• Proceedings of the Korean Institute of Information and Commucation Sciences Conference
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• 2008.05a
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• pp.97-100
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• 2008

정보화 사회가 진행되어감에 따라 카메라 센서, 디지털 카메라, 휴대폰, 영상 관련디지털 기기들이 증가하고 이로 인하여 영상정보 서비스 기술의 중요성이 크게 부각되었다. 특히 멀티미디어 응용서비스 기술에서는 영상 정보가 필수적인데, 그 영상 정보의 양이 너무 방대하여 압축 부호화를 하여 사용되고 있다. 본 논문에서는 정지영상압축 방법 중 JPEG표준에서 제시한 4가지 동작 모드 중 베이스라인을 기반으로 하는 JPEG압축 알고리즘을 연구하여 CMOS 이미지 센서에서 영상을 전송받으면 8*8 블록 단위로 변환 후 DCT 및 양자화 과정을 거쳐 지그재그 스캔을 한 후 허프만 코드를 사용하여 압축 부호화 시키는 JPEG 베이스라인 인코더를 VHDL언어로 설계하였다.

• Proceedings of the Korean Institute of Information and Commucation Sciences Conference
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• v.9 no.1
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• pp.1008-1012
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• 2005

최근 디지털 카메라, 영상관련 디지털 기기들의 증가와 DMB(Digital Multimedia Broadcasting)의 시작으로 영상 처리 분야의 중요성이 점차 높아지고 있으며, 적절히 교정하지 못한 영상은 너무 밝거나 또는 너무 어둡게 보일 수 있기 때문에 영상을 컴퓨터 스크린에 정확하게 표현하는 감마교정은 영상을 디스플레이 하는 장치에서 더 많은 비중을 차지하고 있다. 본 논문에서는 영상 입력 장치 또는 카메라 이미지 센서로부터 얻은 Bayer Data 가 전처리 과정에서 수행하는 감마교정에 대해 이해하고, ROM에 감마 값을 고정하여 수행하지 않았다. 구간 선형 알고리즘을 이용한 하드웨어적인 처리를 수행하는 감마 교정을 구현하고자 한다. 이를 위해서 Visual C++을 이용하여 소프트웨어적인 구현과 구간 선형법 알고리즘을 이용한 구현을 검증한 후, 구간 선형 알고리즘을 적용한 감마 교정을 하드웨어로 설계 후, Modelsim6.0a를 이용하여 데이터를 검증한다.

• Journal of the Korea Institute of Information and Communication Engineering
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• v.14 no.11
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• pp.2541-2547
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• 2010

In this paper, we propose a design technique which replaces logic transistors of 1.2V with medium-voltage transistors of 3.3V having small off-leakage current in repetitive block circuits where speed is not an issue, to implement a low-power eFuse OTP memory IP in the stand-by state. In addition, we use dual-port eFuse cells reducing operational current dissipation by reducing capacitances parasitic to RWL (Read word-line) and BL (Bit-line) in the read mode. Furthermore, we propose an equivalent circuit for simulating program power injected to an eFuse from a program voltage. The layout size of the designed 512-bit eFuse OTP memory IP with a 90nm CMOS image sensor process is $342{\mu}m{\times}236{\mu}m$. It is confirmed by measurement experiments on 42 samples with a program voltage of 5V that we get a good result having 97.6 percent of program yield. Also, the minimal operational supply voltage is measured well to be 0.9V.

• Journal of Sensor Science and Technology
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• v.25 no.5
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• pp.349-353
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• 2016

Recently, research on bolometer-type uncooled infrared image sensor which is made for industrial applications has been increasing. In general, it is difficult to calibrate fixed pattern noise (FPN) of bolometer array. In this paper, average-current calibration algorithm is presented for reducing bolometer resistance offset. A resistor which is produced by standard CMOS process, on the average, has a deviation. We compensate for deviation of each resistor using average-current calibration algorithm. The proposed algorithm has been implemented by a chip which is consisted of a bolometer pixel array, average current generators, current-to-voltage converters (IVCs), a digital-to-analog converter (DAC), and analog-to-digital converters (ADCs). These bolometer-resistor array and readout circuit were designed and manufactured by $0.35{\mu}m$ standard CMOS process.

• Electronics and Telecommunications Trends
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• v.25 no.5
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• pp.97-105
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• 2010

모바일과 유비쿼터스 센서 네트워크 센서 시대가 도래함에 따라 가볍고, 작고, 얇고, 멀티기능을 구현할 수 있는 부품에 대한 요구가 증대하고 있다. 이에 대한 여러 가지 솔루션 중 MCM의 개념을 수직 방향으로 확장시킨 3D IC가 최근 각광을 받고 있다. 이는 물리적인 한계에 부딪힌 반도체 집적 공정의 한계를 극복하여 지속적으로 무어의 법칙에 맞춰 집적도를 향상시킬 수 있을 뿐만 아니라 소재와 공정이 달라도 3차원적으로 집적이 가능하여 메모리와 프로세서로 대표되는 디지털 칩뿐만 아니라 아날로그/RF, 수동소자, 전력소자, 센서/액추에이터, 바이오칩 등을 하나로 패키징 할 수 있는 장점이 있기 때문이다. 이를 통해 성능 향상, 경박단소, 저비용의 부품 개발이 가능하기 때문에 미국, 유럽, 일본 등 선도국뿐만 아니라 싱가포르, 타이완, 중국 등에서도 활발한 연구가 진행되고 있으며 CMOS 이미지 센서 모듈 생산에 TSV 기술이 이미 적용되고 있다. 본 고에서는 3D IC를 위한 TSV 및 적층 요소 기술을 소개하고 이를 통해 개발된 사례와 표준화 동향에 대하여 소개하고자 한다.

• Proceedings of the KIEE Conference
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• 2011.07a
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• pp.1680-1681
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• 2011

In this paper, particle counting system using a CMOS image sensor is demonstrated. The system utilizes a linear photodetector array as a detection element. Therefore, the particles are detected by large detection region, in contrast to a single detector in conventional particle counting devices, while maintaining the sensitivity. The advantage of proposed system is that particles are detected in a relatively large area without using the particle focusing method. Also, proposed system can be easily integrated with a microfluidic chip by attaching the device underneath the bottom plate of the microfluidic chip. Detection of polystyrene microbeads has been tested at a flow rate of 4.89mm/s. For 21 measurements, proposed system showed an average count error of 7.29% and a standard deviation of 4.74%. Potentially, the proposed system can detect even smaller particles simply by utilizing a higher resolution CMOS image sensor.

• Proceedings of the Optical Society of Korea Conference
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• 2009.02a
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• pp.241-242
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• 2009

도플러 효과를 이용해 피부의 혈류 속도 분포를 측정하였다. 고속 CMOS 이미지 센서를 사용하여 $256{\times}256$ 픽셀의 크기를 갖는 혈류 속도 영상을 측정하였다. 많은 의학 치료 분야에서 혈류 흐름에 대한 영상, 특히 모세혈관에서의 혈류 흐름에 대한 영상을 필요로 한다. 레이저 도플러 기술은 물체의 속도를 물체에 접촉하지 않고 측정할 수 있는 대표적인 기술로, 레이저 광의 코헤런트한 특성과 비접촉성 특성은 인체 피부의 혈류 속도를 측정하는데 좋은 특성을 제공한다.

• IT SoC Magazine
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• s.6
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• pp.32-36
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• 2005

이번 전시회에서는 특히 핸드폰, PDA등 휴대기기관련 제품이 대세를 이뤄 전시되었으며, IT-SoC협회도 국내 10개 업체를 이끌고 한국관을 구성하여 참가하였다. 삼성전자는 200만 및 130만 화소 CMOS이미지센서, 휴대폰용QVGA급 TFT LCD드라이버 IC 선보였으며, 인텔은 PDA, PMP 등에 사용할 수 있는 프로세서를, TI와 르네사스는 각각 모바일 멀티미디어 프로세서인 오랩, SH모바일 등으로 관심을 끌었다. 이외에도 시그마텔 등 중소 반도체 업체들 대부분도 MP3P 등 휴대용 애플리케이션 반도체로 제조업체의 이목을 집중시켰다.

• Journal of Sensor Science and Technology
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• v.12 no.4
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• pp.149-155
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• 2003

A PMOSFET photodetector for highly-sensitive active pixel sensor(APS) is presented. This sensor uses 5V power supply and has been designed and fabricated using I-poly and 2-metal $1.5{\mu}m$ CMOS technology. The feature of a PMOSFET photodetector is that the polysilicon gate of the PMOSFET was connected to n-well, in order to increase the photo sensitivity. The designed MOS photodetector has similar $I_{DS}-V_{DS}$ characteristics with a standard MOSFET. One dimensional image sensor with 16 pixels based on the PMOSFET photodetector has also been designed and fabricated. Unit pixel of the designed sensor consists of a PMOSFET photodetector and 4 NMOSFETs. Unit pixel area is $86{\mu}m{\times}90.5{\mu}m$ and its fill factor is about 12%.

• Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea SD
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• v.44 no.4
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• pp.55-62
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• 2007

This paper proposes a defective pixel detection algorithm and its hardware structure for CCD/CMOS image sensor. In previous algorithms, the characteristics of image have not been considered. Also, some algorithms need quite a time to detect defective pixels. In order to make up for those disadvantages, the proposed defective pixel detection method detects defective pixels efficiently by considering the edges in the image and verifies them using several frames while checking scene-changes. Whenever scene-change is occurred, potentially defective pixels are checked and confirmed whether it is defective or not. Test results showed that the correct detection rate in a frame was increased 6% and the defective pixel verification time was decreased 60%. The proposed algorithm was implemented with verilog HDL. The edge indicator in color interpolation block was reused. Total logic gate count was 5.4k using 0.25um CMOS standard cell library.