• 제목/요약/키워드: Dual Program Voltage

검색결과 17건 처리시간 0.021초

Dual Frequency Switchable Flexoelectric Cholesteric Devices

  • Chien, Liang-Chy;Shi, Lei
    • 한국정보디스플레이학회:학술대회논문집
    • /
    • 한국정보디스플레이학회 2005년도 International Meeting on Information Displayvol.I
    • /
    • pp.105-108
    • /
    • 2005
  • We demonstrate an electro-optical device based on the flexoelectric effect of a short-pitched cholesteric liquid crystal. By using a dual-frequency switchable nematic, a small amount of chiral dopant and a small amount of phase-separated polymer localized on the surface, we were able to create a device that operates in amplitude (flexoelectric) and phase(dielectric) modes. At high frequency the dual frequency liquid crystal suppresses the phase mode at higher voltage, which improves the switching speed, and thereby preserving the in-plane-switching mode.

  • PDF

Various Pattern-Forming States of Nematic Liquid Crystal Based on the Sign Inversion of Dielectric Anisotropy

  • Kang, Shin-Woong;Chien, Liang-Chy
    • Macromolecular Research
    • /
    • 제15권5호
    • /
    • pp.396-402
    • /
    • 2007
  • The dielectric properties and various pattern-forming states of dual-frequency material in a nematic phase, as well as its mixture containing low concentrations of reactive monomers, are reported. The dielectric relaxation behaviors of nematic MLC 2048 are presented and compared to its mixture containing both mesogenic and nonmesogenic reactive monomers. The sign-inversion frequency of the dielectric anisotropy was significantly shifted on the addition of small amounts of the reactive monomers. However, all three mixtures used in this study essentially exhibited the same field-induced instabilities at different frequencies and voltage domains of the applied electric field. A broad band of modulated states were found to exist above a critical voltage and within a voltage dependent frequency band in the vicinity of the sign-inversion frequency, $f_I$, of the dielectric anisotropy. As the $f_I$ of the mixtures shifted, so did the bands of the modulated state of the different mixtures and the temperatures, which were well matched with the measured $f_I$ value.

저전력 OTP Memory IP 설계 및 측정 (Design of low-power OTP memory IP and its measurement)

  • 김정호;장지혜;김려연;하판봉;김영희
    • 한국정보통신학회논문지
    • /
    • 제14권11호
    • /
    • pp.2541-2547
    • /
    • 2010
  • 본 논문에서는 대기 상태에서 저전력 eFuse OTP 메모리 IP틀 구현하기 위해 속도가 문제가 되지 않는 반복되는 블록 회로에서 1.2V 로직 트랜지스터 대신 누설 (off-leakage) 전류가작은 3.3V의 MV (Medium Voltage) 트랜지스터로 대체하는 설계기술을 제안하였다. 그리고 읽기 모드에서 RWL (Read Word-Line)과 BL의 기생하는 커패시턴스를 줄여 동작전류 소모를 줄이는 듀얼 포트 (Dual-Port) eFuse 셀을 사용하였다. 프로그램 전압에 대한 eFuse에 인가되는 프로그램 파워를 모의실험하기 위한 등가회로를 제안하였다. 하이닉스 90나노 CMOS 이미지 센서 공정을 이용하여 설계된 512비트 eFuse OTP 메모리 IP의 레이아웃 크기는 $342{\mu}m{\times}236{\mu}m$이며, 5V의 프로그램 전압에서 42개의 샘플을 측정한 결과 프로그램 수율은 97.6%로 양호한 특성을 얻었다. 그리고 최소 동작 전원 전압은 0.9V로 양호하게 측정되었다.

Power Management IC용 One-Time Programmable Memory Cell 설계 (Design of a One-Time Programmable Memory Cell for Power Management ICs)

  • 전황곤;여억녕;김려연;김두휘;장지혜;이재형;하판봉;김영희
    • 한국정보통신학회:학술대회논문집
    • /
    • 한국해양정보통신학회 2010년도 추계학술대회
    • /
    • pp.84-87
    • /
    • 2010
  • 본 논문에서는 power management IC에 사용되는 아날로그 트리밍용 antifuse OTP 셀을 제작하였다. VPP (=7V)와 VNN (=-5V)의 Dual program voltage를 이용하는 antifuse OTP 셀은 antifuse 양단에 hard breakdown 이상의 전압을 인가하여 thin gate oxide를 breakdown시킨다. $0.18{\mu}m$ BCD 공정을 이용하여 제작된 antifuse OTP 셀의 면적은 $48.01{\mu}m^2$으로 eFuse OTP 셀 면적의 44.6% 수준이다. 20개의 테스트 패턴을 측정한 결과 프로그램 후 antifuse의 저항은 수 $k{\Omega}$ 이하로 양호하게 측정되었다.

  • PDF

PMIC용 저면적 Dual Port eFuse OTP 메모리 IP 설계 (Deign of Small-Area Dual-Port eFuse OTP Memory IP for Power ICs)

  • 박헌;이승훈;박무훈;하판봉;김영희
    • 한국정보전자통신기술학회논문지
    • /
    • 제8권4호
    • /
    • pp.310-318
    • /
    • 2015
  • 본 논문에서는 cell 사이즈가 작은 dual port eFuse OTP(One-Time Programmable)를 사용하면서 VREF(Reference Voltage) 회로를 eFuse OTP IP(Intellectual Property)에 하나만 사용하고 S/A(Sense Amplifier) 기반의 D F/F을 사용하는 BL(Bit-Line) 센싱 회로를 제안하였다. 제안된 센싱 기술은 read current를 6.399mA에서 3.887mA로 줄일 수 있다. 그리고 아날로그 센싱을 하므로 program-verify-read 모드와 read 모드에서 프로그램된 eFuse의 센싱 저항은 각각 $9k{\Omega}$, $5k{\Omega}$으로 낮출 수 있다. 그리고 설계된 32비트 eFuse OTP 메모리의 레이아웃 면적은 $187.845{\mu}m{\times}113.180{\mu}m$ ($=0.0213mm^2$)으로 저면적 구현이 가능한 것을 확인하였다.

혼합형 전압안정도 해석 (Hybrid Voltage Stability Analysis)

  • 김원겸;김건중;주운표;이상중
    • 대한전기학회논문지:전력기술부문A
    • /
    • 제49권2호
    • /
    • pp.43-49
    • /
    • 2000
  • It is a complex process to analyze power system voltage stability problems with all of the dynamics of a system, because a large power network system sophisticatedly consists of generators, lines, loads and so forth. So we considered the dynamics of loads so as to analyze voltage stability method- by carrying out an analysis of steady state voltage stability and dynamic voltage stability simultaneously. To perform a steady state voltage stability program in advance makes it possible to cut down on laborious calculations so that an analysis of dynamic voltage stability becomes concise. The validity and efficiency of the method presented in this paper were verified by applying the IEEE 14 bus system.

  • PDF

로직 공정 기반의 MTP IP용 DC-DC 컨버터 설계 (Design of DC-DC converter for a logic process MTP memory IPs)

  • 박헌;이승훈;진교홍;하판봉;김영희
    • 한국정보통신학회:학술대회논문집
    • /
    • 한국정보통신학회 2015년도 춘계학술대회
    • /
    • pp.832-836
    • /
    • 2015
  • 본 논문에서는 센서 응용에 아날로그 회로 트리밍이나 chip ID 저장에 사용되는 로직 공정 기반의 Dual Program Voltage를 이용한 MTP (Multi-Time Programmable) IP (Intellectual Property)용 DC-DC 컨버터를 설계하였다. DC-DC 컨버터는 VPP (=5.25V), VNN (=-5.25V)과 VNNL ($=2{\cdot}VNN/5$)의 전압을 공급하는 회로로 MOS 커패시터를 사용하였고, 3.3V 소자만 사용하여 설계하였다. VPP와 VNN은 각각 2단과 5단으로 구성되어 있다. 그리고 펌핑전류는 VPP와 VNN 각각 $9.17{\mu}A$$9.7{\mu}A$이다.

  • PDF

IMT-2000/5.7㎓ 무선 LNA용 이중공진 안테나의 설계 및 구현 (Design and Implementation of Dual Band Antenna for IMT-2000 and 5.7㎓ Wireless Local Area Network)

  • 김창일;김주성;공성신;양운근
    • 한국전자파학회:학술대회논문집
    • /
    • 한국전자파학회 2002년도 종합학술발표회 논문집 Vol.12 No.1
    • /
    • pp.237-240
    • /
    • 2002
  • In this paper, we designed and implemented the dual band antenna for IMT-2000 and 5.7㎓ WLAN(Wireless Local Area Network). The antenna was designed by using 3D simulations program, HFSS(High Frequency Structure Simulator). The electrical characteristics were measured by using HP 8720C network analyzer and measured maximum S$\sub$11/ was -25㏈, and maximum VSWR(Voltage Standing Wavc Ratio) was 1.26 for all frequency bands of interests in IMT-2000 and 5.7㎓ WLAN. Simulation results for antenna gain at 2㎓ and 5.7㎓ were 1.31㏈i and 4.1㏈i with omni directional radiation pattern. Implemented antenna is compact sized and can be produced in low cost enough for commercialization.

  • PDF

전기적 퓨즈 프로그래밍을 이용한 1T-SRAM 리페어용 리던던시 제어 회로 설계 (Design of a redundancy control circuit for 1T-SRAM repair using electrical fuse programming)

  • 이재형;전황곤;김광일;김기종;여억녕;하판봉;김영희
    • 한국정보통신학회논문지
    • /
    • 제14권8호
    • /
    • pp.1877-1886
    • /
    • 2010
  • 본 논문에서는 전기적인 퓨즈 프로그래밍을 이용한 1T-SRAM 리페어용 리던던시 제어 회로를 설계하였다. 공급전원이 낮아지더라도 외부 프로그램 전원을 사용하여 높은 프로그램 파워를 eFuse (electrical fuse)에 공급하면서 셀의 읽기 전류를 줄일 수 있는 듀얼 포트 eFuse 셀을 제안하였다. 그리고 제안된 듀얼 포트 eFuse 셀은 파워-온 읽기 기능으로 eFuse의 프로그램 정보가 D-래치에 자동적으로 저장되도록 설계하였다. 또한 메모리 리페어 주소와 메모리 액세스 주소를 비교하는 주소 비교 회로는 dynamic pseudo NMOS 로직으로 구현하여 기존의 CMOS 로직을 이용한 경우 보다 레이아웃 면적을 19% 정도 줄였다. 전기적인 퓨즈 프로그래밍을 이용한 1T-SRAM 리페어용 리던던시 제어 회로는 동부하이텍 $0.11{\mu}m$ Mixed Signal 공정을 이용하여 설계되었으며, 레이아웃 면적은 $249.02{\times}225.04{\mu}m^{2}$이다.

저전압 배터리 충전용 절연형 양방향 DC-DC 컨버터 (Isolated bidirectional DC-DC Converter for low voltage battery charger)

  • 정동근;류명효;백주원;김희제
    • 전력전자학회:학술대회논문집
    • /
    • 전력전자학회 2013년도 전력전자학술대회 논문집
    • /
    • pp.198-199
    • /
    • 2013
  • 본 논문은 군용 UPS 시스템에서 Dual Active Bridge(DAB) 컨버터를 이용한 절연형 양방향 배터리 충전기를 제안한다. 일반적인 군용 UPS 시스템은 AC-DC 정류기, DC-AC 인버터, 양방향 DC-DC 컨버터, 배터리 충전기, 배터리로 구성되며, 여러 부하상태들에 대한 지속적인 전력공급을 위하여 안정적인 에너지 저장 시스템이 요구된다. 다양한 양방향 DC-DC 컨버터들 중, DAB 컨버터는 buck, boost 동작이 가능한 고효율 절연형 양방향 컨버터이다. 본 논문에서는 6kW(입력 380Vdc, 출력 32/21Vdc) DAB 컨버터에 대한 토폴로지 분석하고, 파라미터 및 제어 알고리즘 설계를 제안하고 시제품을 통해 이를 검증하였다.

  • PDF