• 제목/요약/키워드: CMOS digital circuit

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A Study of a High Performance Capacitive Sensing Scheme Using a Floating-Gate MOS Transistor

  • Jung, Seung-Min
    • Journal of information and communication convergence engineering
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    • 제10권2호
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    • pp.194-199
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    • 2012
  • This paper proposes a novel scheme of a gray scale fingerprint image for a high-accuracy capacitive sensor chip. The conventional grayscale image scheme uses a digital-to-analog converter (DAC) of a large-scale layout or charge-pump circuit with high power consumption and complexity by a global clock signal. A modified capacitive detection circuit for the charge sharing scheme is proposed, which uses a down literal circuit (DLC) with a floating-gate metal-oxide semiconductor transistor (FGMOS) based on a neuron model. The detection circuit is designed and simulated in a 3.3 V, 0.35 ${\mu}m$ standard CMOS process. Because the proposed circuit does not need a comparator and peripheral circuits, the pixel layout size can be reduced and the image resolution can be improved.

코오스와 파인 조정을 위한 다이나믹 주파수 스케일링 기법을 사용하는 CMOS 듀티 사이클 보정 회로 (A CMOS Duty Cycle Corrector Using Dynamic Frequency Scaling for Coarse and Fine Tuning Adjustment)

  • 한상우;김종선
    • 전자공학회논문지
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    • 제49권10호
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    • pp.142-147
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    • 2012
  • 본 논문에서는 다이나믹 주파수 스케일링 (DFS) 카운터를 사용하여 코오스, 파인 조정 기능을 갖는 CMOS 듀티 사이클 보정회로를 제시한다. DFS 카운터는 디지털-아날로그 컨버터의 비트 스위칭 글리치를 감소시키기 때문에 제안하는 CMOS 듀티 사이클 보정회로의 듀티 보정 범위를 증가시키고 지터 특성을 개선한다. 제안하는 회로는 0.18-${\mu}m$ CMOS 공정을 이용하여 설계되었다. 0.5-1.5GHz의 넓은 동작 주파수와 25-75%의 넓은 듀티 사이클 보정 범위 내에서 측정된 최대 출력 듀티 사이클 에러는 ${\pm}1.1%$이다.

The Digital Fuzzy Inference System Using Neural Networks

  • Ryeo, Ji-Hwan;Chung, Ho-Sun
    • 한국지능시스템학회:학술대회논문집
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    • 한국퍼지및지능시스템학회 1993년도 Fifth International Fuzzy Systems Association World Congress 93
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    • pp.968-971
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    • 1993
  • Fuzzy inference system which inferences and processes the Fuzzy information is designed using digital voltage mode neural circuits. The digital fuzzification circuit is designed to MIN,MAX circuit using CMOS neural comparator. A new defuzzification method which uses the center of area of the resultant fuzzy set as a defuzzified output is suggested. The method of the center of area(C. O. A) search for a crisp value which is correspond to a half of the area enclosed with inferenced membership function. The center of area defuzzification circuit is proposed. It is a simple circuit without divider and multiflier. The proposed circuits are verified by implementing with conventional digital chips.

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SSA 기법에 기반한 생산조립라인의 디지털 부품 실장 PCB의 검사전략에 대한 연구 (A Study on the Test Strategy Based on SSA Technique for the Digital Circuit Boards in Production Line)

  • 정용채;고윤석
    • 대한전기학회논문지:시스템및제어부문D
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    • 제54권4호
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    • pp.243-250
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    • 2005
  • Test methodology is diversity by devices and the number of test pattern is tremendous because the digital circuit includes TTL and CMOS family ICs as well as high density devices such as ROM and RAM. Accordingly, the quick and effective test strategy is required to enhance the test productivity. This paper proposes the test strategy which is able to be applied efficiently to the diversity devices on the digital circuit board by analyzing the structure and characteristic of the digital device. Especially, this test strategy detects the faulted digital device or the faulted digital circuit on the digital board using SSA(Serial Signature Analysis) technique based on the polynomial division theory The SSA technique identifies the faults by comparing the reminder from good device with reminder from the tested device. At this time, the reminder is obtained by enforcing the data stream obtained from output pins of the tested device on the LFSR(Linear Feedback Shift Register) representing the characteristic equation. Also, the method to obtain the optimal signature analysis circuit is explained by furnishing the short bit input streams to the long bit input streams to the LFSR having 8, 12, 16, 20bit input/output pins and by analyzing the occurring probability of error which is impossible to detect. Finally, the effectiveness of the proposed test strategy is verified by simulating the stuck at 1 errors or stuck at 0 errors for several devices on typical 8051 digital board.

A High Density MIM Capacitor in a Standard CMOS Process

  • Iversen, Christian-Rye
    • JSTS:Journal of Semiconductor Technology and Science
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    • 제1권3호
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    • pp.189-192
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    • 2001
  • A simple metal-insulator-metal (MIM) capacitor in a standard $0.25{\;}\mu\textrm{m}$ digital CMOS process is described. Using all six interconnect layers, this capacitor exploits both the lateral and vertical electrical fields to increase the capacitance density (capacitance per unit area). Compared to a conventional parallel plate capacitor in the four upper metal layers, this capacitor achieves lower parasitic substrate capacitance, and improves the capacitance density by a factor of 4. Measurements and an extracted model for the capacitor are also presented. Calculations, model and measurements agree very well.

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12 비트 100 MHz CMOS 디지털/아날로그 변환기의 설계 (Design of A 12-Bit 100-MHz CMOS Digital-to-Analog Converter)

  • 이주상;최일훈;김규현;유상대
    • 대한전기학회:학술대회논문집
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    • 대한전기학회 2002년도 합동 추계학술대회 논문집 정보 및 제어부문
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    • pp.609-612
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    • 2002
  • In this paper, a 12-bit 100-MHz CMOS current steering digital-to-analog converter is designed. In the D/A converter, a driver circuit using a dynamic latch is implemented to obtain low glitch and thermometer decoder is used for low DNL errors, guaranteed monotonicity, reduced stitching noise. And a threshold voltage-compensated current source. The D/A converter is designed with 0.35-$\mu m$ CMOS technology at 3.3 V power supply and simulated with HSPICE. The maximum power dissipation of the designed DAC is 143 mW.

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동기화 기능을 가지는 오차보정회로를 이용한 6비트 800MS/s CMOS A/D 변환기 설계 (Design of a 6bit 800MS/s CMOS A/D Converter Using Synchronizable Error Correction Circuit)

  • 김원;선종국;윤광섭
    • 한국통신학회논문지
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    • 제35권5A호
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    • pp.504-512
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    • 2010
  • 본 논문에서는 무선 USB 칩-셋 내 무선통신시스템단에 적용될 수 있는 6비트 800MS/s 플래쉬 A/D 변환기를 설계하였다. 기존의 A/D 변환기에서 서로 독립적으로 사용되던 오차보정회로단과 동기화단을 하나의 회로로 간소화 시켜서, 하드웨어에 대한 부담을 감소시켰다. 제안한 오차보정회로는 기존의 오차보정회로보다 MOS 트랜지스터의 수를 5개 감소시킬 수 있으며, 오차보정회로 한 개당 면적은 9% 정도 감소하게 된다. 설계된 A/D 변환기는 $0.18{\mu}m$ CMOS 1-poly 6-metal 공정으로 제작되었으며 측정 결과 입력 범위 0.8Vpp, 1.8V의 전원 전압에서 182mW의 전력 소모를 나타내었다. 800MS/s의 변환속도와 128.1MHz의 입력주파수에서 4.0비트의 ENOB을 나타내었다.

Interpolation 기법을 이용한 3.3V 8-bit 500MSPS Nyquist CMOS A/D Converter의 설계 (A 3.3V 8-bit 500MSPS Nyquist CMOS A/D Converter Based on an Interpolation Architecture)

  • 김상규;송민규
    • 대한전자공학회논문지SD
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    • 제41권8호
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    • pp.67-74
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    • 2004
  • 이 논문에서는 Interpolation 구조를 이용한 3.3V 8-bit 500MSPS CMOS A/D 변환기를 설계하였다. 고속 동작의 문제를 해결하기 위해서 새로운 프리앰프, 기준 전압 흔들림을 보정하기 위한 회로, 평균화 저항을 제안하였다. 제안된 Interpolation A/D 변환기는 Track & Hold, 256개의 기준전압이 있는 4단 저항열, 128개의 비교기 그리고 디지털 블록으로 구성되어 있다. 제안된 A/D 변환기는 0.35um 2-poly 4-metal N-well CMOS 공정이다. 이 A/D 변환기는 3.3V에서 440mW를 소비하며, 유효 칩 면적은 2250um x 3080um을 갖는다.

단일 입력 SAR ADC를 이용한 AMOLED 픽셀 문턱 전압 감지 회로 (A Threshold-voltage Sensing Circuit using Single-ended SAR ADC for AMOLED Pixel)

  • 손지수;장영찬
    • 전기전자학회논문지
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    • 제24권3호
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    • pp.719-726
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    • 2020
  • 능동형 유기 발광 다이오드의 픽셀 노화를 보상하기 위한 문턱 전압 감지 회로가 제안된다. 제안된 문턱 전압 감지 회로는 샘플-홀드 회로와 10비트의 해상도를 가지는 단일 입력 축차 근사형 아날로그-디지털 변환기로 구성된다. 각 샘플-홀드 회로의 스케일 다운 변환기와 단일-차동 변환기를 가지는 가변 이득 증폭기를 제거하기 위해 단일 입력 축차 근사형 아날로그-디지털 변환기를 위한 중간 기준 전압 보정과 입력 범위 보정이 수행된다. 제안된 문턱 전압 감지 회로는 1.8V 공급 전압의 180nm CMOS 공정을 사용하여 설계된다. 단일 입력 축차 근사형 아날로그-디지털 변환기로의 유효 비트와 전력 소모는 각각 9.425비트와 2.83mW이다.

155.52 Mbps CMOS 데이타 트랜스미터의 설계 (Design of a 155.52 Mbps CMOS data transmitter)

  • 채상훈;김길동;송원철
    • 전자공학회논문지B
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    • 제33B권3호
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    • pp.62-68
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    • 1996
  • A CMOS transmitter ASIC for the ATM switching system etc., was designed to transmit 155.52 Mbps serial data transformed from 19.44 Mbps parallel data. 155.52 MHz clock for synchronization of data is genrated using reference 19.44 MHz clock by an analog PLL while parallel to serial data conversion is done by a digital circuit. Circuit simulations confirm that PLL locking and data conversion are accomplished successfully. The area of the designed ASIC chip is 1.3${\times}1.0mm^2$. The locking time and the power consumption of the chip are about 600 nsec and less than 150 mW, respectively.

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