• 한국과학교육학회지
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• 제34권6호
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• pp.583-592
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• 2014

이 연구는 글쓰기를 활용한 논의-기반 모델링 전략이 학생들의 모델링 능력에 미치는 영향을 알아보는 것을 목적으로 하였다. 또한 논의-기반 모델링 전략에서 다중표상의 적용여부가 학생들의 모델링 능력에 미치는 효과를 비교하였다. 이를 위해 남녀공학 중학교 1학년 세 개 학급(66명) 중 두 개 학급(43명)은 실험집단으로, 한 개 학급(23명)은 비교집단으로 선정하였다. 논의-기반 모델링 전략을 적용한 두 개 실험집단 중에서 한 개 학급은 AbRM집단(Argument-based multimodal Representation and Modeling, 논의-기반 다중표상 및 모델링 집단, 22명), 다른 한 개 학급은 AbM집단(Argument-based Modeling, 논의-기반 모델링 집단, 21명), 나머지 한 개 학급은 비교집단(23명)으로 선정하였다. 논의-기반 모델링 전략은 인지 과정, 해석 과정, 적용과정으로 구성되어 있다. 실험집단은 논의-기반 모델링 전략의 인지과정과 해석 과정을 공통적으로 수행하고 적용 과정에서 차이를 두었다. AbRM집단은 논의-기반 다중표상 및 모델링을 적용하였고, AbM 집단은 논의-기반 모델링을 적용했으며, 비교집단은 전통적 수업방식을 적용하였다. 논의-기반 모델링 전략이 학생들의 모델링 능력에 미치는 영향을 분석한 결과, AbRM집단의 경우 통합적 모델링 수준에서 다른 두 집단보다 통계적으로 유의미하게 높았고, AbM집단은 비교집단보다 유의미하게 높았다. 모델링 능력 검사의 하위요소인 문제인식, 과학개념 구조화, 주장-증거 적절성, 다중표상 지수에서 AbRM집단의 경우 모든 하위요소에서 AbM집단과 비교집단 보다 통계적으로 유의미하게 높았으며, 그 다음으로 AbM집단이 비교집단 보다 통계적으로 유의미하게 높았다. 이러한 결과로부터 논의-기반 모델링 전략은 모델링의 목적인 의사소통을 위해 자신이 만든 모델을 논의와 글쓰기를 통해 과학적 언어를 사용하여 스스로 정리하거나 표현하고, 다른 사람의 의견을 듣고 교환하는 과정을 통해 모델을 평가하고 수정하는 일련의 과정을 통해서 학생들의 모델링 능력의 향상에 효과적임을 보여주었다.

• 한국전자파학회:학술대회논문집
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• 한국전자파학회 2005년도 종합학술발표회 논문집 Vol.15 No.1
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• pp.81-86
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• 2005

In this paper, we present an efficiency extension of Doherty power amplifier using LDMOS FET devices with different peak output powers and an unequal power divider. The amplifier is designed by using a MRF21045 with P1 dB of 45 W as the main amplifier biased for Class-AB operation and a MRF21090 with P1 dB of 90 W as the peaking amplifier biased for Class-C operation. The input power is divided into a 1:1.5 power ratio between the main and peaking amplifier. The simulated results of the proposed Doherty amplifier shows an efficiency improvement of approximately 19 % in comparison to the class-AB amplifier at an output power of 42.5 dBm. The fabricated Doherty amplifier obtained a PAE of 33.68 % at 9 dB backed off from P1 dB of 51.5 dBm.

• 융합신호처리학회논문지
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• 제4권1호
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• pp.41-48
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• 2003

본 논문에서는 DGS(Defected Ground Structure)에 대한 새로운 등가 회로를 제안하였으며, 이를 IMT-2000용 AB급 대전력 증폭기 설계에 적용하여 증폭기의 성능을 향상시켰다. 새로운 DGS 등가 회로는 병렬의 LC 공진기와 병렬 형태의 캐패시턴스로 구성되어 금속 접지면에 에칭된 결함으로 인한 프린징(fringing) 효과를 반영하도록 하였으며, 전력 증폭기 출 단 정합 회로를 최적화하기 위하여 사용되었다. 이전의 논문에서도 하모닉 성분의 억제와 증폭기의 효율 개선을 위하여 DGS를 사용하였으나 DGS 등가 회로의 해석은 없었으며(1), 본 논문에서는 이를 개선하여 회로 시뮬레이션을 통한 정한 DGS의 등가 회로를 AB급 증폭기의 출력 단 정합회로에 적용함으로써 성능 향상과 함께 증폭기 제작 후에 튜닝이 거의 필요없는 정확한 설계 방법을 제시하였다. 이와 같이 제안된 전력 증폭기의 설계 방법은 정확한 설계 결과를 제공함으로써 최적 부하 조건과 하모닉 성분의 제거 성능을 동시에 만족시킬 수 있었다. 제안된 방법의 효과를 입증하기 위하여 DGS를 적용한 기존의 방법과 새로이 제안된 방법을 사용하여 20W급의 전력 증폭기를 설계 및 제작하였으며, 그 측정 결과를 비교하였다.

• 한국전자파학회논문지
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• 제26권3호
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• pp.276-282
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• 2015

지금까지 LDMOS를 사용한 전력증폭기는 AB-급 및 도허티 방식으로 60 MHz 대역폭의 협대역에서 55 %의 효율을 보여주고 있으나, 기지국의 전력증폭 모듈의 RRH의 적용에 따라 100 MHz 이상의 대역폭 확장과 60 % 이상의 고효율 전력증폭기를 요구하고 있으므로, 본 연구에서는 GaN 소자를 이용하여 2차 고조파 부하가 순수한 리액턴스 성분만을 포함하고, 광대역 특성을 갖도록 출력단 정합회로를 최적화하여 J-급 전력증폭기를 설계하였다. 측정 결과, W-CDMA 주파수 대역을 포함한 1.6~2.3 GHz에서 연속파 신호를 입력하였을 때 60~75 %의 전력 부가 효율 특성을 갖는 45 W급 J-급 전력증폭기를 구현하였다.

• 한국전자통신학회논문지
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• 제10권1호
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• pp.13-20
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• 2015

종래의 LDMOS를 사용한 전력증폭기는 AB-급 및 도허티 방식으로 60MHz 대역폭의 협대역에서 55%의 효율을 보여주고 있으나, 기지국의 전력증폭 모듈의 RRH의 적용에 따라 100MHz이상의 대역확장과 60%이상의 고효율 전력증폭기를 요구하고 있으므로, 본 연구에서는 LDMOS FET를 이용한 J-급 전력증폭기를 설계하여 200MHz대역에서 60%이상의 고효율 특성을 나타내었다. 설계한 J-급 전력증폭기는 2차 고조파 부하가 순수한 리액턴스 성분만을 포함하고 작은 양호도 Q 값을 갖도록 출력단 정합회로를 최적화 시켰다. 측정결과 WCDMA 주파수 대역을 포함한 2.06~2.2GHz에서 연속파 신호를 입력하였을 때 62~70%의 전력 부가효율(PAE)의 특성을 갖는 10W급 J-급 전력증폭기를 구현하였다.

• 한국정보통신학회:학술대회논문집
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• 한국정보통신학회 2013년도 추계학술대회
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• pp.726-729
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• 2013

본 논문에서는 LCD source driver IC의 output buffer op-amp로 사용가능한 저소비전력 및 높은 슬루율을 갖는 CMOS rail-to rail 입/출력 op-amp를 설계하였다. 제안한 op-amp는 기존의 출력단 Class-AB 단에 새로이 설계한 Class-B control단을 추가하여 저소비전력과 높은 슬루율을 갖게 하였다. 시뮬레이션 결과 제안된 op-amp는 소비전력이 1.19mW로 감소하였으며 사용한 부하커패시터 (10nF)를 기준으로 슬루율은 6.5V/us로 확인되었다.

• 대한수학회지
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• 제53권2호
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• pp.381-401
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• 2016

According to Jacobson [31], a right ideal is bounded if it contains a non-zero ideal, and Faith [15] called a ring strongly right bounded if every non-zero right ideal is bounded. From [30], a ring is strongly right AB if every non-zero right annihilator is bounded. In this paper, we introduce and investigate a particular class of McCoy rings which satisfy Property (A) and the conditions asked by Nielsen [42]. It is shown that for a u.p.-monoid M and ${\sigma}:M{\rightarrow}End(R)$ a compatible monoid homomorphism, if R is reversible, then the skew monoid ring R * M is strongly right AB. If R is a strongly right AB ring, M is a u.p.-monoid and ${\sigma}:M{\rightarrow}End(R)$ is a weakly rigid monoid homomorphism, then the skew monoid ring R * M has right Property (A).

• Kyungpook Mathematical Journal
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• 제51권3호
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• pp.283-291
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• 2011

In this paper, a generalization of the class of semicommutative rings is investigated. A ring R is called central semicommutative if for any a, b ${\in}$ R, ab = 0 implies arb is a central element of R for each r ${\in}$ R. We prove that some results on semicommutative rings can be extended to central semicommutative rings for this general settings.

• 대한수학회논문집
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• 제39권1호
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• pp.93-104
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• 2024

Let R be a commutative ring with identity. In this paper, we introduce a new class of ideals called the class of strongly quasi J-ideals lying properly between the class of J-ideals and the class of quasi J-ideals. A proper ideal I of R is called a strongly quasi J-ideal if, whenever a, b ∈ R and ab ∈ I, then a² ∈ I or b ∈ Jac(R). Firstly, we investigate some basic properties of strongly quasi J-ideals. Hence, we give the necessary and sufficient conditions for a ring R to contain a strongly quasi J-ideals. Many other results are given to disclose the relations between this new concept and others that already exist. Namely, the primary ideals, the prime ideals and the maximal ideals. Finally, we give an idea about some strongly quasi J-ideals of the quotient rings, the localization of rings, the polynomial rings and the trivial rings extensions.

• 한국전자파학회논문지
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• 제17권2호
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• pp.129-133
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• 2006

사전 왜곡형 선형 증폭기는 회로가 간단하고 제작 비용이 적은 장점이 있으나, 상호 변조 왜곡 hump 특성 때문에 낮은 출력 전력에서 상호 변조 왜곡 특성이 나빠지는 단점이 있다. 본 논문에서는 출력 전력에 따라 전력 증폭기의 바이어스를 제어하는 방법으로 이와 같은 단점을 개선하였다. AB급 바이어스를 사용한 16 W급 사전 왜곡형 전력 증폭기에 본 논문에서 제안한 방법을 적용한 결과, 넓은 출력 전력 범위에서 약 10 dB의 3차 상호변조 왜곡 특성이 개선됨을 확인하였다.