Journal of rehabilitation welfare engineering & assistive technology
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v.10
no.3
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pp.237-242
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2016
The major advantage of slip-ring technology in Spiral CT is that it facilitates continuous rotation of the x-ray tube, so that volume data can be acquired from a patient quickly. Not only for such a fast scan, but also for the dose reduction purpose, high signal-to-noise ratio and fast data acquisition system is required. In this study, we have built a multi-channel photodetector and multi-channel data acquisition system for CT application. The detector module consisted of CdWO4 crystal and Si photodiode in 16 channels. For the performance test of the preamplifier stage, both the transimpedance and switched integrator types are optimized for the photodetector modules. Switched integrator showed better noise performance in the limited bandwidth which is suitable for the current CT application. The control sequence for data acquisition and 20 bit ADC is designed with VHDL(Very High Speed Integrated Circuit Hardware Description Language) and implemented on FPGA(Field Programmable Gate Array) chip. Our Si photodiode detector module coupled to CdWO4 crystal showed comparable signal with other commercially available photodiode for CT. Switched integrator type showed higher SNR but narrower bandwidth compared to transimpedance preamplifier. Digital hardware is designed by FPGA, so that the control signal could be redesigned without hardware alteration.
Journal of the Korea Institute of Information and Communication Engineering
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v.15
no.5
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pp.1125-1134
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2011
In this paper a wideband frequency synthesizer is designed for DTV tuners using a $0.18{\mu}m$ CMOS process. It satisfies the DTV frequency band(48~1675MHz). A scheme is proposed to cover the full band using only one VCO and reliable broadband characteristics are achieved by reducing the variations of VCO gains and frequency steps. The simulation results show that the designed VCO has frequency range of 1.85~4.22GHz, phase noise at 4.22GHz of -89.7dBc/Hz@100kHz, gains of 62.4~95.8MHz/V(${\pm}21.0%$) and frequency steps of 22.9~47.9MHz(${\pm}35.3%$). The designed VCO has a phase noise of -89.75dBc/Hz at 100kHz offset. The designed synthesizer has a lock time less than $0.15{\mu}s$. The measured VCO tuning range is 2.05~3.4GHz. The frequency range is shifted down but still satisfy the target range owing to the design for enough margin. The designed circuit consumes 23~27mA from a 1.8V supply, and the chip size including PADs is $2.0mm{\times}1.5mm$.
This paper reports on our development of a dual-mode transceiver for a CMOS high-rate Bluetooth system-onchip solution. The transceiver includes most of the radio building blocks such as an active complex filter, a Gaussian frequency shift keying (GFSK) demodulator, a variable gain amplifier (VGA), a dc offset cancellation circuit, a quadrature local oscillator (LO) generator, and an RF front-end. It is designed for both the normal-rate Bluetooth with an instantaneous bit rate of 1 Mb/s and the high-rate Bluetooth of up to 12 Mb/s. The receiver employs a dualconversion combined with a baseband dual-path architecture for resolving many problems such as flicker noise, dc offset, and power consumption of the dual-mode system. The transceiver requires none of the external image-rejection and intermediate frequency (IF) channel filters by using an LO of 1.6 GHz and the fifth order onchip filters. The chip is fabricated on a $6.5-mm^{2}$ die using a standard $0.25-{\mu}m$ CMOS technology. Experimental results show an in-band image-rejection ratio of 40 dB, an IIP3 of -5 dBm, and a sensitivity of -77 dBm for the Bluetooth mode when the losses from the external components are compensated. It consumes 42 mA in receive ${\pi}/4-diffrential$ quadrature phase-shift keying $({\pi}/4-DQPSK)$ mode of 8 Mb/s, 35 mA in receive GFSK mode of 1 Mb/s, and 32 mA in transmit mode from a 2.5-V supply. These results indicate that the architecture and circuits are adaptable to the implementation of a low-cost, multi-mode, high-speed wireless personal area network.
Journal of the Korea Institute of Information and Communication Engineering
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v.14
no.3
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pp.541-546
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2010
The push-push DRO(dielectric resonator oscillator) using a multi-layer structure of LTCC(low temperature co-fired ceramic) fabrication is designed. After the single DRO of series feedback type in the center frequency of 8GHz is designed, the push-push DRO in the center frequency of 16GHz including the Wilkinson power combiner is designed. The bias circuit affecting the size of oscillator are embedded in the intermediate layer of the LTCC multi-layer substrate. As a result, the large reduction in the size of VCO is obtained compared to the general oscillator on the single layer substrate. Experimental results show that the fundamental and third harmonics suppression are above 15dBc and 25dBc, respectively, and phase noise characteristics of the push-push DRO presents performance of -102dBc/Hz@100KHz and -128dBc/Hz@1MHz offset frequencies from carrier.
Journal of rehabilitation welfare engineering & assistive technology
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v.7
no.2
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pp.13-18
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2013
In this paper design a 8 bit Current Steering D/A Converter for stimulating neuron signal. Proposed circuit in paper shows the conversion rate of 10KS/s and the power supply of 3.3V with 0.35um Magna chip CMOS process using full custom layout design. It employes segmented structure which consists of 3bit thermometer decoders and 5bit binary decoder for decreasing glitch noise and increasing resolution. So glitch energy is down by $10nV{\bullet}sec$ rather than binary weighted type DAC. And it makes use of low power current stimulator because of low LSB current. And it can make biphasic signal by connecting with Micro Controller Unit which controls period and amplitude of signal. As result of measurement INL is +0.56/-0.38 LSB and DNL is +0.3/-0.4 LSB. It shows great linearity. Power dissipation is 6mW.
Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea SC
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v.40
no.3
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pp.135-144
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2003
This work proposes on-chip full CMOS current and voltage references for high-speed mixed-mode circuits. The proposed current reference circuit uses a digital-domain calibration method instead of a conventional analog calibration to obtain accurate current values. The proposed voltage reference employs internal reference voltage drivers to minimize the high-frequency noise from the output stages of high-speed mixed-mode circuits. The reference voltage drivers adopt low power op amps and small- sized on-chip capacitors for low power consumption and small chip area. The proposed references are designed, laid out, and fabricated in a 0.18 um n-well CMOS process and the active chip area is 250 um x 200 um. The measured results show the reference circuits have the power supply variation of 2.59 %/V and the temperature coefficient of 48 ppm/$^{\circ}C$ E.
We suggest Q-band MEMS MIMIC (Millimeter wave Monolithic Integrated Circuit) HEMT Oscillator using DAML (Dielectric-supported Airgapped Mcrostrip Line) structure. We elevated the signal lines from the substrate using dielectric post, in order to reduce the substrate dielectric loss and obtain low losses at millimeter-wave frequency. These DAML are composed with heist of $10\;{\mu}m$ and post size with $20\;{\mu}m\;{\times}\;20\;{\mu}m$. The MEMS oscillator was successfully integrated by the process of $0.1\;{\mu}m$ GaAs PHEMTs, CPW transmission line and DAML. The phase noise characteristic of the MEMS oscillator was improved more than 7.5 dBc/Hz at a 1 MHz offset frequency than that of the CPW oscillator And the high output power of 7.5 dBm was measured at 34.4 GHz.
Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea SD
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v.46
no.8
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pp.61-70
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2009
A 10b 30MS/s pipelined ADC operating under 1V power supply is presented. It utilizes a switched-RC based input sampling circuit and a resistive loop to reset the feedback capacitor in the multiplying digital-to-analog converter (MDAC) for the low-voltage operation. Cascaded switched-RC branches are used to achieve accurate grain of the MDAC for the first stage and separate switched-RC circuits are used in the sub-ADC to suppress the switching noise coupling to the MDAC input The measured differential and integral non-linearities of the prototype ADC fabricated in a 0.13${\mu}m$, CMOS process are less than 0.54LSB and 1.75LSB, respectively. The prototype ADC achieves 54.1dB SNDR and 70.4dB SFDR with 1V supply and 30MHz sampling frequency while consuming 17mW power.
The Journal of the Institute of Internet, Broadcasting and Communication
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v.20
no.1
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pp.89-93
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2020
In this paper, Ku-band Receiver for compact doppler radar has been designed and fabricated. It composed of MWR(Microwave Receiver) and IFR(Intermediate Frequency Receiver) which have 5 receive path. We applied limiter circuit to protect MWR from Tx leakage power and maximum 2 W. IFR can change the Rx path to broad band or narrow band by MSC(Mode Selection Switch). It is observed that fabricated receiver performs 68 dB gain and 3.7 dB noise figure, 93 ns limiter recovery time. Proposed Ku-band receiver is expected to apply for Ku-band compact doppler radar.
The Journal of the Institute of Internet, Broadcasting and Communication
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v.15
no.1
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pp.245-251
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2015
In this paper, we present a design of PWM-controlled driving device for backlights in LED systems. The system can control either the brightness of the entire screen of backlights of LCD driven by LED or illumination or contrast of each partial segment of the entire screen. The PWM-controlled driving device includes the shift register that shifts the series data according to the clock signal prior to the generation of parallel data. It is also is comprised of a number of registers, a number of counters, a number of comparators, and a number of synchronizing gates (producing the PWM-controlled signals). The proposed device for backlights in LED systems can generate the PWM-controlled signal with a high degree of resolution without the increase of clock frequency. It also contains the PWM-controlled circuit that disperses and restrains the quantized noise.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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