• 제목/요약/키워드: CMOS DAC

검색결과 127건 처리시간 0.029초

ADSL 모뎀용 CMOS 시그마-델타 DAC 칩 개발 (Development of CMOS Sigma-Delta DAC Chip for Using ADSL Modem)

  • 방준호;김선홍
    • 전기학회논문지P
    • /
    • 제52권4호
    • /
    • pp.148-153
    • /
    • 2003
  • In this paper, the low voltage 3V Sigma-Delta Digital Analog Converter(DAC) is designed for using in the transmitter of ADSL analog front-end. We have developed the CMOS DAC according to ANSI T1.413-2(DMT) standard specifications of the chip. The designed 4th-order DAC is composed of three block which are 1-bit DAC, 1st-order Switched-Capacitor filter and analog active 2nd-order Resistor-Capacitor(RC) filter. The HSPICE simulation of the designed DAC showing 65db SNR, is connected with 1.1MHz continuous lowpass filter. And also, we have performed the circuits verification and layout verification(ERC, DRC, LVS) followed by fabrication using TSMC 2-poly 5-metal p-substrate CMOS $0.35{\mu}m$ processing parameter. Finally, the chip testing has been performed and presented in the results.

고속통신 시스템 응용을 위한 3 V 12b 100 MS/s CMOS D/A 변환기 (A 3 V 12b 100 MS/s CMOS DAC for High-Speed Communication System Applications)

  • 배현희;이명진;신은석;이승훈;김영록
    • 대한전자공학회논문지SD
    • /
    • 제40권9호
    • /
    • pp.685-691
    • /
    • 2003
  • 본 논문에서는 고속 통신 시스템 응용을 위한 12b 100 MS/s CMOS D/A 변환기(DAC) 회로를 제안한다. 제안하는 DAC는 전력소모, 면적, 선형성 및 글리치 에너지 등을 고려하여, 상위 8b는 단위 전류셀 매트릭스 (unit current-cell matrix)로 나머지 하위 4b는 이진 전류열 (binary-weighted array)로 구성하였다. 제안하는 DAC는 동적 성능을 향상시키기 위해 새로운 구조의 스위치 구동 회로를 사용하였다. 시제품 DAC회로 레이아웃을 위해서는 캐스코드 전류원을 단위 전류셀 스위치 매트릭스와 분리하였으며, 제안하는 칩은 0.35 um single-poly quad-metal CMOS 공정을 사용하여 제작되었다. 측정된 시제품의 DNL 및 INL은 12b 해상도에서 각각 ±0.75 LSB와 ±1.73 LSB이내의 수준이며, 100 MS/s 동작 주파수와 10 MHz 입력 주파수에서 64 dB의 SFDR을 보여준다. 전력 소모는 3 V의 전원 전압에서 91 mW이며, 칩 전체 크기는 2.2 mm × 2.0 mm 이다.

고속 샘플링 8Bit 100MHz DAC 설계 (8bit 100MHz DAC design for high speed sampling)

  • 이훈기;최규훈
    • 전자공학회논문지 IE
    • /
    • 제43권3호
    • /
    • pp.6-12
    • /
    • 2006
  • 이 논문은 100MHz 수준의 고속 신호 샘플링을 위해 글리치 최소화 기법을 적용한 8비트 100MHz CMOS D/A 변환기 (Digital to Analog Converter : DAC) 회로를 제안한다. 제안하는 DAC는 $0.35{\mu}m$ Hynix CMOS 공정을 사용하여 설계 및 레이아웃을 하였으며, 응용되는 시스템의 속도, 해상도 및 면적 등의 사양을 고려하여 전류 모드 구조로 적용되었다. D/A 변환기의 선형 특성은 설계한 Spec. 과 유사하였으며, $\pm$0.09LSB 정도의 DNL과 INL 오차가 측정되었다. 제작된 칩 테스트 결과에 대한 오동작의 원인을 분석하였으며, 이를 통하여 칩 테스트를 위한 고려사항 등을 제안하였다.

WLAN용 10bit 210MHz CMOS D/A 변환기 설계 (A 10-Bit 210MHz CMOS D/A Converter)

  • 조현호;윤광섭
    • 대한전자공학회논문지TC
    • /
    • 제42권11호
    • /
    • pp.61-66
    • /
    • 2005
  • 본 논문은 WLAN에 이용되는 상위 6비트 온도계 코드의 전류원 셀 매트릭스와 중간 2비트 온도계 코드의 전류원, 그리고 하위 2비트 이진 가중치 코드의 서브 블록으로 구성된 10비트 210MHz의 CMOS 전류구동 디지털-아날로그 데이터 변환기(DAC)을 설계하였다. 제안된 새로운 글리치 억제회로는 입력된 신호의 교차되는 위치를 조절함으로써, 글리치 에너지를 최소화하도록 설계하였다. 또한 제안된 10비트 DAC는 CMOS $0.35{\mu}m$ 2-poly 4-metal 공정을 이용하여 설계하였으며, 유효 칩 면적은 5mm2이다. 제안된 10비트 DAC 칩의 측정결과, 변환속도는 210MHz, DNL/INL은 각각 ${\pm}0.7LSB/{\pm}1.1LSB$이며, 글리치 에너지는 $76pV{\cdot}sec$이고, SNR은 50dB, SFDR은 53dB((a)200MHz), 전력소비는 83mW((a)3.3V)로 측정되었다.

A 10-bit Current-steering DAC in 0.35-μm CMOS Process

  • Cui, Zhi-Yuan;Piao, Hua-Lan;Kim, Nam-Soo
    • Transactions on Electrical and Electronic Materials
    • /
    • 제10권2호
    • /
    • pp.44-48
    • /
    • 2009
  • A simulation study of a 10-bit two-stage DAC was done by using a conventional current switch cell. The DAC adopts the segmented architecture in order to reduce the circuit complexity and the die area. The 10-bit CMOS DAC was designed in 2 blocks, a unary cell matrix for 6 MSBs and a binary weighted array for 4 LSBs, for fabrication in a 0.35-${\mu}m$ CMOS process. To cancel the accumulation of errors in each current cell, a symmetrical switching sequence is applied in the unary cell matrix for 6 MSBs. To ensure high-speed operation, a decoding circuit with one stage latch and a cascode current source were developed. Simulations show that the maximum power consumption of the 10-bit DAC is 74 mW with a sampling frequency of 100 MHz.

고속 샘플링 8bit 100MHz DAC 설계 (8bit 100MHz DAC design for high speed sampling)

  • 이훈기;최규훈
    • 대한전자공학회:학술대회논문집
    • /
    • 대한전자공학회 2005년도 추계종합학술대회
    • /
    • pp.1241-1246
    • /
    • 2005
  • 본 장은 100MHz 수준의 고속 신호 샘플링을 위해 글리치 최소화 기법을 적용한 8비트 100MHz CMOS D/A 변환기 (Digital - to - Analog Converter : DAC) 회로를 제안한다. 제안하는 DAC는 0.35um Hynix CMOS 공정을 사용하여 설계 및 레이아웃을 하였으며, 응용되는 시스템의 속도, 해상도 및 면적 등의 사양을 고려하여 전류 모드 구조로 적용되었다. D/A 변환기의 선형 특성은 원래의 Spec. 과 유사하였으며, ${\pm}0.09LSB$ 정도의 DNL과 INL오차가 측정되었다. 제작된 칩 테스트 결과에 대한 오동작의 원인을 분석하였으며, 이를 통하여 칩 테스트를 위한 고려사항 등을 제안하였다.

  • PDF

WCDMA 통신용 I-Q 채널 12비트 1GS/s CMOS DAC (I-Q Channel 12bit 1GS/s CMOS DAC for WCDMA)

  • 서성욱;신선화;주찬양;김수재;윤광섭
    • 대한전자공학회논문지SD
    • /
    • 제45권1호
    • /
    • pp.56-63
    • /
    • 2008
  • 본 논문에서는 WCDMA 통신용 송신기에 적용 가능한 12비트 1GS/s 전류구동 방식의 혼합형 DAC를 설계하였다. 제안된 DAC는 혼합형 구조로써 하위 4비트는 이진 가중치 구조, 중간비트와 상위비트는 4비트 온도계 디코더 구조로 12비트를 구성하였다. 제안된 DAC는 혼합형 구조에서 발생되는 지연시간에 따른 성능 저하를 개선하기 위해 지연시간보정 회로를 사용하였다. 지연시간보정 회로는 위상주파수 검출기, 전하펌프, 제어회로로 구성되어 이진 가중치 구조와 온도계 디코더 구조에서 발생하는 지연시간을 감소시킨다. 제안한 DAC는 CMOS $0.18{\mu}m$ 1-poly 6-metal n-well 공정을 사용하여 제작되었고 측정된 INL/DNL은 ${\pm}0.93LS/$ 0.62LSB 이하로 나타났다. 입력 주파수 1MHz에서 SFDR은 약 60dB로 측정되었고 SNDR은 51dB로 측정되었다. 단일 DAC의 전력소모는 46.2mW로 나타났다.

CMOS Stereo 16-bit Δ$\Sigma$ DAC Analog단의 설계기법 (Design Methodology of Analog Circuits for a CMOS Stereo 16-bit Δ$\Sigma$ DAC)

  • 김상호;채정석;박영진;손영철;조상준;김상민;김동명;김대정
    • 대한전자공학회:학술대회논문집
    • /
    • 대한전자공학회 2001년도 하계종합학술대회 논문집(2)
    • /
    • pp.93-96
    • /
    • 2001
  • A design methodology of analog circuits for a CMOS stereo 16-bit Δ$\Sigma$ DAC which are suitable for the digital audio applications is described. The limitations of Δ$\Sigma$ DAC exist in the performance of the 1-bit DAC and that of the smoothing filter. The proposed architecture for analog circuits contains the buffer between the digital modulator and the following analog stage and adopts the SCF (switched capacitor filter) and DSC (differential-to-single converter) scheme. In this paper, a guide line for the selection of the filter type for the SCF design in the Δ$\Sigma$ DAC is suggested through the analytical approaches.

  • PDF

2단 전류셀 매트릭스 구조를 지닌 저전압 고속 8비트 CMOS D/A 변환기 (A los voltage high speed 8 bit CMOS digital-to-analog converter with two-stage current cell matrix architecture)

  • 김지현;권용복;윤광섭
    • 전자공학회논문지C
    • /
    • 제35C권4호
    • /
    • pp.50-59
    • /
    • 1998
  • This paper describes a 3.3V 8bit CMOS digital to analog converter (DAC) with two state current cell metrix architecture which consists of a 4 MSB and a 4 LSB current matrix stage. The symmetric two stage current cell matrix architecture allow the designed DAC to reduce hot only a complexity of decoding logics, but also a number of wider swing cascode curent mirros. The designed DAC with an active chip area of 0.8 mm$_{2}$ is fabricated by a 0.8 .mu.m CMOS n-well standard digital process. The experimental data shows that the rise/fall time, the settling time, and INL/DNL are6ns, 15ns, and a less than .+-.0.8/.+-.0.75 LB, respectively. The designed DAC is fully operational for the power supply down to 2.0V, such that the DAC is suitable for a low voltage and a low power system application. The power dissipation of the DAC with a single power supply of 3.3V is measured to be 34.5mW.

  • PDF

높은 선형성을 가진 3 V 10b 영상 신호 처리용 CMOS D/A 변환기 설계 (A Design of a Highly Linear 3 V 10b Video-Speed CMOS D/A Converter)

  • 이성훈;전병렬;윤상원;이승훈
    • 전자공학회논문지C
    • /
    • 제34C권6호
    • /
    • pp.28-36
    • /
    • 1997
  • In this work, a highly linear video-speed CMOS current-mode digital-to-analog converter (DAC) is proposed. A newswitching scheme for the current cell matrix of the DAC simultaneously reduces graded and symmetrical errors to improve integral nonlinearities (INL). The proposed DAC is designed to operate at any supply voltage between 3V and 5V, and minimizes the glitch energy of analog outputs with degliching circuits developed in this work. The prototype dAC was implemented in a LG 0.8um n-well single-poly double-metal CMOS technology. Experimental results show that the differential and integral nonlinearities are less than .+-. LSB and .+-.0.8LSB respectively. The DAC dissipates 75mW at a 3V single power supply and occupies a chip area of 2.4 mm * 2.9mm.

  • PDF