This study deals with human reaction speed according to human physical conditions (body size) such as head width, thickness, breast width, arm extent, and age. Especially, the results of this study are compared between young and old generation. According to this study, the thickness and extent factor do not have any correlation with human reaction speed, but width factors(head width, breast width, etc) have some correlation with human reaction speed. The result of this study can be used to find fitter person for a special job such as emergency condition job, sports man (because you can find a person having a good talent for it without test). Also, the purpose of this study is to find CNT (Channel Noise Time). The word of CNT is to explain the relation between Channel Noise and working speed. (Channel Noise is a kind of noise happening between the human information transmission channel.)
The characteristics of radial thickness of ice jam at the center part of channel bends were analyzed briefly in this paper. Jam thickness in channel bends increases both toward the inner bank, and dowmstream. For this study, slope at the jam's underside was assumed to be liner with similarity of radial slope of bed in alluvial bends. Radial slope at the jam's underside in floating ice elements was estimated using the force equilibrium theory in the radial direction. The eqution which can be estimated the radial slope of ice jam was suggested using Falcon and Kennedy's bed layer theory. Experimental data, which were measured at the center part of cross-section in a single 180-degree bend, were compared to the calculated values using the suggested equtions. The result shows that the calcultated values were smaller than the measured ones. Ot is considered that the estimated value of shear stress in the radial direction may be smaller than the actual and two-layer model may be not suibable for alluvial bend flow.
본 논문에서는 비대칭 이중게이트(double gate; DG) MOSFET의 채널길이에 대한 문턱전압이하 스윙의 변화에 대하여 분석하였다. 문턱전압이하 스윙은 트랜지스터의 디지털특성을 결정하는 중요한 요소로서 채널길이가 감소하면 특성이 저하되는 문제가 나타나고 있다. 이러한 문제를 해결하기 위하여 개발된 DGMOSFET의 문턱전압이하 스윙의 채널길이에 대한 변화를 채널두께, 산화막두께, 상하단 게이트 전압 및 도핑농도 등에 따라 조사하고자 한다. 특히 하단 게이트 구조를 상단과 달리 제작할 수 있는 비대칭 DGMOSFET에 대하여 문턱전압이하 스윙을 분석함으로써 하단 게이트 전압 및 하단 산화막 두께 등에 대하여 자세히 관찰하였다. 문턱전압이하 스윙의 해석학적 모델을 구하기 위하여 포아송방정식에서 해석학적 전위분포모델을 유도하였으며 도핑분포함수는 가우스분포함수를 사용하였다. 결과적으로 문턱전압이하 스윙은 상하단 게이트 전압 및 채널도핑농도 그리고 채널의 크기에 매우 민감하게 변화하고 있다는 것을 알 수 있었다.
In order to monitor the pipe thinning caused by flow-accelerated corrosion (FAC) that occurs in coolant piping systems, a shear horizontal ultrasonic pitch-catch waveguide technique was developed for accurate pipe wall thickness monitoring. A clamping device for dry coupling contact between the end of the waveguide and pipe surface was designed and fabricated. A computer program for multi-channel on-line monitoring of the pipe thickness at high temperature was also developed. Both a four-channel buffer rod pulse-echo type and a shear horizontal ultrasonic waveguide type for high-temperature thickness monitoring system were successfully installed to the test section of the FAC proof test facility. The overall measurement error can be estimated as ${\pm}10{\mu}m$ during a cycle from room temperature to $200^{\circ}C$.
DGMOSFET의 항복전압에 대하여 고찰하였으며 이를 위하여 포아송방정식의 분석학적 해 및 Fulop의 항복전압 조건을 사용하였다. DGMOSFET는 게이트단자의 전류제어능력 향상으로 단채널 효과를 감소시킬 수 있다는 장점이 있다. 그러나 단채널에서 나타나는 항복전압의 감소는 피할 수 없으므로 이에 대한 연구가 필요하다. 포아송방정식을 풀 때 사용하는 전하분포함수에 가우시안 함수를 적용함으로써 보다 실험값에 가깝게 해석하였으며 이때 이중게이트 MOSFET의 소자크기에 따라 항복전압의 변화를 관찰하였다. 본 연구의 전위모델에 대한 타당성은 이미 기존에 발표된 논문에서 입증하였으며 본 연구에서는 이 모델을 이용하여 항복전압을 분석할 것이다. DGMOSFET의 항복전압을 관찰한 결과, 채널길이가 감소할수록 그리고 도핑농도가 증가할수록 항복전압이 감소하는 것으로 나타났다. 또한 게이트산화막 두께 및 채널두께에 따라서 항복전압의 변화가 관찰되었다.
A numerical study is made on the ice-formation for a laminar flow in a curved channel. When the water flows through the curved channel with the walls specified below the freezing temperature, the ice layer has been formed on the curved surface, different from that of a straight channel. The fluctuation of ice layer has been predicted, considering the variation of velocity and temperature near the curved portion of channel. The study also takes into account the interaction existing between the laminar flow and the curved channel. In the solution strategy, the present study is substantially different from the existing works in that the complete set of governing equations in both the solid and liquid regions are resolved. The results from this study have been mainly presented, focusing on the variation of ice layer close to the curved portion. Numerical results have been obtained parametrically by varying the curved angle and the radius of curvature of channel, in addition to the variation of Reynolds numbers and wall temperatures of channel. The results show that the curved shape of channel has the great effect on the thickness of the solidification layer. The wave of ice layer thickness appears in the vicinity of curved portion. This behavior of ice layer has been amplified as is the increasing of curved angle and the radius of curvature of channel. In addition, the ice layer becomes thin as Reynolds numbers in increasing. And also, as the wall temperature of channel increases, the width of channel becomes to be shrunk due to the growth of ice layers in the upper and lower wall of channel.
본 연구에서는 이중게이트(Double Gate; DG) MOSFET에서 발생하는 단채널효과 중 하나인 드레인유기장벽 감소(Drain Induced Barrier Lowering; DIBL)에 대하여 분석하고자 한다. 드레인유도장벽감소 현상은 채널의 길이가 짧아질 때 드레인 전압이 소스측 전위장벽에 영향을 미쳐 장벽의 높이를 감소시키는 현상으로써 단채널에서 발생하는 매우 중요한 효과이다. 본 연구에서는 DIBL을 해석하기 위하여 이미 발표된 논문에서 타당성이 입증된 포아송 방정식의 해석학적 전위분포를 이용할 것이다. 이 모델은 특히 전하분포함수에 대하여 가우시안 함수를 사용함으로써 보다 실험값에 가깝게 해석하였으며 소자 파라미터인 채널두께, 산화막두께, 도핑농도 등에 대하여 드레인유도장벽감소의 변화를 관찰하고자 한다.
We utilized atomic layer deposition (ALD) for the growth of the ZnO channel layers in the oxide thin-film-transistors (TFTs) with a bottom-gate structure using a $SiO_2/p-Si$ substrate. For fundamental study, the effect of the channel thickness and thermal treatment on the TFT performance was investigated. The growth modes for the ALD grown ZnO layer changed from island growth to layer-by-layer growth at thicknesses of > 7.5 nm with highly resistive properties. A channel thickness of 17 nm resulted in the good TFT behavior with an onloff current ratio of > $10^6$ and a field effect mobility of 2.9 without the need for thermal annealing. However, further increases in the channel thickness resulted in a deterioration of the TFT performance or no saturation. The ALD grown ZnO layers showed reduced electrical resistivity and carrier density after thermal treatment in oxygen.
Results of EGS4 based calculations to study the spatial resolution of gas detectors are described. The calculations include radial distribution of electrons generated by photons of various energies penetrating into variable thickness of Ar and Xe gas layers. Given a desired spatial resolution, the maximum allowed thickness of gas layer for each energy level is determined. In order to obtain 0.1mm spatial resolution, the maximum thickness for the Ar gas is found to be 2mm for photon energies below 14keV while the optimum energy of photons for Xe gas with the same thickness is about 45keV. The results of calculations performed to compare the number of electrons generated by CsI coated micro-channel plate and the number of electrons generated by the Ar and Xe gas layers are described. The results show that the number of electrons generated by the gases is about 10 times higher than the one generated by CsI coated micro-channel plate. A few sample gray scale images generated by these calculations are included.
James A. Smith;Casey J. Jesse;William A. Hanson;Clark L. Scott;David L. Cottle
Nuclear Engineering and Technology
/
제55권6호
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pp.2195-2205
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2023
One of the salient nuclear fuel performance parameters for new fuel types under development is changes in fuel thickness. To test the new commercially fabricated U-10Mo monolithic plate-type fuel, an irradiation experiment was designed that consisted of multiple mini-plate capsules distributed within the Advanced Test Reactor (ATR) core, the mini-plate 1 (MP-1) experiment. Each capsule contains eight mini-plates that were either fueled or "dummy" plates. Fuel thickness changes within a fuel assembly can be characterized by measuring the gaps between the plates ultrasonically. The channel gap probe (CGP) system is designed to measure the gaps between the plates and will provide information that supports qualification of U-10Mo monolithic fuel. This study will discuss the design and the results from the use of a custom-designed CGP system for characterizing the gaps between mini-plates within the MP-1 capsules. To ensure accurate and repeatable data, acceptance and calibration procedures have been developed. Unfortunately, there is no "gold" standard measurement to compare to CGP measurements. An effort was made to use plate thickness obtained from post-irradiation measurements to derive channel gap estimates for comparison with the CGP characterization.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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