• 마이크로전자및패키징학회지
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• 제27권1호
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• pp.17-24
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• 2020

As an interconnect scaling faces a technical bottleneck, the device stacking technologies have been developed for miniaturization, low cost and high performance. To manufacture a stacked device structure, a vertical interconnect becomes a key process to enable signal and power integrities. Most bonding materials used in stacked structures are currently solder or Cu pillar with Sn cap, but copper is emerging as the most important bonding material due to fine-pitch patternability and high electrical performance. Copper bonding has advantages such as CMOS compatible process, high electrical and thermal conductivities, and excellent mechanical integrity, but it has major disadvantages of high bonding temperature, quick oxidation, and planarization requirement. There are many copper bonding processes such as dielectric bonding, copper direct bonding, copper-oxide hybrid bonding, copper-polymer hybrid bonding, etc.. As copper bonding evolves, copper-oxide hybrid bonding is considered as the most promising bonding process for vertically stacked device structure. This paper reviews current research trends of copper bonding focusing on the key process of Cu-SiO₂ hybrid bonding.

• Journal of Magnetics
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• 제6권3호
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• pp.83-85
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• 2001

The magnetoresistance properties of NiO/NiFe/Cu/NiFe spin valve film deposited on MgO(100) substrate with YBa$_2$$Cu_3O_7$(YBCO) film were investigated at room temperature and at 77 K. The magnetoresistance (MR) curves of the hybrid superconductor-magnetoresistor film structure showed an exchange coupling field of 300 Oe and an inverse magnetoresistance ratio of -6.5%. The magnetization configurations of the two magnetic layers in the NiO spin valve were antiparallel due to an increment in the conduction electron flow to superconductor YBCO film. This sample showed an inverse MR ratio.

• Bulletin of the Korean Chemical Society
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• 제26권12호
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• pp.2054-2056
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• 2005

• 대한화학회지
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• 제50권1호
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• pp.60-64
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• 2006

구조의 유기-무기 혼성화합물 Cu2(OH)3(CH3COO)·H2O를 선구물질로 사용하여 Cu2O를 합성하였다. 75oC의 수용액에서 Cu2(OH)3(CH3COO)·H2O를 글루코오스로 환원시켜서 정육면체 Cu2O를 합성하였다. 선구물질과 글루코오스의 효과를 조사하였다. Cu2(OH)3(CH3COO)·H2O의 구조는 균일한 크기의 Cu2O를 만드는데 중요한 역할을 한다.

• 한국재료학회지
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• 제22권11호
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• pp.587-590
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• 2012

Recently, the demand for the miniaturization of package substrates has been increasing. Technical innovation has occurred to move package substrate manufacturing steps into CMP applications. Electroplated copper filled trenches on the substrate need to be planarized for multi-level wires of less than $10{\mu}m$. This paper introduces a chemical mechanical planarization (CMP) process as a new package substrate manufacturing step. The purpose of this study is to investigate the effect of surfactant on the dishing and erosion of Cu patterns with the lines and spaces of around $10/10{\mu}m$ used for advanced package substrates. The use of a conventional Cu slurry without surfactant led to problems, including severe erosion of $0.58{\mu}m$ in Cu patterns smaller than $4/6{\mu}m$ and deep dishing of $4.2{\mu}m$ in Cu patterns larger than $14/16{\mu}m$. However, experimental results showed that the friction force during Cu CMP changed to lower value, and that dishing and erosion became smaller simultaneously as the surfactant concentration became higher. Finally, it was possible to realize more globally planarized Cu patterns with erosion ranges of $0.22{\mu}m$ to $0.35{\mu}m$ and dishing ranges of $0.37{\mu}m$ to $0.69{\mu}m$ by using 3 wt% concentration of surfactant.

• 한국결정성장학회지
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• 제14권4호
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• pp.135-139
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• 2004

층상 구조인 유기-무기 혼성 화합물인 ($C_6H_5CH_2NH_3)_2CuCl_4$ 와($NH_3C_6/H_4C_2H_4_6/H_4NH_3)CuCl_4$를 직접 합성하였다. X-선 회절 데이터와 유기분자의 길이로부터 층간 삽입된 유기화합물인 아민의 배열을 결정하였다. 무기화합물 층은 정육면체 구석을 공유하고 있는 염화구리의 $CuCl_4^{2-}$ 층으로 구성되어 있다. ($C_6/H_5/CH_2NH_3)_2CuCl_4$의 경우는 양성자화 된 유기화합물 아민이 $CuCl_4^{2-}$ 층 안에 이중 층 구조로 삽입되어 있고, ($NH_3C_6/H_4C_2H_4C_6H_4NH_3)CuCl_4$의 경우는 단일 층 구조로 삽입되어있다.

• Journal of Magnetics
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• 제17권4호
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• pp.261-264
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• 2012

Interfacial properties of 5 nm MgO(001)/7 nm Fe(001)/1.8 nm MgO(001)/t nm Cu-phthalocyanine (CuPc) hybrid multilayers with t = 0, 1, 7, and 10 were investigated by using x-ray photoemission spectroscopy (XPS). Rather sharp interfacial properties were observed in the CuPc films grown on an epitaxial MgO/Fe/MgO(001) trilayer than a MgO/Fe(001) bilayer. This work suggests a new way to improve device performance of organic spintronic devices by utilizing an artificially grown MgO(001) thin layer.

• 한국자기학회지
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• 제22권5호
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• pp.162-166
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• 2012

Fe(100)/MgO(100)/CuPc/Co 자성터널접합 소자의 온도에 따른 전압-전류 특성 변화를 관찰하였다. 화학적 열적 안정성이 비교적 우수한 Cu-Phthalocyanine(CuPc)의 유기박막을 에피성장된 2 nm MgO(100) 박막 위에 2~10 nm 두께로 적층하여 두 강자성 Fe(100)와 Co 전극 사이의 무기-유기 복합 절연격벽으로 이용하였다. 저온 77 K에서 측정된 거대자기저항현상은 CuPc의 두께가 증가함에 따라 급격히 감소하여 10 nm의 CuPc 두께의 경우 전하축적에 의한 쌍안정 스위칭 거동(bistable switching behavior)이 관찰되었다. 이 스위칭 거동은 약 240 K의 온도에 이르면서 점차 소멸되어 상온에서는 정류기와 유사한 비대칭적 전압-전류 특성을 보였다. 이 연구에서 우리는 MgO/CuPc 층상구조에대해 유기물 스핀소자의 절연격벽뿐만 아니라 Polymer Random Access Memory(PoRAM)를 위한 응용 가능성에 대해 논하였다.

• 마이크로전자및패키징학회지
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• 제31권3호
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• pp.1-9
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• 2024

본 논문은 반도체 패키징 기술의 발전에서 Cu/Polymer 하이브리드 본딩 기술의 중요성을 다룬다. 인공지능(AI) 시대의 요구에 부응하여, 반도체 업계는 높은 I/O 수, 저전력, 고열 방출, 다기능성, 소형화를 달성하기 위해 이종 집적 패키징 기술을 탐구하고 있다. 기존의 Cu/SiO₂ 하이브리드 구조는 1nm 이하의 표면거칠기 달성을 위한 CMP 공정과의 호환성 및 파티클 원인의 접합부 결함 발생 등의 한계점이 존재하지만, Polymer를 사용한 Cu/Polymer 하이브리드 본딩 기술이 이를 극복할 수 있는 대안으로 주목받고 있다. 본 연구는 Cu/Polymer 하이브리드 본딩에 필요한 Polymer의 증착, 패터닝, 그리고 물성 변화를 중점적으로 탐구하며, 이를 통해 Cu/Polymer 하이브리드 본딩 구조가 기존 기술 대비 갖는 장점과 잠재적 응용 가능성을 제시한다. 특히, 낮은 유리전이온도(Tg)를 가진 Polymer의 사용이 가질 수 있는 저온 접합 공정에서의 이점과 높은 열팽창계수로 인한 기계적 특성의 향상에 대해 논의된다. 또한, Polymer의 표면 특성 변화와 플라즈마 처리를 통한 접합 메커니즘의 개선을 다루며, 본 연구는 Cu/Polymer 하이브리드 본딩 기술이 반도체 업계의 고성능, 저전력 소자 개발에 기여할 수 있는 중요한 돌파구가 될 것임을 강조한다.

• 한국분말재료학회지
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• 제22권3호
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• pp.169-174
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• 2015

The optical film for light luminance improvement of BLU that is used in LCD/LED and retro-reflective film is used as luminous sign consist of square and triangular pyramid structure pattern based on V-shape micro prism pattern. In this study, we analyzed machining characteristics of Cu-plated flat mold by shaping with diamond tool. First, cutting conditions were optimizing as V-groove machining for the experiment of micro prism structure mold machining with prism pattern shape, cutting force and roughness. Second, the micro prism structure such as square and triangular pyramid pattern were machined by cross machining method with optimizing cutting conditions. Burr and chip shape were discussed with material properties and machining method.