제품이나 시스템의 품질은 오늘날에 이르러 고객만족을 의미하기에 더욱 중요하게 인식되고 있다. 이러한 품질의 한 특성으로 인식되는 성능은 주어진기능을 얼마나 잘 수행하는가를 의미하는 것으로 고객만족에 가장 접근하는 특성이다. 하지만 선박과 같은 대형 구조물을 다루는 공학자에 있어서 안전성은 사고 시에 발생하는 파괴나 인명피해 등과밀접하게 관계되어 있기 때문에 그 중요성이 더욱 크게 인식되고 있다. 본 연구에서는 구조물에서 중요하게 인식되는 성능과 안전성을 이용하여 품질기능전개(QFD)를 이용하여 성능을 분석하고 파괴모드 및 영향분석(FMEA)을 이용하여 안전성을 분석함으로써 고객의 요구사항에 기반을 둔 품질 분석 방법을 제시한다. 또한 이를 살물선의 화물창구에 적용하여 성능과 안전성 측면에서 중요한 부재를 각각 8가지, 12가지로 파악하였으며, 이들 중에서 공통으로 지적된 7가지 부재들은 설계자가 설계 시 특별한 관심을 갖고 우선적으로 개선해야 할 부분이다.
In the present study, silica-aerogel-polyurethane foams were synthesized to improve the mechanical characteristics and insulation performance of the polyurethane foam applied to a liquefied natural gas carrier at a cryogenic temperature of $-163^{\circ}C$. A silica-aerogel-polyurethane foam bulk was prepared using a homogenizer by varying the weight ratio of the silica aerogel (0, 1, 3, and 5 wt%), while maintaining the contents of the polyol, isocyanate, and blowing agent constant. Compression tests were performed at room and cryogenic temperatures to compare the mechanical properties of the silica-aerogel polyurethane foams. The internal temperature of the universal testing machine was maintained through the cryogenic chamber. The thermal conductivity of the silica-aerogel-polyurethane foam was measured using a heat flow meter to confirm the insulation performance. In addition, the effect of the silica aerogels on the cells of the polyurethane foam was investigated using FE-SEM and FTIR. From the experimental results, the 1 wt% silica aerogel polyurethane foam showed outstanding mechanical and thermal performances.
이 연구에서는 HVPE법으로 두께가 350$\mu\textrm{m}$, 면적이 100$\textrm{mm}^2$인 크랙이 없는 freestanding GaN 단결정 기판을 제작하고, 그 특성을 조사하였다. 제작된 GaN 기판의 격자상수는 $c_{o}$ =5.18486$\AA$이었고, 이중 X-선 회절피크의 반치폭은 650 arcsec 이었다. 10K의 온도에서 측정한 PL 스펙트럼은 에너지 밴드 갭 부근에서 중성 도너와 중성 억셉터에 구속된 여기자 및 자유여기자의 소멸에 의한 발광과 결정 결함고 관계하는 깊은 준위에 의한 1.8eV 부근 발광으로 구성되었다. 또한 라만 E2(high)모드 주파수는 567cm-1로서 벌크 GaN 단결정의 값과 같았다. 한편, GaN 기판의 전기저항도형은 n형이었고, 전기 비저항은 0.02$\Omega$.cm이었으며, 캐리어 이동도와 농도는 각각 283$\textrm{cm}^2$/V.s와 1.1$\times$$10^{18}$$cm^{-3}$이었다.
JSTS:Journal of Semiconductor Technology and Science
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제12권1호
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pp.59-65
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2012
A study on the electrical characteristic analysis of solar cell diodes under experimental conditions of varying temperature and frequency has been conducted. From the current-voltage (I-V) measurements, at the room temperature, we obtained the ideality factor (n) for Space Charge Region (SCR) and Quasi-Neutral Region (QNR) of 3.02 and 1.76, respectively. Characteristics showed that the value of n (at SCR) decreases with rising temperature and n (at QNR) increases with the same conditions. These are due to not only the sharply increased SCR current flow but the activated carrier recombination in the bulk region caused by defects such as contamination, dangling bonds. In addition, from the I-V measurements implemented to confirm the junction uniformity of cells, the average current dispersion was 40.87% and 10.59% at the region of SCR and QNR, respectively. These phenomena were caused by the pyramidal textured junction structure formed to improve the light absorption on the device's front surface, and these affect to the total diode current flow. These defect and textured junction structure will be causes that solar cell diodes have non-ideal electrical characteristics compared with general p-n junction diodes. Also, through the capacitance-voltage (C-V) measurements under the frequency of 180 kHz, we confirmed that the value of built-in potential is 0.63 V.
열확산(thermal diffusion)법을 이용하여 면적이 3.36㎠인 P+N 전지와 P+NN+ 전지를 제작하였다. 100mW/㎠의 인공 조명에서 측정한 결과 940℃에서 15분 보론확산(boron Predeposition)을 하고, 800℃에서 20분 열처리(annealing)하여 제작한 P+N전지는 전면적(수광면적) 변환 효율이 13.4%(14.7%)이었다. 뒷면을 1050℃에서 인(Phosphorus)을 확산한 후, 앞면을 940℃에서 15분 보론 확산하고, 800℃에서 50분 열처리하여 만든 P+NN+전지의 전면적(수광면적) 변환 효율은 14.3%(15.6%)이었다. 뒷면의 인 확산으로 게더링(gettering) 작용과 BSF 효과에 의해서 P+NN+ 전지가 P+N전지보다 캐리어 수명이 약 2∼3배 증가되었다. 그리고 효율 개선을 위해 AR로팅, Ag전기도금, 미세한 그리드 패턴, 앞면 불순물 주입량 조절 등을 행하였다.
Transactions on Electrical and Electronic Materials
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제18권1호
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pp.55-57
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2017
Amorphous oxide thin film transistors (TFTs) were fabricated with 0.5 wt% silicon doped zinc tin oxide (a-0.5SZTO) thin film deposited by radio frequency (RF) magnetron sputtering. In order to investigate the effect of annealing treatment on the electrical properties of TFTs, a-0.5SZTO thin films were annealed at three different temperatures ($300^{\circ}C$, $500^{\circ}C$, and $700^{\circ}C$ for 2 hours in a air atmosphere. The structural and electrical properties of a-0.5SZTO TFTs were measured using X-ray diffraction and a semiconductor analyzer. As annealing temperature increased from $300^{\circ}C$ to $500^{\circ}C$, no peak was observed. This provided crystalline properties indicating that the amorphous phase was observed up to $500^{\circ}C$. The electrical properties of a-0.5SZTO TFTs, such as the field effect mobility (${\mu}_{FE}$) of $24.31cm^2/Vs$, on current ($I_{ON}$) of $2.38{\times}10^{-4}A$, and subthreshold swing (S.S) of 0.59 V/decade improved with the thermal annealing treatment. This improvement was mainly due to the increased carrier concentration and decreased structural defects by rearranged atoms. However, when a-0.5SZTO TFTs were annealed at $700^{\circ}C$, a crystalline peak was observed. As a result, electrical properties degraded. ${\mu}_{FE}$ was $0.06cm^2/Vs$, $I_{ON}$ was $5.27{\times}10^{-7}A$, and S.S was 2.09 V/decade. This degradation of electrical properties was mainly due to increased interfacial and bulk trap densities of forming grain boundaries caused by the annealing treatment.
Park, Chan-Rok;Kwon, Kyeong-Woo;Do, Woo-ri;Park, Da-Hee;Baek, Senug-Hyub;Kim, Jin Sang;Hwang, in-Ha
한국진공학회:학술대회논문집
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한국진공학회 2014년도 제46회 동계 정기학술대회 초록집
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pp.366.2-366.2
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2014
Impedance spectroscopy allows for simultaneous characterization of interface-controlled materials and/or devices in terms of electrical and dielectric aspects. Recently, there have tremendous interests in 2-dimensional electron gas layers (2DEGs) involving $LaAlO_3$ and $SrTiO_3$ whose features incorporates extremely high mobility and carrier concentrations along with metallic responses unlike the constituents, $LaAlO_3$ and $SrTiO_3$. Impedance spectroscopy offers the following unique features, such as simultaneous determination of conductivity and dielectric constants, identification of electrical origins among bulk-, grain boundary-, and electrode-based responses. Impedance spectroscopy was applied to the 2DEG $LaAlO_3/SrTiO_3$ system, in order to extract the electrical and dielectric information operating in the 2DEG system. The unique responses of the 2DEG system are investigated in terms of temperature and device structures. The underlying mechanism of the 2DEG system is proposed with the aim to optimizing the high-mobility 2DEG responses and to expedite the associated devices towards the high-density integrated chips.
펄스레이저 증착법 (PLD)으로 (0001)면 사파이어 기판 위에 성장시킨 ZnO 박막의 두게 변화가 표면형상, 결정성 및 전기/광학적 특성에 미치는 효과에 대하여 조사하였다. SEM 및 XRD 분석을 통해 약 4000 의 두께에서 3차원 island들이 생성되며, 박막의 두께가 증가함에 따라 결정립의 크기가 증가하고, 결정성이 향상되었음을 알 수 있었다 상온에서의 PL 측정을 통해 두께가 증가함에 따라 ultraviolet(UV) 및 deep level emission peak의 강도가 급격히 증가함을 알 수 있었다. Hall측정 결과, 모든 박막들이 H형 전도도를 보였고, 운반자농도가 $10^{19}$$cm^{-3}$ 이상이었으며, 두께가 증가할수록 운반자농도가 감소하여 약 4000 에서 포화되는 경향을 보였다. 따라서, 사파이어 기판 위에 증착시킨 ZnO 박막은 약 4000 의 두께에서 bulk ZnO의 특성을 나타내었다.
최근 국내 이동통신사들의 차세대 성장 동력으로 사물지능통신 (Machine to Machine, M2M)이 주목받고 있다. 따라서 그 쓰임새와 활용도가 각종 분야로 점점 넓어지고 있으며, 기존의 통신에 비해 사용되는 단말의 수가 점점 증가하게 되면서 사물마다 전송되는 정보들의 수도 증가하고 있다. 대량의 단말로부터 전송하는 각각의 데이터가 이동통신망을 이용하는데 있어 트래픽이 한계상황에 도달하게 된다면 M2M 통신의 서비스 처리를 원활하게 하지 못하는 상황이 발생 할 수 있다. 본 연구는 M2M 통신에서 사용하게 될 이동통신망이 한계점에 도달했을 때 M2M 서비스의 원활한 처리를 위한 방안을 제시한다. 이러한 방안은 데이터 트래픽이 한계점에 도달하게 된 이동통신망에서 우선적으로 처리해야 될 M2M 통신의 서비스 순위를 결정짓는데 사용 될 것이며, M2M 기술이 더욱 발전하게 되어 점차 소형화 되는 사물들이 많아짐에 따라, 폭증하게 될 이동통신망에서 M2M 서비스를 처리하는 것이 원활하도록 도움을 줄 것이다.
본 논문에서는 보유추 이론을 적용하여 초기 설계된 선체거더에 대한 상하 고유진동해석을 수행함과 동시에 설계변수 변경에 따른 고유진동수 및 고유모드의 변화율을 계산하는 감도해석방법을 활용하여 설계변경 또는 적화상태 변화시의 선체 고유진동 특성을 신속하게 예측할 수 있는 방법을 제시하였다. 이때, 이산화 해석방법은 전달행렬법을 적용하였으며, 설계변수로는 각 이산화 요소의 선체 중량, 2차원 부가수질량 및 동 3차원 수정계수, 유효굽힘강성 등으로 설정하였다. 감도해석 결과를 이용하여 중형 광석/살물운반선의 적화상태 변경시의 고유진동수를 추정한 결과는 통상적 재해석 결과와 비교하여 오차 2%이내의 매우 양호한 부합성을 나타내었다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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