Proceedings of the IEEK Conference (대한전자공학회:학술대회논문집)

The Institute of Electronics and Information Engineers (대한전자공학회)
권호 표지

A Study of Nickel Silicide Formed on SOI Substrate with Different Deposited Ni/Co Thicknesses for Nanoscale CMOSFET

나노급 CMOSFET을 위한 SOI 기판에서의 Ni/Co 증착 두께에 따른 Nickel silicide 특성 분석

  • Jung, Soon-Yen (Dept. of Electronics Engineering, Chungnam National University) ;
  • Yum, Ju-Ho (Dept. of Electronics Engineering, Chungnam National University) ;
  • Jang, Houng-Kuk (Dept. of Electronics Engineering, Chungnam National University) ;
  • Kim, Sun-Yong (Dept. of Electronics Engineering, Chungnam National University) ;
  • Shin, Chang-Woo (Dept. of Electronics Engineering, Chungnam National University) ;
  • Oh, Soon-Young (Dept. of Electronics Engineering, Chungnam National University) ;
  • Yun, Jang-Gn (Dept. of Electronics Engineering, Chungnam National University) ;
  • Kim, Yong-Jin (Dept. of Electronics Engineering, Chungnam National University) ;
  • Lee, Won-Jae (Dept. of Electronics Engineering, Chungnam National University) ;
  • Wang, Jin-Suk (Dept. of Electronics Engineering, Chungnam National University) ;
  • Lee, Hi-Deok (Dept. of Electronics Engineering, Chungnam National University)
  • 정순연 (충남대학교 전자공학과) ;
  • 염주호 (충남대학교 전자공학과) ;
  • 장흥국 (충남대학교 전자공학과) ;
  • 김선용 (충남대학교 전자공학과) ;
  • 신창우 (충남대학교 전자공학과) ;
  • 오순영 (충남대학교 전자공학과) ;
  • 윤장근 (충남대학교 전자공학과) ;
  • 김용진 (충남대학교 전자공학과) ;
  • 이원재 (충남대학교 전자공학과) ;
  • 왕진석 (충남대학교 전자공학과) ;
  • 이희덕 (충남대학교 전자공학과)
  • Published : 2005.11.26
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Abstract

본 논문에서는 서로 다른 Si 두께 ($T_{Si}$ = 27, 50 nm) 를 갖는 SOI (Silicon On Insulator) 기판 위에 다양한 두께의 Ni/Co를 순차적으로 증착한 후 Bulk-Si과의 비교를 통해 Silicide의 형성 특성에 대하여 분석하였다. 우선 급속 열처리 (RTP, Rapid Thermal Processing) 를 통하여 Silicide를 형성한 후 측정결과 Si두께에 따라 Silicide의 특성이 달라짐을 확인하였다. 두꺼운 두께의 Si-film을 갖는 SOI 기판을 사용한 경우 증착된 금속의 두께에 따라 Bulk-Si와 비슷한 면저항 특성을 보였으나, 얇은 두께의 Si-film을 갖는 SOI기판을 사용한 경우에는 제한된 Si의 공급으로 인한 Silicide의 비저항 증가로 인하여 증착된 금속의 두께에 따라 면저항이 감소하다가 다시 증가하는 'V' 자형 곡선을 나타내었다.

Keywords