• Title/Summary/Keyword: Analog CMOS

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파형추적기술을 이용한 전자기기 고장진단용 회로분석기 설계 및 구현 (Design and Implementation of Circuit Analyzer for Electronics Appliance Troubleshooting and Diagnosis using Curve Tracer Technology)

  • 장재철;양규식
    • 한국정보통신학회논문지
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    • 제3권2호
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    • pp.273-280
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    • 1999
  • 본 논문에서는 아나로그 파형분석의 파형추적기술을 이용하여 전자기기의 고장진단을 용이하게 할 수 있는 회로분석 시스템을 설계하고 구현하였다. 회로분석기는 CMOS, MOS 회로와 같은 신기술 전자부품들을 간단하게 검사할 수 있는 개선된 능력을 가지며, 내장된 펄스 구동기를 사용하여 SCR, TRIAC 그리고 Optocoupler와 같은 게이트 구동소자들을 고장진단하게 한다. 회로분석기는 측정하고자 하는 부품 및 기판에 전원을 인가하지 않고 측정하도록 하여 측정하는 중에 발생 가능성 있는 일시적인 Short로 인한 회로의 추가적인 손상을 방지하고 반도체소자의 임피던스 상태를 분석하며 시스템 또는 PCB기판의 영구적인 고장을 일으키는 누액 또는 기판손상으로 인한 문제를 완벽하게 찾아낼 수 있었다. 이상이 의심되는 부품과 정상 부품간의 상호 비교할 수 있기 때문에 부품 식별 번호가 없거나 알아보기 힘든 부품의 고장진단에 이상적으로 응용할 수 있는 방안을 제시하도록 한다.

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단일 칩 NFC 트랜시버의 설계 (Design of single-chip NFC transceiver)

  • 조정현;김시호
    • 대한전자공학회논문지SD
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    • 제44권1호
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    • pp.68-75
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    • 2007
  • NFC의 능동동작 모드, 수동동작 모드 및 RFID 동작 모드에 필요한 13.56MHz 트랜스미터와 리시버 및 RFID 태그 동작을 모두 지원하는 단일 칩 NFC 트랜시버를 설계 및 제작하고 동작을 검증하였다. 제안된 NFC 트랜시버는 외부전원 공급이 없어도 RFID 태그가 동작할 수 있도록 이니시에이터와 타겟의 2중 안테나 구조를 가지고 있다. 타겟 안테나는 이니시에이터 안테나의 접지 차폐층을 사용함으로써 이중 안테나의 유효면적이 단일 안테나에 비교해서 동일한 면적을 갖도록 안테나 구조를 제안하였고, 안테나의 선택 동작에 필요한 회로를 제안하였다. 제안된 NFC 단일 칩 트랜시버의 아날로그 전단부 회로는 능동모드와 RFID 리더를 위한 Reader/writer 블록의 트랜스미터와 리시버 회로부, 수동 모드와 태그 모드를 위한 태그 회로부로 구성된다. 태그 회로부는 정류기 및 부하 변조를 위한 수동소자가 포함되어 있으며, 정류기에서 생성되는 전압을 사용하여 외부 전원 없이도 태그 동작이 가능하도록 설계하였다. 제안된 트랜시버는 UART 직렬 인터페이스 회로를 통하여 호스트와 최대 212Kbps로 통신할 수 있다. 제안된 회로는 매그나칩의 0.35um 2-Poly 4-Metal CMOS공정으로 제작되었고, 칩의 유효면적은 $2200um{\times}360um$이다.

A 12b 100 MS/s Three-Step Hybrid Pipeline ADC Based on Time-Interleaved SAR ADCs

  • Park, Jun-Sang;An, Tai-Ji;Cho, Suk-Hee;Kim, Yong-Min;Ahn, Gil-Cho;Roh, Ji-Hyun;Lee, Mun-Kyo;Nah, Sun-Phil;Lee, Seung-Hoon
    • JSTS:Journal of Semiconductor Technology and Science
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    • 제14권2호
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    • pp.189-197
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    • 2014
  • This work proposes a 12b 100 MS/s $0.11{\mu}m$ CMOS three-step hybrid pipeline ADC for high-speed communication and mobile display systems requiring high resolution, low power, and small size. The first stage based on time-interleaved dual-channel SAR ADCs properly handles the Nyquist-rate input without a dedicated SHA. An input sampling clock for each SAR ADC is synchronized to a reference clock to minimize a sampling-time mismatch between the channels. Only one residue amplifier is employed and shared in the proposed ADC for the first-stage SAR ADCs as well as the MDAC of back-end pipeline stages. The shared amplifier, in particular, reduces performance degradation caused by offset and gain mismatches between two channels of the SAR ADCs. Two separate reference voltages relieve a reference disturbance due to the different operating frequencies of the front-end SAR ADCs and the back-end pipeline stages. The prototype ADC in a $0.11{\mu}m$ CMOS shows the measured DNL and INL within 0.38 LSB and 1.21 LSB, respectively. The ADC occupies an active die area of $1.34mm^2$ and consumes 25.3 mW with a maximum SNDR and SFDR of 60.2 dB and 69.5 dB, respectively, at 1.1 V and 100 MS/s.

올-디지털 위상 고정 루프용 오프셋 및 데드존이 없고 해상도가 일정한 위상-디지털 변환기 (An Offset and Deadzone-Free Constant-Resolution Phase-to-Digital Converter for All-Digital PLLs)

  • 최광천;김민형;최우형
    • 전자공학회논문지
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    • 제50권2호
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    • pp.122-133
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    • 2013
  • 올-디지털 위상 고정 루프에 사용되는 고해상도 위상-디지털 변환기 설계에 있어서, 위상-주파수 검출기와 시간-디지털 변환기로 이루어진 위상-디지털 변환기에 활용될 수 있는 간단한 구조의 아비터 기반 위상 결정 회로를 제안한다. 제안한 위상 결정 회로는 기존에 개발된 위상 결정 회로보다 적은 전력소모와 보다 작은 입력-출력 지연 시간을 가지면서도 두 펄스 사이의 매우 작은 위상 차이도 구별할 수 있다. 제안한 위상 결정 회로는 130um CMOS 공정을 사용하여 구현되었고, 트랜지스터 레벨에서 시뮬레이션으로 검증되었다. 제안한 위상 결정 회로를 이용한 오프셋과 데드존이 없는 5비트의 위상-디지털 변환기도 검증되었다. 또한 배수주기 고정 문제가 없고 위상 오프셋이 매우 적은 지연 고정 루프를 제안하였다. 제안한 지연 고정 루프는 위상-디지털 변환기의 해상도를 PVT 변화에 무관하게 항상 원하는 대로 정확히 고정시키는 용도로 활용된다.

3-D Hetero-Integration Technologies for Multifunctional Convergence Systems

  • 이강욱
    • 마이크로전자및패키징학회지
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    • 제22권2호
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    • pp.11-19
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    • 2015
  • Since CMOS device scaling has stalled, three-dimensional (3-D) integration allows extending Moore's law to ever high density, higher functionality, higher performance, and more diversed materials and devices to be integrated with lower cost. 3-D integration has many benefits such as increased multi-functionality, increased performance, increased data bandwidth, reduced power, small form factor, reduced packaging volume, because it vertically stacks multiple materials, technologies, and functional components such as processor, memory, sensors, logic, analog, and power ICs into one stacked chip. Anticipated applications start with memory, handheld devices, and high-performance computers and especially extend to multifunctional convengence systems such as cloud networking for internet of things, exascale computing for big data server, electrical vehicle system for future automotive, radioactivity safety system, energy harvesting system and, wireless implantable medical system by flexible heterogeneous integrations involving CMOS, MEMS, sensors and photonic circuits. However, heterogeneous integration of different functional devices has many technical challenges owing to various types of size, thickness, and substrate of different functional devices, because they were fabricated by different technologies. This paper describes new 3-D heterogeneous integration technologies of chip self-assembling stacking and 3-D heterogeneous opto-electronics integration, backside TSV fabrication developed by Tohoku University for multifunctional convergence systems. The paper introduce a high speed sensing, highly parallel processing image sensor system comprising a 3-D stacked image sensor with extremely fast signal sensing and processing speed and a 3-D stacked microprocessor with a self-test and self-repair function for autonomous driving assist fabricated by 3-D heterogeneous integration technologies.

시다중처리 셀룰러 신경망 칩설계 (Design of a Time-Multiplexing CNN Chip)

  • 박병일;정금섭;전흥우;신경욱
    • 한국정보통신학회논문지
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    • 제4권2호
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    • pp.505-516
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    • 2000
  • 셀룰러 신경망은 국부적 연결특성을 가지고 있어 실시간 영상처리에 폭넓게 이용되는 비선형 정보처리 시스템이다. 본 논문에서는 소규모의 $CNN(6\time6)$ 셀 블록을 이용하여, 크고 복잡한 처리에 적합한 시다중화 기법을 처리할 수 있는 CNN칩을 설계하였다. 대부분의 출력 형태는 기준 레벨화된 출력에 기인하여 흑백 영상처리에 적합하나, 본 논문의 출력형태는 아날로그 상태값으로 나타나기 때문에 그레이 레벨 영상처리에 적합하다. CNN 칩은 $0.65\mum$ 2P2M N-Well CMOS 공정으로 설계되었으며, 설계된 칩은 15400여개의 트랜지스터로 구성되며 칩면은 $1.85\times1.75m^2$ 이다. 설계된 $6\time6CNN$칩은 그 보다 큰 입력 영상에 대한 윤곽선 검출의 실험을 통하여 회로의 동작을 검증하였다.

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Range-Scaled 14b 30 MS/s Pipeline-SAR Composite ADC for High-Performance CMOS Image Sensors

  • Park, Jun-Sang;Jeong, Jong-Min;An, Tai-Ji;Ahn, Gil-Cho;Lee, Seung-Hoon
    • JSTS:Journal of Semiconductor Technology and Science
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    • 제16권1호
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    • pp.70-79
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    • 2016
  • This paper proposes a low-power range-scaled 14b 30 MS/s pipeline-SAR composite ADC for high-performance CIS applications. The SAR ADC is employed in the first stage to alleviate a sampling-time mismatch as observed in the conventional SHA-free architecture. A range-scaling technique processes a wide input range of 3.0VP-P without thick-gate-oxide transistors under a 1.8 V supply voltage. The first- and second-stage MDACs share a single amplifier to reduce power consumption and chip area. Moreover, two separate reference voltage drivers for the first-stage SAR ADC and the remaining pipeline stages reduce a reference voltage disturbance caused by the high-speed switching noise from the SAR ADC. The measured DNL and INL of the prototype ADC in a $0.18{\mu}m$ CMOS are within 0.88 LSB and 3.28 LSB, respectively. The ADC shows a maximum SNDR of 65.4 dB and SFDR of 78.9 dB at 30 MS/s, respectively. The ADC with an active die area of $1.43mm^2$ consumes 20.5 mW at a 1.8 V supply voltage and 30 MS/s, which corresponds to a figure-of-merit (FOM) of 0.45 pJ/conversion-step.

비대칭 펄스 폭 변조 파워-앰프를 갖는 스테레오 오디오 디지털-아날로그 변환기 (A Stereo Audio DAC with Asymmetric PWM Power Amplifier)

  • 이용희;전영현;공배선
    • 대한전자공학회논문지SD
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    • 제45권7호
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    • pp.44-51
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    • 2008
  • 본 논문에서는 비대칭 펄스 폭 변조 파워-앰프를 갖는 스테레오 오디오 디지털-아날로그 변환기를 제안한다. 고 전력 오디오 기기에 주로 사용되던 class-D 증폭기를 헤드폰 응용에 적용하기 위하여, 증폭기가 디지털-아날로그 변환기와 한 칩으로 집적화될 때에 발생되는 채널 간 간섭에 의한 잡음을 분석하고 이 영향을 줄이기 위한 시그마-델타 변조기의 최적화 방안을 제시하였다. 또한, 비대칭 구조의 펄스 폭 변조 방식이 파워-앰프 단에서 발생되는 스위칭 노이즈와 전력 손실을 줄이기 위하여 구현되었다. 제안된 구조들은 0.13-mm CMOS 공정을 통해 설계 제작되었다. 제안된 오디오 디지털-아날로그 변환기는 단일 출력을 가진 파워-앰프를 포함하여 4.4-mW를 소모하면서 다이나믹-레인지 95-dB를 확보하였다.

UWB Chaotic-OOK 통신을 위한 송신기 설계 (Design of Transmitter for UWB Chaotic-OOK Communications)

  • 정무일;공효진;이창석
    • 한국전자파학회논문지
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    • 제19권3호
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    • pp.384-390
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    • 2008
  • 본 논문에서는 TSMC 0.18 um CMOS 공정을 사용하여 UWB Chaotic-OOK(On-Off Keying) 통신을 위한 송신기를 설계하였다. 송신기는 Quasi-chaotic 신호 발생기, OOK 변조기, 구동 증폭기로 구성되어 있다. 일반적으로 아날로그 피드백을 사용하는 chaotic 신호 발생기는 공정 변화에 대한 취약점이 있어 이를 개선하기 위하여 디지털 피드백 구조의 Quasi-chaotic 신호 발생기를 사용하였다 또한, OOK 변조를 위해 T형 구조의 변조기와 단일 출력 신호를 얻기 위한 차동 입력 단일 출력 구동 증폭기를 설계하였다. 측정 결과, 요구되는 spectrum mask를 만족시키는 출력을 얻었으며, 데이터 20 Kbps, 200 Kbps, 2 Mbps, 10 Mbps에 따른 OOK 변조 테스트를 통해 출력 신호를 확인하여 UWB chaotic-OOk 송신기로 사용 가능함을 확인하였다.

다채널 24비트 델타시그마 ADC 용 콤필터 설계 및 구현 (Design and implementation of comb filter for multi-channel, 24bit delta-sigma ADC)

  • 홍희동;박상봉
    • 문화기술의 융합
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    • 제6권3호
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    • pp.427-430
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    • 2020
  • IoT 분야와 의료 측정기기 분야에서 여러 개의 아날로그 입력 신호를 동시에 디지털 신호로 변환하는 기술 요구가 늘어나고 있다. 기존 단일 또는 2개의 체널 방식을 이용하여 여러 개의 아날로그 신호를 처리하는 방식에서는 하드웨어 크기와 전력소모 면에서 응용 제한을 받게 된다. 본 논문에서는 여러 개의 아날로그 입력을 동시에 받아서, 각각에 대한 24비트 디지털 신호를 출력하는 다채널 24비트 ADC 용 콤필터 설계 및 구현을 기술하였다. 제안된 콤필터의 기능은 매트랩 시뮬레이션과 FPGA 테스트 보드로 검증하였다. SK 하이닉스 0,35㎛ CMOS 표준 공정을 이용하여 칩으로 제작하였다. 미분기/적분기 사용 또는 FIR 구조의 기존 방식과 성능, 칩 면적을 비교하였다. 제안된 콤필터는 6개 이상의 다채널 아날로그 입력, 저 전력 소모, 작은 하드웨어 크기를 요구하는 IoT 제품과 의료 측정기기 활용이 예상된다.