• 한국물환경학회지
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• 제28권5호
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• pp.639-645
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• 2012

The purpose of this study is to identify the possibility of the CMP wastewater treatment from semiconductor fabrication under operating tubular membrane with coagulants. To find suitable coagulants treating CMP wastewater, we conducted Jar-test. After Jar-test experiments suitable coagulants are PAC(17%), $Ca(OH)_2$ and optimum coagulant dosage is PAC(17%) 10mg/L, $Ca(OH)_2$ 110 ~ 120mg/L. Based on these results, the tubular membrane was applied to CMP wastewater, the turbidity removal efficiency is $Ca(OH)_2$ > PAC(17%) > Nothing. The fast cross-flow velocity and backwash process what are operating characteristics of tubular membrane can be stable CMP wastewater treatment. But when the coagulant and tubular membrane are used at the same time, the withdraw and treatment of the CMP wastewater are possibile. However further treatment process needs if treated water will be used for semiconductor fabrications.

• 마이크로전자및패키징학회지
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• 제20권2호
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• pp.47-51
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• 2013

본 연구에서는 웨이퍼 레벨 Cu 본딩을 이용한 3D 적층 IC의 개발을 위해 2단계 기계적 화학적 연마법(CMP)을 제안하고 그 결과를 고찰하였다. 다마신(damascene) 공정을 이용한 $Cu/SiO_2$ 복합 계면에서의 Cu dishing을 최소화하기 위해 Cu CMP 후 $SiO_2$ CMP를 추가로 시행하였으며, 이를 통해 Cu dishing을 $100{\sim}200{\AA}$까지 낮출 수 있었다. Cu 범프의 표면거칠기도 동시에 개선되었음을 AFM 관찰을 통해 확인하였다. 2단 CMP를 적용하여 진행한 웨이퍼 레벨 Cu 본딩에서는 dishing이나 접합 계면이 관찰되지 않아 2단 CMP 공정이 성공적으로 적용되었음을 확인할 수 있었다.

• 마이크로전자및패키징학회지
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• 제20권4호
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• pp.81-85
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• 2013

웨이퍼 적층 기술은 반도체 전 후 공정을 이용한 효과적인 방법으로 향후 3D 적층 시스템의 주도적인 발전방향이라고 할 수 있다. 웨이퍼 레벨 3D 적층 시스템을 제조하기 위해서는 TSV (Through Si Via), 웨이퍼 본딩, 그리고 웨이퍼 thinning의 단위공정 개발 및 웨이퍼 warpage, 열적 기계적 신뢰성, 전력전달, 등 시스템적인 요소에 대한 연구개발이 동시에 진행되어야 한다. 본 연구에서는 웨이퍼 본딩에 가장 중요한 역할을 하는 Cu CMP (chemical mechanical polishing) 공정에 대한 특성 분석을 진행하였다. 8인치 Si 웨이퍼에 다마신 공정으로 Cu 범프 웨이퍼를 제작하였고, Cu CMP 공정과 oxide CMP 공정을 이용하여 본딩 층 평탄화에 미치는 영향을 살펴보았다. CMP 공정 후 Cu dishing은 약 $180{\AA}$이었고, 웨이퍼 표면부터 Cu 범프 표면까지의 최종 높이는 약 $2000{\AA}$이었다.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2002년도 추계학술대회 논문집 Vol.15
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• pp.15-18
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• 2002

To achieve the global planarization, CMP Technology has been used to the next generation semiconductor process, and the study made tremendous progress up to date. As the device demension shrinked， CMP Technology has been applied in a various way and more people interested in this field to simplify the process. To attain the goal for safer 0.13um or below 10 nano process, many of those expected task must be solved. By describing this current CMP process issue and future trend for the CMP planarization process, It personally hope that this paper would help to the people who has concerns for the next generation semiconductor manufacturing industry in common.

• 마이크로전자및패키징학회지
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• 제19권3호
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• pp.37-41
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• 2012

Cu 본딩을 이용한 웨이퍼 레벨 적층 기술은 고밀도 DRAM 이나 고성능 Logic 소자 적층 또는 이종소자 적층의 핵심 기술로 매우 중요시 되고 있다. Cu 본딩 공정을 최적화하기 위해서는 Cu chemical mechanical polishing(CMP)공정 개발이 필수적이며, 본딩층 평탄화를 위한 중요한 핵심 기술이라 하겠다. 특히 Logic 소자 응용에서는 ultra low-k 유전체와 호환성이 좋은 Ti barrier를 선호하는데, Ti barrier는 전기화학적으로 Cu CMP 슬러리에 영향을 받는 경우가 많다. 본 연구에서는 웨이퍼 레벨 Cu 본딩 기술을 위한 Ti/Cu 배선 구조의 Cu CMP 공정 기술을 연구하였다. 다마싱(damascene) 공정으로 Cu CMP 웨이퍼 시편을 제작하였고, 두 종류의 슬러리를 비교 분석 하였다. Cu 연마율(removal rate)과 슬러리에 대한 $SiO_2$와 Ti barrier의 선택비(selectivity)를 측정하였으며, 라인 폭과 금속 패턴 밀도에 대한 Cu dishing과 oxide erosion을 평가하였다.

• Mass Spectrometry Letters
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• 제4권4호
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• pp.67-70
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• 2013

The Cu-binding site in the $[Cu{\cdot}dCMP{\cdot}dCMP-H]^{1-}$ complex was investigated. The tandem mass (MS/MS) spectra of the [$[Cu{\cdot}dCMP{\cdot}dCMP-H]^{1-}$ parent ion showed $[dCMP{\cdot}Cu{\cdot}H_2PO_4+CONH]^{1-}$ fragment ions. Therefore, we propose that the Cu cation is simultaneously coordinated to the phosphate site and cytosine moiety in the stable geometry of the $[Cu{\cdot}dCMP{\cdot}dCMP-H]^{1-}$ complex. Three geometries for the complex were considered in an attempt to optimize the structure of the $[Cu{\cdot}dCMP{\cdot}dCMP-H]^{1-}$ complex. The ab initio calculations were performed at the $B3LYP/6-311G^{**}$ level.

• Biotechnology and Bioprocess Engineering:BBE
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• 제10권3호
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• pp.242-247
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• 2005

Caseinomacropeptide (CMP) is a glycopeptide of 64 amino acid residues derived from the C-terminal of mammalian milk K-casein. Recently, human CMP (hCMP) was produced from the recombinant yeast Saccharomyces cerevisiae. In this study, the antiobesity activity of the recombinant hCMP (rhCMP) was investigated in vivo using Sprague-Dawley rats. The rhCMP did not affect the rats fed with a normal fat diet (fat content, $5.0\%$), but decreased the body weight gain of the rats fed with a high fat diet (fat content, $20\%$) by up to $19\%$. Autopsies revealed that the weights of the liver, kidney and adipose tissues decreased when the rats were given the rhCMP, which also reduced the lipid concentrations in the plasma and liver, but enhanced the fecal excretion of lipids. These results suggest that rhCMP prevent the accumulation of lipid by stimulating its fecal excretion, so could be used as a food supplement to alleviate the obesity problem caused by a high fat diet.

• Tribology and Lubricants
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• 제37권6호
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• pp.208-212
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• 2021

Chemical mechanical polishing (CMP) is a key technology used for the global planarization of thin films in semiconductor production and smoothing the surface of substrate materials. CMP is a type of hybrid process using a material removal mechanism that forms a chemically reacted layer on the surface of a material owing to chemical elements included in a slurry and mechanically removes the chemically reacted layer using abrasive particles. Sapphire is known as a material that requires considerable time to remove materials through CMP owing to its high hardness and chemical stability. This study introduces a technology using electrolytic ionization and ultraviolet (UV) light in sapphire CMP and compares it with the existing CMP method from the perspective of the material removal rate (MRR). The technology proposed in the study experimentally confirms that the MRR of sapphire CMP can be increased by approximately 29.9, which is judged as a result of the generation of hydroxyl radicals (·OH) in the slurry. In the future, studies from various perspectives, such as the material removal mechanism and surface chemical reaction analysis of CMP technology using electrolytic ionization and UV, are required, and a tribological approach is also required to understand the mechanical removal of chemically reacted layers.

• 한국식품과학회지
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• 제28권1호
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• pp.99-104
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• 1996

탄수화물을 갖고 있지 않은 caseinomacropeptide (CMP)를 감성유청분말로부터 12% TCA법에 의해 분리한 결과 100 g의 감성유청분말로 부터 2.7 g을 얻을 수 있었다. 분리된 CMP는 전기영동과 아미노산 조성을 분석한 결과 매우 순도가 높은 CMP로 나타나 12% TCA침전법은 감성유청분말로 부터 CMP를 분리하는 효과적인 방법임을 알 수 있었다. 트립신을 pore glass beads에 carbodiimide (EDC) 방법으로 amide결합에 의해 고정화시켰으며 고정화된 트립신의 양은 1 g glass beads당 20 mg이었다. 수용성 트립신에 의한 CMP 가수분해는 24시간이 지나면 거의 완료되었으며 고정화 트립신은 24시간이 지난 후에도 가수분해가 진행되고 있었다. 가수분해물을 Bio-Gel P4 column에 의해 분획한 후 혈소판 응집 저해작용을 측정한 결과 고정화 트립신에 의해 24시간 가수분해시킨 CMP 분해물이 가장 높은 혈소판 응집 억제능을 보였다.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2006년도 추계학술대회 논문집 Vol.19
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• pp.376-377
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• 2006

Chemical Mechanical Planarization (CMP) has emerged as an enabling technology for the manufacturing of multi-level metal interconnects used in high-density Integrated Circuits (IC). Recently, multi-level structures have been also widely used m the MEMS device such as micro engines, pressure sensors, micromechanical fluid pumps, micro mirrors and micro lenses. Especially, among the thin films available in IC technologies, polysilicon has probably found the widest range of uses in silicon technology based MEMS. This paper presents the characteristic of polysilicon CMP for multi-level MEMS structures. Two-step CMP process verifies that is possible to decrease dishing amount with two type of slurries characteristics. This approach is attractive because two-step CMP process can be decreased dishing amount considerably more then just one CMP process.