학회논문지
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• 제8권4호
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• pp.743-747
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• 2007

반도체 소자 제작에 있어서 회로의 pattern 형성에 이용하는 차세대 lithography 공정 기술을 위해서 전자빔 lithography 공정 기술 연구가 진행되고 있다. 본 연구에서는 Gauss 해석법과 Monte Carlo의 수치해석법을 사용하여 두께 100 nm의 PMMA (poly-methyl-methacrylate) resist에 전자 $1{\times}10^4$를 입사시키고, 입사 전자빔 에너지에 따른 PMMA 내에서의 투과 깊이를 비교하였다. 전자빔 에너지의 크기는 100eV, 300eV, 500eV, 700eV, 그리고 1000eV에 대하여 simulation을 실시하였다.

• 한국정밀공학회지
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• 제26권6호
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• pp.7-13
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• 2009

• 한국진공학회지
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• 제12권3호
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• pp.182-192
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• 2003

밀리미터파 대역용 고속 PHEMT 소자 제작 및 개발을 위하여 다층 리지스트 및 다원자 기판 구조에서 전자빔 리소그래피 공정을 분석할 수 있는 새로운 몬테 카를로 시뮬레이션 모델을 개발하였다. 전자빔에 의해 다층 다원자 타겟 기판 구조에 전이되는 에너지를 정확하고 효율적으로 계산하기 위하여 다층 리지스트 및 다층 다원자 기판 구조에서 시뮬레이션 가능하도록 새로이 모델링하였다. 본 논문에서 제안 개발된 모델을 사용하여 PHEMT 소자의 전자빔 리소그래피에 의한 T-게이트 형성 공정을 시뮬레이션하고 SEM측정 결과와 비교 분석하여 타당성을 검증하였다.

• 대한전자공학회:학술대회논문집
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• 대한전자공학회 2004년도 하계종합학술대회 논문집(2)
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• pp.359-362
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• 2004

Electron beam on high energy acceleration, which travels deeply and sharply through photoresist, became to be used in e-beam lithography apparatus for nano-patterning in due to its high resolution. An advanced electron beam lithography simulation tool is currently undergoing development for nano-patterning. This paper will demonstrate such simulation efforts with experiments at 200 keV e-beam lithography processes on PMMA, ZEP520 of which photoresist parameters and characteristics will be explained with simulation results. Neureuther parameters was extracted from the contrast curve of the resist

• 대한전자공학회:학술대회논문집
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• 대한전자공학회 2002년도 하계종합학술대회 논문집(2)
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• pp.53-56
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• 2002

We have developed a Monte Carlo (MC) simulator for electron beam lithography in multi-layer resists and multi-layer substrates in order to fabricate and develop high-speed PHEMT devices for millimeter- wave applications. For the deposited energy calculation to multi-layer resists by electron beam in MC simulation, we modeled newly for multi-layer resists and heterogeneous multi-layer substrates. Using this model, we simulated T-gate or r-gate fabrication process in PHEMT device and showed our results with SEM observations.

• 한국광학회지
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• 제16권3호
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• pp.235-238
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• 2005

생산성 향상을 위하여 정렬된 마이크로칼럼을 이용하여 멀티-전자빔 리소그라피 장치를 개발하였다. 마이크로칼럼은 매우 작은 크기를 가지고 있어 병렬구조로 정렬하여 작동시킬 수 있다. Single Column Module(SCM) 구조의 멀티 전자빔 리소그라피 시스템과 전자칼럼을 제작하여 250 eV에서 300 eV 에너지 범위에서의 저에너지 마이크로칼럼 리소그라피를 성공적으로 수행하였다. 전자방출원에서 방출되는 전자빔의 총 전류가 $0.5\;{\mu}A$일 때, 샘플에서의 전류는 >1 nA으로 측정되었으며 리소그라피 패텅닝에서 사용된 working distance은 $\~1\;mm$였다.

• Transactions on Electrical and Electronic Materials
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• 제11권4호
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• pp.190-193
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• 2010

This report covers an effective fabrication method of graphene nanoribbon for top-gated field effect transistors (FETs) utilizing electron beam lithography with a bi-layer resists (XR-1541/poly methtyl methacrylate) process. To improve the variation of the gating properties of FETs, the residues of an e beam resist on the graphene channel are successfully taken off through the combination of reactive ion etching and a lift-off process for the XR-1541 bi-layer. In order to identify the presence of graphene structures, atomic force microscopy measurement and Raman spectrum analysis are performed. We believe that the lift-off process with bi-layer resists could be a good solution to increase gate dielectric properties toward the high quality of graphene FETs.

• 한국자기학회지
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• 제17권4호
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• pp.178-181
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• 2007

반도체의 고 집적회로를 형성하기 위하여 주로 이용하고 있는 광 리소그래피 기술을 대신하여 사용할 수 있는 차세대 리소그래피 기술로 전자빔 리소그래피 기술에 대한 연구가 진행되고 있다. 본 연구에서는 초소형 전자칼럼을 이용하여 전자빔 에너지와 조사농도에 따른 pattern 두께의 의존성을 조사하였으며 두께가 100nm인 $SiO_2$ 박막의 patterning을 통하여 $SiO_2$ 박막에 대한 저 에너지 전자빔 리소그래피 공정의 가능성을 입증하였다.

• 대한전자공학회논문지
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• 제22권5호
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• pp.87-92
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• 1985

전자빔 노광에서 근접효과를 보상하는데 필요한 EID 함수를 간단히 구하는 방법을 제시하였다. 최적화기법을 사용하여 EID함수의 파라메타를 구하였고 그 결과는 실험치와 잘 일치하였다.