• 한국정보통신학회:학술대회논문집
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• 한국해양정보통신학회 2003년도 추계종합학술대회
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• pp.777-779
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• 2003

본 논문에서는 main gate와 side gate를 갖는 double gate MOSFET의 C-V 특성을 조사하였다. Main gate 전압을 -5V에서 ＋5V까지 변화시킴으로써 main gate 길이가 50nm이고, side gate 길이가 70nm인 MOSFET의 C-V 특성을 조사하였다. 또한, Main gate 길이가 50nm인 double gate MOSFET의 side gate의 길이를 40nm에서 90nm로 변화시키면서 C-V 곡선을 비교ㆍ분석하였다. Side gate 길이가 줄어들수록 전달컨덕턴스는 증가하고, 커패시턴스는 감소하는 경향을 나타내었다. 게이트 전압이 1.8V일 때, side gate의 영향으로 C-V곡선에 굴곡이 나타났으며, 소자의 특성 분석을 위해 ISE-TCAD를 사용하여 시뮬레이션 하였다.

• 한국정보통신학회:학술대회논문집
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• 한국해양정보통신학회 2004년도 춘계종합학술대회
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• pp.661-663
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• 2004

본 논문에서는 main gate와 side gate를 갖는 double gate MOSFET의 C-V 특성을 조사하기 위하여 side gate 길이와 side gate 전압을 변화시켜 조사하였다. Main gate 전압은 -5V에서 +5V까지 변화시켰으며, main gate 길이가 50nm, side gate 길이가 70nm, side gate 전압이 3V, drain 전압이 2V일때 우수한 C-V 특성을 얻었다. 이 때 소자의 특성 분석을 위해 ISE-TCAD를 사용하여 시뮬레이션 하였다.

• 한국결정성장학회지
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• 제7권3호
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• pp.487-493
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• 1997

SiC(4H) 결정에 Ti을 열증착하여 Ti/SiC(4H) 쇼트키(Schottky) 장벽 다이오드를 만들었다. SiC(4H)의 주개농도(donor concentration)는 전기용량-전압(C-V) 측정으로부터 $2.0{\times}10^{15}{\textrm}{cm}^{-3}$이었으며, 내부전위(built-in potential)는 0.65 V이었다. 전류-전압(I-V) 특성으로 부터 다이오드의 이상계수(ideally factor)는 1.07이었으며, 역방향 항복전장(breakdown field)은 약 $1.7{\times}10^3V/{\textrm}{cm}$이었다. 상온에서 $140^{\circ}C$까지 온도변화에 따라 측정된 포화전류로 부터 구한 전위장벽(potential barrier)은 0.91 V이었는데, 이는 C-V 특성으로 부터 구한 전위장벽과 거의 같았다.

• 한국정보통신학회:학술대회논문집
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• 한국해양정보통신학회 2001년도 추계종합학술대회
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• pp.644-647
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• 2001

이 연구에서는 P-MOS 커패시터에 Co $u^{60}$-${\gamma}$선을 조사한 후 조사선량 및 산화막 두께에 따른 전하의 거동을 고찰하고자 1[MHz]의 고주파 신호에서 정전용량-전압(C-V) 특성 및 유전손실계수-전압(D-V)특성을 측정하였다. C-V 특성에서 플랫밴드 전압과 문턱전압을 구하여 이들 파라메타와 D-V 특성의 피크와의 관련성을 검토하였다. C-V 특성이 P-MOS 커패시터의 정상상태의 전하의 거동 및 계면 상태특성을 해석하기가 편리하고 D-V 특성은 C-V 특성보다 산화막 내부의 공간전하분포와 계면상태의 밑도 등을 더 명확하게 파악할 수 있으며 산화막내 캐리어의 전도철상에 관한 미시적 전하 거동의 고찰에도 편리함이 확인되었다.

• 대한전기학회논문지
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• 제43권3호
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• pp.420-431
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• 1994

The HgCdTe material, which is II-VI compound semiconductor, is important materials for the fabrication of the infrared detectros. To suggest the model of accurate MIS C-V calculation for narrow band gap semiconductors such as HgCdTe, non-parabolicity from k.p theory and degeneracy effect are considered. And partially ionized effect and compensation effect which are material's properties are also considerd. Especially, degenerated material C-V characteristics from Fermi-Dirac statistics and exact charge theory are presented to get more accurate analysis of the experimental results. Also the comparison with calculation results between the general MIS theory from Boltzmann appoximation method and this model which is considered the narrow band gap semiconductor properties, show that this model is more useful theory to determination of accurate low and high frequency C-V characteristics.

• 한국정보디스플레이학회:학술대회논문집
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• 한국정보디스플레이학회 2008년도 International Meeting on Information Display
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• pp.645-647
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• 2008

In this paper, we analyzed interface trap density between pentacene and PVP and SiO2 gate dielectric by using high-low C-V characteristics. The interface trap density was $10^{13}\;cm^{-2}eV^{-1}$.

• Transactions on Electrical and Electronic Materials
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• 제3권2호
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• pp.10-15
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• 2002

In this paper, the electrical characteristics of fabricated p+-n junction diode are demonstrated and interpreted with different theoretical calculations. Dopants distribution by boron ion implantation on silicon wafer were simulated with TRIM-code and ICECaEM simulator. In order to make electrical activation of implanted carriers, thermal annealing treatments are carried out by RTP method for 1min. at $1000^{circ}C$ under inert $N_2$ gas condition. In this case, profiles of dopants distribution before and after heat treatments in the substrate are observed from computer simulations. In the I-V characteristics of fabricated diodes, an analytical description method of a new triangular junction model is demonstrated and the results with calculated triangular junction are compared with measured data and theoretical calculated results of abrupt junction. Forward voltage drop with new triangular junction model is lower than the case of abrupt junction model. In the C-V characteristics of diode, the calculated data are compared with the measured data. Another I-V characteristics of diodes are measured after proton implantation in electrical isolation method instead of conventional etching method. From the measured data, the turn-on characteristics after proton implantation is more improved than before proton implantation. Also the C-V characteristics of diode are compared with the measured data before proton implantation. From the results of measured data, reasonable deviations are showed. But the C-V characteristics of diode after proton implantation are deviated greatly from the calculated data because of leakage currents in defect regions and layer shift of depletion by proton implantation.

• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 1999년도 추계학술대회 논문집 학회본부 C
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• pp.938-940
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• 1999

We have fabricated SiC Schottky diode for high temperature applications. SiC thin film for drift region has been deposited by ICP-CVD. In order to establish metallization conditions, we have extracted the device parameters of the Schottky diode from the forward I-V characteristics and the C-V characteristics as a function of temperature. The ideality factor was varied from 2.07 to 1.15 and the barrier height was also varied from 1.26eV to 1.92eV with increase of temperature. The reverse blocking voltage was 183 V.

• 한국조명전기설비학회지:조명전기설비
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• 제9권1호
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• pp.47-53
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• 1995

본 연구는 공기절연 전력설비를 위한 교류전로파괴전압($\textrm{V}_{Brms}$)-온도 (T)특성을 연구할 목적으로 교류 고전압 인가시 온도변화(30[$^{\circ}C$]-[$180^{\circ}C$])에 따른 유동공기의 전로파괴특성을 기체방전이론과 유체역학 이론을 적용하여 연구하였다. 그리고 본 실험에서의 전극계는 내부직경이 5[cm]인 직원통간에 침대침전극을 배치하였다. 본 연구에서 얻은 중요한 결론은 다음과 같다. $\textrm{V}_{Brms}$)은 유속(U)이 증가함에 따라 상승하였다. $\textrm{V}_{Brms}$는 高溫에서 포화하였다. 高溫(T : [$180^{\circ}C$])에서는 低溫(T : 30[$^{\circ}C$])보다 $\textrm{V}_{Brms}$가 4.7[kV]가 낮게 나타났다. $\textrm{V}_{Brms}$는 $\textrm{V}_{Brms}=A\times{Log[Re]}+B}$의 식으로 나타낼 수 있었다. 여기서 A, B는 상수이다.

• 한국결정성장학회지
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• 제8권4호
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• pp.640-644
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• 1998

Sb/SiC(4H) 및 Ti/SiC(4H) 쇼트키 다이오드(SBD)를 제작하여 그 특성을 조사하였다. 용량-전압(C-V) 측정으로부터 얻은 n-형 SiC(4H)의 주개(donor) 농도는 약 $2.5{\times}10 ^{17}{\textrm}cm^{-3}$이었다. 순방향 전류-전압(I-V) 특성의 기울기로부터 얻은 Sb/SiC(4H) 쇼트키 다이오드의 이상계수는 1.31이었고, 역방향 항복전장(breakdown field)은 약 4.4$\times$102V/cm 이었다. 용량-전압(C-V) 측정으로부터 얻은 Sb/SiC(4H) SBD의 내부전위(built-in potential) 및 쇼트키 장벽 높이는 각각 1.70V 및 1.82V이었다. Sb/SiC(4H)의 장벽높이 1.82V는 Ti/SiC(4H)의 0.91V보다 높았다. 그러나 Sb/SiC(4H)의 전류밀도와 역방향 항복전장은 Ti/SiC(4H)의 것보다 낮았다. Ti/SiC(4H)는 물론 Sb/SiC(4H) 쇼트키 다이오드는 고전력 전자소자로서 유용하다.