• 대한전자공학회:학술대회논문집
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• 대한전자공학회 2005년도 추계종합학술대회
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• pp.619-622
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• 2005

본 논문에서는 서로 다른 Si 두께 ($T_{Si}$ = 27, 50 nm) 를 갖는 SOI (Silicon On Insulator) 기판 위에 다양한 두께의 Ni/Co를 순차적으로 증착한 후 Bulk-Si과의 비교를 통해 Silicide의 형성 특성에 대하여 분석하였다. 우선 급속 열처리 (RTP, Rapid Thermal Processing) 를 통하여 Silicide를 형성한 후 측정결과 Si두께에 따라 Silicide의 특성이 달라짐을 확인하였다. 두꺼운 두께의 Si-film을 갖는 SOI 기판을 사용한 경우 증착된 금속의 두께에 따라 Bulk-Si와 비슷한 면저항 특성을 보였으나, 얇은 두께의 Si-film을 갖는 SOI기판을 사용한 경우에는 제한된 Si의 공급으로 인한 Silicide의 비저항 증가로 인하여 증착된 금속의 두께에 따라 면저항이 감소하다가 다시 증가하는 'V' 자형 곡선을 나타내었다.

• 한국산학기술학회논문지
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• 제8권5호
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• pp.1042-1046
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• 2007

본 연구에서는 제 3의 화학 원소 첨가에 의한 코발트 실리사이드와 니켈 실리사이드의 열적 안정성 향상 메카니즘을 조사하였다. 즉, Co-Si 시스템에 텅스텐을 첨가하는 경우 CoSi의 heat of formation이 증가하는 것으로 관찰되었다. 이러한 증가는 시스템 에너지 감속 속도의 최대화로 대변되는 실리사이드 형성 kinetics가 선호하는 glass의 형성을 억제하는 것으로 밝혀졌다. 이 경우 CoSi와 실리콘 기판 사이의 계면에 형성되는 다결정 구조는 glass의 self-diffusion보다 확산계수가 훨씬 작아 상 변이를 위해서는 보다 높은 열에너지를 요구하게 되어 궁극적으로 CoSi의 열적 안정성이 향상되는 것을 알 수 있었다.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2006년도 추계학술대회 논문집 Vol.19
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• pp.15-16
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• 2006

The thermal stability of nickel silicide with compressively and tensilely stressed nitride capping layer has been investigated in this study. The Ni (10 nm) and Ni/Co/TiN (7/3/25 nm) structures were deposited on the p-type Si substrate. The stressed capping layer was deposited using plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD) after silicide formation by one-step rapid thermal process (RTP) at $500^{\circ}C$ for 30 sec. It was found that the thermal stability of nickel silicide depends on the stress induced by the nitride capping layer. In the case of Ni (10 nm) structure, the high compressive sample shows the best thermal stability, whereas in the case of Ni/Co/TiN (7/3/25 nm) structure, the high compressive sample shows the worst thermal stability.

• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 1989년도 추계학술대회 논문집 학회본부
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• pp.122-126
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• 1989

A composite polycide struoture consisting of refractory metal and noble metal silicide film on top of polysilicon bas been considered as a replacement for polysilicon as a gate electrode and Interconnect line in MOSFET integrated circuits. In this paper presents divice characteristics of NOS with $TiSi_2/n^+$polyoide and $CoSi_2/n^+$polycide gate. Also, evaporated Ti,Co films on polysilicon has been annealed by RTA and furnace annealing in $N_2$ abient at temperature of $400^{\circ}C-1000^{\circ}C$. The Ti-,Co-silioide formation is characterized by 4-point probe, silicide growth rate and Its reproductivity bas been examined by SEM.

• 전자공학회논문지D
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• 제35D권5호
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• pp.87-92
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• 1998

Ultr shallow p$^{+}$-n junction with Co/Ti bilayer silicidde contact was formed by ion implantation of BF$_{2}$ [energy : (30, 50)keV, dose:($5{\times}10^{14}$, $5{\times}10^{15}$/$\textrm{cm}^2$] onto the n-well Si(100) region and by RTA-silicidation and post annealing of the evaporated Co(120.angs., 170.angs.)/Ti(40~50.angs.) double layer. The sheet resistance of the silicided p$^{+}$ region of the p$^{+}$-n junction formed by BF2 implantation with energy of 30keV and dose of $5{\times}10^{15}$/$\textrm{cm}^2$ and Co/Ti thickness of $120{\AA}$/(40~$50{\AA}$) was about $8{\Omega}$/${\box}$. The junction depth including silicide thickness of about $500{\AA}$ was 0.14${\mu}$. The fabricated p$^{+}$ -n ultra shallow junction depth including silicide thickness of about $500{\AA}$ was 0.14${\mu}$. The fabricated p$^{+}$-n ultra shallow junction with Co/Ti bilayer silicide contact did not show any agglomeration or variation of sheet resistance value after post annealing at $850^{\circ}C$ for 30 minutes. The boron concentration at the epitaxial CoSi$_{2}$/Si interface of the fabricated junction was about 6*10$6{\times}10^{19}$ / $\textrm{cm}^2$./TEX>.

• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제16권5호
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• pp.390-396
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• 2003

As the design rule of device continued to shrink, the contact resistance in small contact size became important. Although the conventional TiN/Ti structure as a ohmic layer has been widely used, we propose a new TiN/Co film structure. We characterized a contact resistance by using a chain pattern and a KELVIN pattern, and a leakage current determined by current-voltage measurements. Moreover, the microstructure of TiN/ Ti/ silicide/n$\^$+/ contact was investigated by a cross-sectional transmission electron microscope (TEM). The contact resistance by the Co ohmic layer showed the decrease of 26 % compared to that of a Ti ohmic layer in the chain resistance, and 50 ％ in KELYIN resistance, respectively. A Co ohmic layer shows enough ohmic behaviors comparable to the Ti ohmic layer, while higher leakage currents in wide area pattern than Ti ohmic layer. We confirmed that an uniform silicide thickness and a good interface roughness were able to be achieved in a CoSi$_2$ Process formed on a n$\^$+/ silicon junction from TEM images.

• 반도체디스플레이기술학회지
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• 제7권2호
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• pp.1-5
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• 2008

Silicide formation process and the formation sequence were investigated in this study. It was postulated that the formation of the second silicide phase involves glass formation between the first silicide phase and Si given that a thin metal film is deposited on a Si substrate. The concentration of glass was assumed to be located where the free energy of the liquid alloy with respect to the first nucleated compound and solid Si (${\Delta}$G') is most negative. It was also mentioned that the glass concentration is close to the composition of the second phase in order to achieve the maximum energy degradation. It was shown that the minimum ${\Delta}$G' concentration can be estimated by interpolating the portion of the liquidus where the liquid alloy is in equilibrium with the two solid constituents, namely the first compound phase and Si, thereby forming a hypothetical eutectic.

• 한국산학기술학회논문지
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• 제18권4호
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• pp.1-7
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• 2017

염료감응형 태양전지 촉매층으로 CoSi의 신뢰성을 확인하기 위해 전자빔증착기를 이용하여 100 nm-Co/300 nm-Si/quartz의 적층구조를 형성하고, $700^{\circ}C$-60분의 진공열처리하여 약 350 nm-CoSi를 형성하였다. 이때 잔류 Co를 제거하기 위해 $80^{\circ}C$-30%의 황산처리를 진행하였다. 또한 비교를 위해 100 nm-Pt/glass 상대전극을 준비하였다. CoSi 상대전극이 채용된 DSSC 소자의 신뢰성을 확인하기 위해 $80^{\circ}C$ 온도조건에서 0, 168, 336, 504, 672, 840시간동안 유지하였다. 이들을 채용한 DSSC 소자의 광전기적 특성을 분석하기 위해 solar simulator와 potentiostat을 이용하였다. CoSi 상대전극의 촉매활성도, 미세구조, 그리고 조성 분석을 확인하기 위해 CV, FE-SEM, FIB-SEM, EDS를 이용하여 분석하였다. 시간에 따른 에너지변환효율 결과, Pt와 CoSi 상대전극 모두 에너지변환효율이 504시간까지는 유지되다가 672시간 경과 후 처음의 50%로 감소하는 특성을 보였다. 촉매활성도 분석 결과, 시간이 지남에 따라 Pt와 CoSi 상대전극 모두 촉매활성도가 감소하여 각각 64%, 57%의 촉매활성도를 보였다. 미세구조 분석 결과, CoSi층은 전해질에 대한 안정성은 우수하였으나, 하부 쿼츠 기판과 CoSi층의 접촉면에 스트레스가 집중되어 국부적으로 크렉이 형성되며, 궁극적으로 ${\mu}m$급의 박리현상을 확인하였다. 따라서 CoSi 상대전극은 실리사이드화 되는 과정에서 잔류응력 때문에 열화가 일어나므로 신뢰성의 확보를 위해서는 이러한 잔류응력의 대책이 필요하였다.

• 한국재료학회지
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• 제8권7호
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• pp.579-583
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• 1998

P가 고농도로 도핑된 다결정 Si 기판 위에 Co/Ti 이중층막을 스퍼터 증착하고 급속열처리함으로써 얻어지는 실리사이드 층구조, 실리사이드막의 응집, 그리고 도펀트의 재분포 등을 단결정 Si 기판 위에서의 그것들과 비교하여 조사하였다. 다결정 Si 기판위에 형성한 Co/Si 이중층을 열처리할 때 단결정 기판에서의 경우보다 $CoSi_2$로의 상천이는 약간 더 낮은 온도에서 시작되며, 막의 응집은 더 심하게 일어난다. 또한, 다결정 Si 기판내의 도펀트보다 웨이퍼 표면을 통하여 바깥으로 outdiffusion 함으로써 소실되는 양이 훨씬 더 많다. 이러한 차이는 다결정 Si 내에서의 결정립계 확산과 고농도의 도펀트에 기인한다. Co/Ti/doped-polycrystalline si의 실리사이드화 열처리후의 층구조는 polycrystalline CoSi2/polycrystalline Si 으로서 Co/Ti(100)Si을 열처리한 경우의 층구조인 Co-Ti-Si/epi-CoSi2/(100)Si 과는 달리 Co-Ti-Si층이 사라진다.

• 한국재료학회지
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• 제8권6호
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• pp.484-492
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• 1998

단결정 Si기판위의 Co/Ti 이중층으로부터 형성된 Co 실리사이드의 에피텍셜 성장기구에 대하여 조사하였다. 실리사이드화 과정중 Ti원자들이 저온상의 CoSi결정구조의 tetrahedral site들을 미리 점유해 있음으로 인하여, $CoSi_{2}$ 결정구조로 바뀌는 과정에서 Si원자들이 나중에 제위치를 차지하기 어렵게 되는 효과 때문이다. 그리고 Ti중간층은 반응의 초기단계에 Co-Ti-O 삼원계 화합물을 형성하는데, 이 화합물은 실리사이드화 과정중 반응 제어층으로 작용하여 에피텍셜 실리사이드 형성에 중요한 역할을 한다. 최종 열처리 층구조 Ti oxide/Co-Ti-Si/epi/$Cosi_{2}$(100) Si 이었다.