• 제목/요약/키워드: CMOS transceiver

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무스위치 정합 네트워크를 이용한 900 MHz ZigBee CMOS RF 송수신기 (A 900 MHz ZigBee CMOS RF Transceiver Using Switchless Matching Network)

  • 장원일;어윤성;박형철
    • 한국전자파학회논문지
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    • 제28권8호
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    • pp.610-618
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    • 2017
  • 본 논문에서는 868/915 MHz 대역의 CMOS ZigBee RF 송수신기를 설계, 제작하였다. 무스위치 정합 네트워크를 이용하여 외부 스위치를 사용하지 않아 저가격화 실현이 가능하게 하였고, 스위치의 삽입 손실을 없애 RF 수신기의 잡음지수와 송신기의 출력전력 대비 전력소모에 이득을 가져올 수 있었다. 수신기는 저잡음 증폭기와 믹서, 기저대역 아날로그 회로로 구성되었고, 송신기는 기저대역 아날로그 회로, 믹서, 드라이버 증폭기로 구성되었으며, 주파수 합성기는 정수분주기 구조이다. 제안된 ZigBee RF 송수신기는 $0.18{\mu}m$ CMOS 공정 기술을 이용하여 단일칩 full transceiver 형태로 설계, 제작하었다. 측정 결과, 수신기의 최대 이득은 97.6 dB이고, 잡음지수는 6.8 dB이다. 수신 모드의 전류소모는 32 mA, 송신 모드의 전류소모는 33 mA이다.

2.5Gbps 시리얼 데이터 링크 CMOS 트랜시버의 설계 (Design of a 2.5Gbps Serial Data Link CMOS Transceiver)

  • 이흥배;오운택;소병춘;황원석;김수원
    • 대한전자공학회:학술대회논문집
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    • 대한전자공학회 2003년도 하계종합학술대회 논문집 II
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    • pp.1185-1188
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    • 2003
  • This paper describes a design for a 2.5Gb/s serial data link CMOS transceiver based on the InfiniBand$^{TM}$ specification. The transceiver chip integrates data serializer, line driver, Tx PLL, deserializer, clock recovery, and lock detector. The designed transceiver is fabricated in a 0.25 ${\mu}{\textrm}{m}$ CMOS mixed-signal, 1-poly, 5-metal process. The first version chip occupies a 3.0mm x 3.3mm area and consumes 450mW with 2.5V supply. In 2.5 Gbps, the output jitter of transmitter measured at the point over a 1.2m, 50Ω coaxial cable is 8.811ps(rms), 68ps(p-p). In the receiver, VCO jitter is 18.5ps(rms), 130ps(p-p), the recovered data are found equivalent to the transmitted data as expected. In the design for second version chip, the proposed clock and data recovery circuit using linear phase detector can reduce jitter in the VCO of PLL.L.

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A Single-ended Simultaneous Bidirectional Transceiver in 65-nm CMOS Technology

  • Jeon, Min-Ki;Yoo, Changsik
    • JSTS:Journal of Semiconductor Technology and Science
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    • 제16권6호
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    • pp.817-824
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    • 2016
  • A simultaneous bidirectional transceiver over a single wire has been developed in a 65 nm CMOS technology for a command and control bus. The echo signals of the simultaneous bidirectional link are cancelled by controlling the decision level of receiver comparators without power-hungry operational amplifier (op-amp) based circuits. With the clock information embedded in the rising edges of the signals sent from the source side to the sink side, the data is recovered by an open-loop digital circuit with 20 times blind oversampling. The data rate of the simultaneous bidirectional transceiver in each direction is 75 Mbps and therefore the overall signaling bandwidth is 150 Mbps. The measured energy efficiency of the transceiver is 56.7 pJ/b and the bit-error-rate (BER) is less than $10^{-12}$ with $2^7-1$ pseudo-random binary sequence (PRBS) pattern for both signaling directions.

비동기방식 UWB통신용 CMOS 아날로그 송수신단의 설계 (A Design of CMOS Transceiver for noncoherent UWB Communication system)

  • 박중완;문용;최성수
    • 대한전자공학회논문지SD
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    • 제42권12호
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    • pp.71-78
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    • 2005
  • 이 논문에서는 비동기 OOK 방식의 UWB 시스템에서 사용할 수 있는 아날로그 송수신단을 설계하였다. 설계한 송수신단은 $0.18{\mu}m$ CMOS 공정을 사용하여 구현 하였으며, SPICE 모의실험과 측정을 통하여 검증을 하였다. 제안된 송수신단은 병렬기, 아날로그-디지털 변환기, 클럭 생성기, 위상고정루프(PLL), 그리고 임펄스 생성기 등으로 이루어져 있다. 동작속도는 125MHz로 동작하는 아날로그-디지털 변환기 8개를 병렬로 연결하여 1Gbps의 속도를 얻으며, 8개의 병렬화된 출력을 얻는다. 이 출력은 D-F/F에 의해 동기화되고, 이 동기화된 출력들은 기저대역으로 전달된다. 임펄스 생성기는 CMOS 디지털 게이트로 이루어져 있으며, 약 1ns의 폭을 가지는 임펄스를 생성한다. 본 논문에서 제안된 송수신단의 모의실험 결과와 측정결과는 저전력 UWB 시스템의 구현이 가능하고, 병렬화를 택해서 높은 데이터 전송률을 얻을 수 있다는 가능성을 보여준다.

Low-Power Direct Conversion Transceiver for 915 MHz Band IEEE 802.15.4b Standard Based on 0.18 ${\mu}m$ CMOS Technology

  • Nguyen, Trung-Kien;Le, Viet-Hoang;Duong, Quoc-Hoang;Han, Seok-Kyun;Lee, Sang-Gug;Seong, Nak-Seon;Kim, Nae-Soo;Pyo, Cheol-Sig
    • ETRI Journal
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    • 제30권1호
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    • pp.33-46
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    • 2008
  • This paper presents the experimental results of a low-power low-cost RF transceiver for the 915 MHz band IEEE 802.15.4b standard. Low power and low cost are achieved by optimizing the transceiver architecture and circuit design techniques. The proposed transceiver shares the analog baseband section for both receive and transmit modes to reduce the silicon area. The RF transceiver consumes 11.2 mA in receive mode and 22.5 mA in transmit mode under a supply voltage of 1.8 V, in which 5 mA of quadrature voltage controlled oscillator is included. The proposed transceiver is implemented in a 0.18 ${\mu}m$ CMOS process and occupies 10 $mm^2$ of silicon area.

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0.18㎛ CMOS 3.1Gb/s VCSEL Driver 코아 칩 설계 (Design of Core Chip for 3.1Gb/s VCSEL Driver in 0.18㎛ CMOS)

  • 양충열;이상수
    • 한국통신학회논문지
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    • 제38A권1호
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    • pp.88-95
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    • 2013
  • 본 논문에서는 $0.18{\mu}m$ CMOS 공정 기술을 이용하여 광트랜시버에 사용된 1550 nm 고속 VCSEL을 구동하는 드라이버 회로를 제안한다. 3.1Gb/s 데이터 속도에서 기존 구조에 비하여 향상된 대역폭, 이득 및 아이 다이어그램을 확인하였다. 본 논문에서는 다중채널 어레이 집적모듈을 갖는 광트랜시버에 응용하기 위한 3.1Gb/s VCSEL 드라이버의 설계 및 레이아웃을 확인한다.

A Fully-Integrated Low Power K-band Radar Transceiver in 130nm CMOS Technology

  • Kim, Seong-Kyun;Cui, Chenglin;Kim, Byung-Sung;Kim, SoYoung
    • JSTS:Journal of Semiconductor Technology and Science
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    • 제12권4호
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    • pp.426-432
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    • 2012
  • A fully-integrated low power K-band radar transceiver in 130 nm CMOS process is presented. It consists of a low-noise amplifier (LNA), a down-conversion mixer, a power amplifier (PA), and a frequency synthesizer with injection locked buffer for driving mixer and PA. The receiver front-end provides a conversion gain of 19 dB. The LNA achieves a power gain of 15 dB and noise figure of 5.4 dB, and the PA has an output power of 9 dBm. The phase noise of VCO is -90 dBc/Hz at 1-MHz offset. The total dc power dissipation of the transceiver is 142 mW and the size of the chip is only $1.2{\times}1.4mm^2$.

ZigBee 응용을 위한 900MHz CMOS RF 송.수신기 구현 (Implementation of a CMOS RF Transceiver for 900MHz ZigBee Applications)

  • 권재관;박강엽;최우영;오원석
    • 대한전자공학회논문지TC
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    • 제43권11호
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    • pp.175-184
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    • 2006
  • 본 논문은 ZigBee 응용을 위한 900MHz ISM 밴드용 RF 송 수신기 설계에 관한 기술이다. 수신단은 저잡음 증폭기, 하향믹서, 프로그래머블 이득증폭기, 밴드패스필터로 구성되며, 송신단은 밴드패스필터, 프로그래머블 이득증폭기, 상향믹서, 구동증폭기로 구성된다. 송 수신단은 Low-IF 구조를 사용하였다. 또한, 송 수신단을 구성하는 각각의 블록은 저전력 기술을 사용하여 전체적인 전류 소모를 줄였다. Post-레이아웃 시뮬레이션으로 전체 송 수신기의 성능을 검증하였으며, 0.18um RF CMOS 공정을 이용하여 칩으로 구현하였다. 측정결과 제작된 칩셋은 -92dBm의 최소 수신 입력 레벨을 갖으며, 0dBm의 선형적인 최대 송신 출력 레벨을 갖는다. 또한, 전력 소모는 32mW(@1.8VDD)이며, ESD 방지 다이오드 패드를 포함한 칩 면적은 $2.3mm{\times}2.5mm$이다.

A 3.1 to 5 GHz CMOS Transceiver for DS-UWB Systems

  • Park, Bong-Hyuk;Lee, Kyung-Ai;Hong, Song-Cheol;Choi, Sang-Sung
    • ETRI Journal
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    • 제29권4호
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    • pp.421-429
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    • 2007
  • This paper presents a direct-conversion CMOS transceiver for fully digital DS-UWB systems. The transceiver includes all of the radio building blocks, such as a T/R switch, a low noise amplifier, an I/Q demodulator, a low pass filter, a variable gain amplifier as a receiver, the same receiver blocks as a transmitter including a phase-locked loop (PLL), and a voltage controlled oscillator (VCO). A single-ended-to-differential converter is implemented in the down-conversion mixer and a differential-to-single-ended converter is implemented in the driver amplifier stage. The chip is fabricated on a 9.0 $mm^2$ die using standard 0.18 ${\mu}m$ CMOS technology and a 64-pin MicroLead Frame package. Experimental results show the total current consumption is 143 mA including the PLL and VCO. The chip has a 3.5 dB receiver gain flatness at the 660 MHz bandwidth. These results indicate that the architecture and circuits are adaptable to the implementation of a wideband, low-power, and high-speed wireless personal area network.

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470-MHz-698-MHz IEEE 802.15.4m Compliant RF CMOS Transceiver

  • Seo, Youngho;Lee, Seungsik;Kim, Changwan
    • ETRI Journal
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    • 제40권2호
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    • pp.167-179
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    • 2018
  • This paper proposes an IEEE 802.15.4m compliant TV white-space orthogonal frequency-division multiplexing (TVWS)-(OFDM) radio frequency (RF) transceiver that can be adopted in advanced metering infrastructures, universal remote controllers, smart factories, consumer electronics, and other areas. The proposed TVWS-OFDM RF transceiver consists of a receiver, a transmitter, a 25% duty-cycle local oscillator generator, and a delta-sigma fractional-N phase-locked loop. In the TV band from 470 MHz to 698 MHz, the highly linear RF transmitter protects the occupied TV signals, and the high-Q filtering RF receiver is tolerable to in-band interferers as strong as -20 dBm at a 3-MHz offset. The proposed TVWS-OFDM RF transceiver is fabricated using a $0.13-{\mu}m$ CMOS process, and consumes 47 mA in the Tx mode and 35 mA in the Rx mode. The fabricated chip shows a Tx average power of 0 dBm with an error-vector-magnitude of < 3%, and a sensitivity level of -103 dBm with a packet-error-rate of < 3%. Using the implemented TVWS-OFDM modules, a public demonstration of electricity metering was successfully carried out.