Arc must be stable during welding first of all other factors for obtaining sound weldment, especially in the automation of welding process. Arc stability is somewhat sophisticated phenomenon which is not clearly defined yet. In consumable electrode welding, the voltage and current variation due to metal transfer enables to assess arc stability. Recently, statistical analyses of the voltage and current waveform factors are performed to assess the degress of arc stability which is assessed and controlled by operator's own experience by now. But, considering the increasing need and the trend of automation of welding process, it is necessary to monitor arc stability in real-time. In this sutdy, the modified stability index composed of two voltage and current wvaeform factors (arc time and short circuit time) reduced from four factors (arc time, short circuit time, average arc current and average short circuit current) in Mita's index by the welding electrical circuit modeling is proposed and verified by experiments to be well estimating arc stability in the static sense. Also, the recursive calculation form estimating present arc stability in the dynamic sense is developed for real-time estimation. The results of applying the recursive index during welding show good estimation of arc stability in real-time. Therefore, the results of this study offers the mean for real-time control arc stability.
Multi-material Additive Manufacturing (AM) is being focused to apply for direct manufacturing of a product. In this paper, a three-dimensional circuit device (3DCD) fabrication technology based on the multi-material AM technology was proposed. In contrast with conventional two-dimensional Printed Circuit Board (PCB), circuit elements and conducting wires of 3DCD are placed in threedimensional configuration at multiple layers of the structure. Therefore, 3DCD technology can improve design freedom of an electronic product. In this paper, 3DCD technology is proposed based on AM technology. Two types of 3DCD fabrication systems were developed based on the Stereolithography and the Fused Deposition Modeling technologies. And the 3DCD samples which have same function were fabricated, successfully.
회로 전송선 배선 시 신호선은 직선의 형태와 방향을 바꾸기 위한 구부러지는 형태를 가진다. 차동 신호선의 정확한 등가회로는 이러한 전송선 구조의 시 공간 영역에서의 신호적 특성과 인접 신호선들 간의 영향을 평가할 수 있게 해준다. 이를 위해 기존의 몇 몇 CAD Tool들이 등가 회로 모델과 그 파라미터 값들을 추출 해주기도 하지만, 이는 큰 연산량과 시간을 요구한다. 본 논문에서는 구부러진 차동 신호선의 등가회로를 모델링하기 위해 기본적 모델인 RLC-모델의 파라미터 값을 유전 알고리듬을 이용하여 추출하는 방법을 제시한다. 본 방법에 의해 더욱 빠르게 물리적 구조를 갖는 차동 신호선의 등가회로를 모델링 할 수 있다.
본 논문에서는 ESD 보호회로의 전류구동 특성을 향상시키기 위해 일반적인 저전압용 ESD 보호회로인 LVTSCR의 구조적 변경을 적용한 ESD 보호회로를 제안한다. LVTSCR 구조에서의 electric field와 ESD 전류 경로가 형성 되는 영역을 분리하여 전력 소모를 최소화 하였으며 이에 대한 전기적 특성을 분석하고 전류 구동 특성을 개선하였다. 시뮬레이션을 통한 System-level 특성 저하에 기인하는 구조적인 문제를 분석하였으며 이를 반영하여 특성을 검증하였다. 제안된 ESD 보호회로의 전기적 특성은 TCAD 시뮬레이션을 통해 검증하였으며 HBM 모델링 및 System-level 모델링을 통해 분석하였다. 또한, DB-Hitek사의 0.18um BCD 공정을 통해 silicon 제작 및 HBM 10kV 특성 검증하였다.
The present study proposes a method for modeling a SONAR transducer with dual resonance. The Butterworth van-Dyke (BVD) model, a conventional SONAR transducer modeling method, can model only one resonance point. Hence, to address its disadvantage and to model the dual resonance, a dual resonance BVD model consisting of two serial BVD models is proposed. The two BVD models are connected in a series, and each simulate resonance at low frequency and high frequency, which allows the modeling of two resonance points. Eight elements compose the equivalent circuit by connecting the BVD models in a series, which is twice as great as that of the existing BVD model. The element value of the dual resonance BVD model is extracted by using the particle swarm optimization method. Analysis was also performed to identify the effects of changes in the value of elements that compose the equivalent circuit on the impedance characteristics of the equivalent circuit through simulation in which element values varied.
본 논문은 절연변압기를 사용하지 않는 하이브리드 멀티레벨 PWM 정류기(특히 5-레벨)의 회로 DQ 모델링 및 동작특성 해석에 대한 연구이다. 회로 DQ 변환은 동기속도로 회전하는 변환 행렬을 사용함으로써 3상 시변 회로를 정지된 등가회로로 변환한다. 이러한 회로 DQ 변환을 통해 얻은 등가회로를 사용하여 시스템의 동작 특성 및 유용한 설계식들을 보다 쉽게 얻을 수 있다. 즉, 각 DC 커패시터 전압 및 전원이 공급하는 유효전력, 무효전력과 제어변수의 해석적인 식들을 보이고, 나아가 멀티레벨 출력을 얻기 위한 각 DC 전압들을 AC 전원으로부터 직접 build-up 할 수 있음을 제시한다. 또한 5-레벨 출력전압을 보장하기 위한 제어식을 유도한다. 끝으로, 이러한 모델링 및 해석의 타당성을 검증하기 위하여 MATLAB을 사용한 모의 실험을 행하고, 해석적인 예측과 모의실험으로 얻어진 파형의 일치성을 확인하였다.
Magnetostrictive actuators have seen increasing use in fine positioning system because it has many advantages such as friction free, resolution of ${\mu}{\textrm}{m}$ or nm scale, and powerful output force. Usually, the magnetic circuit of magnetostrictive actuator has components which are flux return path, coil, and magnetostrictive material. It is classified in two types according to existence of the permanent magnet. The magnetic circuit having optimal performances transfer magnetic field which is obtained by providing input current at coil without energy loss. This paper described mathematical model of magnetic circuit for getting design variables. The modeling equation is obtained from the relations between flux and reluctance of the magnetic equivalent circuit. Also, finite element analysis has been used to study the performance of magnetic circuit according to change of design variables such as existence and shape of the permanent magnet, flux return path etc. The modification of dimensions enables us to optimize magnetic circuit.
A simulation on bootstrapping circuit has been performed by modelling a coaxial cable as a transmission line. It is shown that the bootstrapping circuit could be unstable due to the transmission line effect though an ideal amplifier is used. While the conventional bootstrapping circuit does not cancel the input capacitance of the input buffer, a new bootstrapping circuit that cancels input capacitance of the input buffer has been proposed. The proposed bootstrapping circuit consists of the input buffer of which gam is larger than 1 and a feedback resistor to control the loop gain. The proposed bootstrapping circuit has higher input impedance than that of the conventional circuit.
From AC analysis results utilizing a 2-dimensional device simulator, we extracted an AC-equivalent circuit of a grounded-gate NMOS (ggNMOS) electrostatic discharge (ESD) protection device. The extracted equivalent circuit is utilized to analyze the effects of the parasitics in a ggNMOS protection device on the characteristics of a low noise amplifier (LNA). We have shown that the effects of the parasitics can appear exaggerated for an impedance matching aspect and that the noise contribution of the parasitic resistances cannot be counted if the ggNMOS protection device is modeled by a single capacitor, as in prior publications. We have confirmed that the major changes in the characteristics of an LNA when connecting an NMOS protection device at the input are reduction of the power gain and degradation of the noise performance. We have also shown that the performance degradation worsens as the substrate resistance is reduced, which could not be detected if a single capacitor model is used.
Miura-Mattausch, M.;Mattausch, H.J.;Ohguro, T.;Iizuka, T.;Taguchi, M.;Kumashiro, S.;Miyamoto, S.
JSTS:Journal of Semiconductor Technology and Science
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제4권3호
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pp.133-140
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2004
The origin of the phenomena, obstructing circuit performance in the RF operating regime, as well as their modeling will be discussed. The applied surface-potential-based modeling allows self-consistent description of all phenomena important for accurate circuit simulation, as demonstrated with the MOSFET model HiSIM.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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