• 한국컴퓨터정보학회:학술대회논문집
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• 한국컴퓨터정보학회 2020년도 제62차 하계학술대회논문집 28권2호
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• pp.609-612
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• 2020

최근 코로나 19에 대한 세계적인 팬데믹 선언에 의해 의료서비스의 변화가 오고 있다. 특히, 국내 법제도적으로 묶여 있던 원격 서비스에 대한 재검토가 되고 있는 실정이다. 본 논문에서 제안하는 커넥티드 라디올로지 케어 시스템은 모바일 의료영상진단기기를 기반으로 의료사각지대에 있는 환자들의 영상촬영과 이에 대한 판독 서비스를 제공하기 위한 시스템이다. 제안한 시스템은 의료환경에 적용하기 위해 환자의 개인정보 보호를 위한 방법과 절차가 반드시 포함되어야 한다. 이를 위해 전체 시스템 구조와 익명화 처리과정을 보인다. 그리고 끝으로 구축된 시스템의 수행과정을 보인다.

• 한국정보처리학회:학술대회논문집
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• 한국정보처리학회 2020년도 춘계학술발표대회
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• pp.16-19
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• 2020

본 논문은 국제표준화인 OHDSI OMOP-CDM 의 확장으로 의료영상 표준기반의 R_CDM 으로 변환하고 그 데이터를 기반으로 다기관 임상연구를 위한 관리시스템에 대해 기술한다. 이를 위해 기존 공통데이터모델과 연계에 중점을 두어 DICOM 태그정보를 기반으로 의료영상 표준 모델의 스키마와 다기관 연구를 위한 Report 정보를 포함하여 모델링하였다. 이를 기반으로 머신러닝 기술개발을 위한 데이터 셋 생성과 관리를 위한 웹 기반 시스템 구조와 기능에 대해서 기술한다. 끝으로 구현된 시스템에서 제공하는 웹 서비스 수행 결과를 보인다.

• 공업화학전망
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• 제20권2호
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• pp.13-24
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• 2017

태양전지는 온실 가스 감축에 효과가 큰 기후 변화 대응 기술이다. 현재 상업화에 성공한 실리콘 태양전지의 뒤를 이어 박막 태양전지, 페로브스카이트 태양전지 등 차세대 태양전지가 가격과 효율 등을 극복하기 위하여 매우 많이 연구되고 있다. CZT(S,Se) 박막 태양전지는 차세대 태양전지의 유력 후보군인 CIGS, CdTe, 페로브스카이트 태양전지 등에 비해 범용 무독성 원소를 광흡수층으로 사용한다는 장점을 가지고 있지만 아직까지는 이들보다 효율이 낮아 상용화하기에는 많은 문제를 가지고 있다. CZT(S,Se) 박막태양전지의 기본적인 물성, 공정 등을 알아보고 고효율을 달성하는 방법에 대하여 알아보고자 한다.

• 한국지리정보학회지
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• 제18권2호
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• pp.105-119
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• 2015

포화상태인 국내 공간정보산업시장을 확장하기 위해서는 해외 진출이 필수적이나, 현재의 공간정보산업 해외 진출 방식은 시장 확장에 한계를 보이고 있다. 산업 간 융합을 통한 공간정보산업 해외 진출은 인접 ODA 재원을 활용한 해외 진출을 가능하게 하고 국제 경쟁력을 보유한 산업과의 융합을 통한 선진국 진출을 가능하게 할 수 있다는 점에서 시장 확장의 대안이 될 수 있다. 본 연구는 이러한 산업 간 융합 방안을 수립하기 위해 먼저 복수의 해외 국가에 대한 상세 현황 조사를 수행하여 개발도상국 및 선진국의 수요를 분석하였다. 수요 분석 결과 산업 간 융합을 위해서 는 융합 용이성, 표준에 기반한 정보의 보안성, 열악한 인프라 극복, 다양한 수요 대응체계, 유지 보수체계의 마련이 필요하다는 것을 밝히고 이러한 수요를 충족시키기 위한 기술적/방법론적/법제도적 융합 기반을 모색하였다.

• Composites Research
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• 제31권2호
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• pp.57-62
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• 2018

순수한 유리섬유와 두 가지 사이징제가 코팅된 유리섬유/폴리디사이클로펜타디엔(p-DCPD) 복합재료의 계면물성 및 상온($25^{\circ}C$)과 저온($-20^{\circ}C$)에서의 기계적 물성을 평가하였다. 섬유의 사이징제를 용출하기 위하여 아세톤을 이용하였고, 용액을 건조 후 각각의 용출물에 대하여 적외선 분광 분석을 통해 비교하였다. 동적접촉각 측정을 통하여 섬유와 p-DCPD의 표면에너지를 분석하였고 이를 통하여 접착일을 계산하였다. 서로 다른 유리섬유의 기계적 물성을 알아보기 위하여 단섬유 인장실험을 진행하였고, 단섬유와 p-DCPD의 계면적 물성을 알아보기 위하여 반복인장하중실험을 진행하였다. 상온 및 저온에서의 기계적 물성을 알아보기 위하여 인장, 굴곡, 아이조드 충격실험을 진행하였다. 실험결과 표면의 인자에 따라 계면 및 기계적 물성이 달라지는 것을 볼 수 있었다.

• Composites Research
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• 제30권3호
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• pp.175-180
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• 2017

탄소섬유 강화 복합재료는 가볍고, 우수한 물성을 가지고 있기 때문에 그 수요는 급격하게 증가되고 있다. 그에 따라, 탄소섬유 강화 복합재료의 기지로 재활용이 가능한 열가소성 수지를 사용한 복합재료 연구를 많이 진행하고 있다. 본 연구에서는 재활용 PET를 이용하여 재활용 복합재료에 대한 활용성 평가를 하였다. PET는 음료수 병으로 활용되는 폐기물을 수집하여 PET 필름을 제조하는 과정을 거쳤으며, PET 필름을 제조하기 위한 성형 온도와 시간의 차이에 따른 기계적 물성을 비교하여 최적의 성형온도와 시간을 분석하였다. 이를 바탕으로 재활용 PET 필름과 탄소섬유 매트를 이용하여 CF/PET 복합재료를 최적으로 성형하기 위한 변수를 관찰하였다. 성형 조건에 따른 기계적 물성을 굴곡시험으로 확인하였고, PET 필름이 탄소섬유 매트 내에 함침 되는 정도를 단면 사진으로, 그리고 계면 성질을 층간전단강도로 평가하였다. 궁극적으로 최적의 기계적 물성을 가지는 CF/PET 복합재료를 성형하기 위한 성형 조건이 $270^{\circ}C$와 5분임을 확인했다.

• ETRI Journal
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• 제43권6호
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• pp.1103-1112
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• 2021

In this study, we present a venting clip for high-power applications that is intended to reduce stray inductance. To reduce the stray inductance of packages in high-power applications, the proposed venting clip features slots are inserted onto a conventional clip. A conventional clip and the proposed venting clip were designed and fabricated to compare the respective stray inductance. The inductance of the proposed venting clip was approximately 15.8% than that of the conventional clip at a frequency of 100 kHz. Through a comparison between the conventional and venting clips, it is confirmed that the proposed venting clip is superior for high-power applications in terms of decreasing inductance. With reduced inductance, the switching-loss for such applications is also expected to decrease. Moreover, the impedance of the venting clip decreased by approximately 15.5% compared with that of the conventional clip at a frequency of 100 kHz. The venting clip, which has reduced resistive component, is also expected to decrease conduction loss in highpower applications.

• ETRI Journal
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• 제31권6호
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• pp.660-666
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• 2009

We investigate the effects of interfacial dielectric layers (IDLs) on the electrical properties of top-gate In-Ga-Zn-oxide (IGZO) thin film transistors (TFTs) fabricated at low temperatures below $200^{\circ}C$, using a target composition of In:Ga:Zn = 2:1:2 (atomic ratio). Using four types of TFT structures combined with such dielectric materials as $Si_3N_4$ and $Al_2O_3$, the electrical properties are analyzed. After post-annealing at $200^{\circ}C$ for 1 hour in an $O_2$ ambient, the sub-threshold swing is improved in all TFT types, which indicates a reduction of the interfacial trap sites. During negative-bias stress tests on TFTs with a $Si_3N_4$ IDL, the degradation sources are closely related to unstable bond states, such as Si-based broken bonds and hydrogen-based bonds. From constant-current stress tests of $I_d$ = 3 ${\mu}A$, an IGZO-TFT with heat-treated $Si_3N_4$ IDL shows a good stability performance, which is attributed to the compensation effect of the original charge-injection and electron-trapping behavior.

• 지식경영연구
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• 제20권1호
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• pp.77-99
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• 2019

This study aims to examine validity and reliability of the convergence talent measurement. Based on the comprehensive literature review on convergence and convergence talent, we draw 4 main competencies (convergence cognitive, accomplishment, problem solving, and attitude) and 10 critical aspects (creative thinking, critical thinking, cooperation, communication, problem-solving, knowledge accessibility, resource utilization, trust, openness, caring) for building an effective convergence-oriented organization. A validity and reliability test survey were conducted for the analysis to investigate the convergence talent scale. With a data of 151 employees in diverse companies, the results show that the factors demonstrated acceptable levels of validity and reliability. The empirical evidences of our study are 10 key aspects comprising four main dimensions which suggest an available scale for measuring the convergent talent for enhancing convergence-oriented organizations. Our research contributes to the expansion of academic and practical implications on convergence, especially in convergence-oriented organizations.

• JSTS:Journal of Semiconductor Technology and Science
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• 제6권1호
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• pp.10-15
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• 2006

Various sizes of erbium/platinum silicided n/p-type Schottky barrier metal-oxide-semiconductor field effect transistors (SB-MOSFETs) are manufactured from $20{\mu}m$ to 10nm. The manufactured SB-MOSFETs show excellent DIBL and subthreshold swing characteristics due to the existence of Schottky barrier between source and channel. It is found that the minimization of trap density between silicide and silicon interface and the reduction of the underlap resistance are the key factors for the improvement of short channel characteristics. The manufactured 10 nm n-type SBMOSFET showed $550{\mu}A/um$ saturation current at $V_{GS}-V_T$ = $V_{DS}$ = 2V condition ($T_{ox}$ = 5nm) with excellent short channel characteristics, which is the highest current level compared with reported data.