Optimization of EID function for Proximity Effect in Electron Beam Lithography

저자-빔 Lithography 근접효과에 대한 노출강도 분포의 최적화법

  • Published : 1985.09.01

Abstract

A simple method to derive EID function which is necessary to compensate for the pro-ximity effect in electron-beam lithography is presented. Using optimization techniques, parameters of EID function is derived and well agreed with experimental valuta.

전자빔 노광에서 근접효과를 보상하는데 필요한 EID 함수를 간단히 구하는 방법을 제시하였다. 최적화기법을 사용하여 EID함수의 파라메타를 구하였고 그 결과는 실험치와 잘 일치하였다.

Keywords