Reactive Ion Etching Characteristics of Aluminum Oxide Films Prepared by PECVD in $CCl_4$ Dry Etch Plasma
(플라즈마 화학증착한 알루미늄 산화박막의 $CCl_4$ 플라즈마에서의 반응성 이온식각 특성)
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- Journal of the Korean Ceramic Society
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- v.31 no.5
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- pp.485-490
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- 1994