JSTS:Journal of Semiconductor Technology and Science
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v.17
no.4
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pp.568-576
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2017
This paper presents a clock and data recovery circuit with an adaptive loop bandwidth calibration scheme and the idle power saved frequency acquisition. The loop bandwidth calibration adaptively controls injection currents of the main loop with a trimmable bandgap reference circuit and trains the VCO to operate in the linear frequency control range. For stand-by power reduction of the phase detector, a clock gating circuit blocks 8-phase clock signals from the VCO and cuts off the current paths of current mode D-flip flops and latches during the frequency acquisition. 77.96% reduction has been accomplished in idle power consumption of the phase detector. In the jitter experiment, the proposed scheme reduces the jitter tolerance variation from 0.45-UI to 0.2-UI at 1-MHz as compared with the conventional circuit.
JSTS:Journal of Semiconductor Technology and Science
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v.16
no.6
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pp.728-735
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2016
A 70 MHz temperature-compensated on-chip CMOS relaxation oscillator for mobile display driver ICs is proposed to reduce frequency variations. The proposed oscillator compensates for frequency variation with respect to temperature by adjusting the bias currents to control the change in delay of comparators with temperature. A bandgap reference (BGR) is used to stabilize the bias currents with respect to temperature and supply voltages. Additional temperature compensation for the generated frequency is achieved by optimizing the resistance in the BGR after measuring the output frequency. In addition, a trimming circuit is implemented to reduce frequency variation with respect to process. The proposed relaxation oscillator is fabricated using 45 nm CMOS technology and occupies an active area of $0.15mm^2$. The measured frequency variations with respect to temperature and supply voltages are as follows: (i) ${\pm}0.23%$ for changes in temperature from -30 to $75^{\circ}C$, (ii) ${\pm}0.14%$ for changes in $V_{DD1}$ from 2.2 to 2.8 V, and (iii) ${\pm}1.88%$ for changes in $V_{DD2}$ from 1.05 to 1.15 V.
Journal of information and communication convergence engineering
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v.14
no.4
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pp.252-257
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2016
An edge-located electromagnetic bandgap (EL-EBG) structure using a defected ground structure (DGS) is proposed to suppress resonant modes induced by edge excitation in a two-dimensional planar parallel plate waveguide (PPW). The proposed EL-DGS-EBG PPW significantly mitigates multiple transverse-magnetic (TM) modes in a wideband frequency range corresponding to an EBG stopband. To verify the wideband suppression, test vehicles of a conventional PPW, a PPW with a mushroom-type EBG structure, and an EL-DGS-EBG PPW are fabricated using a commercial process involving printed circuit boards (PCBs). Measurements of the input impedances show that multiple resonant modes of the previous PPWs are significantly excited through an input port located at a PPW edge. In contrast, resonant modes in the EL-DGS-EBG PPW are substantially suppressed over the frequency range of 0.5 GHz to 2 GHz. In addition, we have experimentally demonstrated that the EL-DGS-EBG PPW reduces the radiated emission from -24 dB to -44 dB as compared to the conventional PPW.
Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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2005.07a
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pp.455-458
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2005
옴니(omnidirectional)-PBG(photonic bandgap)의 크기는 쌍을 이루는 광자결정 재료의 고유 굴절률, 충진율 및 두께에 의해 결정되는 것이 일반적이다. 그러나 광자결정체가 다중주기를 가지도록 제작하면 옴니-PBG의 크기를 변화 시킬 수 있다. 본 연구에서는 Si/$SiO_2$를 기본 구조로 하는 광대역 옴니-PBG용 광자결정 구조를 설계, 제작하고 그 특성을 평가 하였다. 각각 단일 주기 $\Lambda_1$(426.9nm) 및 $\Lambda_2$(306.9nm)를 갖는 8N-Si/$SiO_2$ 광자결정에 대해 TE/TM-편광광 $5^{\circ}$ 및 $45^{\circ}$ 입사각에 대한 반사-스펙트라 측정결과는 설계값과 일치하였다. 특히 이중주기 $(8N\cdot{\Lambda}_1+8N\cdot{\Lambda}_2)$를 갖도록 제작된 Si/$SiO_2$ 광자결정은 입사각 $5^{\circ}$의 TE-편광광 반사-스펙트라 측정결과, 약 1050-2500nm의 광대역 파장범위에서 광자 밴드 갭을 보였다.
ZnMgBeGaO/Ag/ZnMgBeGaO multilayer structures were sputter grown and characterized in detail. Results indicated that the electrical properties of the ZnMgBeGaO films were significantly improved by inserting an Ag layer with proper thickness (~ 10 nm). Structures with thicker Ag films showed much lower optical transmission, although the electrical conductivity was further improved. It was also observed that the electrical properties of the multilayer structure were sizably improved by annealing in vacuum (~35 % at $300^{\circ}C$). The optimum ZnMgBeGaO(20nm)/Ag(10nm)/ZnMgBeGaO(20nm) structure exhibited an electrical resistivity of ${\sim}2.6{\times}10^{-5}{\Omega}cm$ (after annealing), energy bandgap of ~3.75 eV, and optical transmittance of 65 % ~ 95 % over the visible wavelength range, representing a significant improvement in characteristics versus previously reported transparent conductive materials.
Journal of the Microelectronics and Packaging Society
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v.28
no.1
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pp.13-20
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2021
GaN has shown good potential owing to its better chemical stability than other materials and tunable bandgap with materials such as InN and AlN. Tunable bandgap allows GaN to make the maximum utilization of the solar spectrum, thus improves the solar-to-hydrogen (STH) efficiency. In addition, GaN band gap contains the oxidation and reduction level of water, so it can split water without external voltage. However, STH efficiency using GaN itself is low and has been actively studied recently to improve it. In this thesis, we have summarized the studies related to the use of GaN as a photoelectrode for photoelectrochemical water splitting.
본 연구에서는 18 atoms unit cell graphene film을 기반으로 한 graphene/h-BN heterostructure의 bandgap 변화에 대해 EDISON LCAODFTLab simulator의 DFT기반 전자구조계산을 통해 알아보았다. Graphene 상에 BN-doping 형태로 주어진 여러 heterostructure의 전자구조계산을 통해 태양전지의 이론적 최적효율을 나타내는 1.2eV 정도의 값을 갖는 구조를 찾을 수 있었다.
An Sung-Nam;Shin Dong-Gu;Kim Sang-ln;Choo Ho-Sung;Kim Moon-Il;Park Ikmo;Lim H.
The Journal of Korean Institute of Electromagnetic Engineering and Science
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v.16
no.3
s.94
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pp.300-310
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2005
In this paper we propose the compact three-layer EBG structure. The unit cell of the proposed EBG structure is composed of a square patch in the upper layer and a square ring stripline in the lower layer that are connected to the ground plane through conducting vias. Reflection phase analysis method and tangential transmission method were considered to accomplish effective EM simulation and measurement. EM simulation results indicate that bandgap characteristics of the EBG structure using both methods is nearly identical. Parametric studies have been performed with the EM simulator to analyze the properties of the EBG structure by investigating the phase shift of the normally incident plane wave, and the transmission measurements between simple monopole antennas positioned near the EBGstructure have been done. The operating fiefuency bandgap of the proposed EBG structure is about 34 $\%$ lower than the conventional EBG structure with the same size. Measured results show bandgap from 0.930 GHz to 0.945 GHz.
Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea TC
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v.46
no.1
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pp.107-111
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2009
In this paper, the power added efficiency(PAE) of a Doherty amplifier has been improved by applying Photonic Bandgap(PBG) characteristics on the output of amplifier. As a result of the high order harmonics termination, excellent improvement in PAE, maximum output power as well as linearity is obtained. The PAE is improved as much as relatively 35% compared with a conventional Doherty amplifier. Moreover, size of LPF is reduced by PBG characteristics. Therefore the whole amplifier circuit size is considerably reduced by diminishing in size of the LPF as compared with a Doherty amplifier using conventional LPFs.
The Journal of Korean Institute of Electromagnetic Engineering and Science
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v.14
no.3
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pp.283-289
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2003
In this paper, we proposed novel multilayer photonic bandgap(PBG) structure using DSL(Descended Signal Line). From measurement result, the proposed PBG structure using DSL is reduced 72 % at size and increased 13 % at bandwidth compared to typical multilayer DGS(Defected Ground Structure). It is also reduced 42 % at size and increased 23 % at bandwidth compared to PBG structure using EGP(Elevated Ground Plane). In case of measurement for manufactured six PBG patterns, all patterns have the same cutoff frequency and bandstop characteristics. So it can be used for bandstop filter having very precise tolerance of below 300 MHz at 20 ㎓ if it is applied to real product and this filter will be useful for small microwave integrated circuit and module development.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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