The new process for hybrid silicon thin film transistor (TFT) using DPSS laser has been developed for realizing both low-temperature poly-Si (LTPS) TFT and a-Si:H TFT on the same substrate as a backplane of active matrix liquid crystal display. LTPS TFTs are integrated on the peripheral area of the panel for gate driver integrated circuit and a-Si:H TFTs are used as a switching device for pixel in the active area. The technology has been developed based on the current a-Si:H TFT fabrication process without introducing ion-doping and activation process and the field effect mobility of $4{\sim}5\;cm^2/V{\cdot}s$ and $0.5\;cm^2/V{\cdot}s$ for each TFT was obtained. The low power consumption, high reliability, and low photosensitivity are realized compared with amorphous silicon gate driver circuit and are demonstrated on the 14.1 inch WXGA+ ($1440{\times}900$) LCD Panel.
Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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2002.07a
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pp.354-357
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2002
Thermally grown gate oxide on 4H-SiC wafer was investigated. The oxide layers were grown at l150$^{\circ}C$ varying the carrier gas and post activation annealing conditions. Capacitance-Voltage(C-V) characteristic curves were obtained and compared using various gate electrode such as Al, Ni and poly-Si. The interface trap density can be reduced by using post oxidation annealing process in Ar atmosphere. All of the samples which were not performed a post oxidation annealing process show negative oxide effective charge. The negative oxide effective charges may come from oxygen radical. After the post oxidation annealing, the oxygen radicals fixed and the effective oxide charge become positive. The effective oxide charge is negative even in the annealed sample when we use poly silicon gate. Poly silicon layer was dope by POCl$_3$ process. The oxide layer may be affected by P ions in poly silicon layer due to the high temperature of the POCl$_3$ doping process.
Kim, Cheolyong;Ahn, Jun-Young;Kim, Tae Yoo;Hwang, Inseong
Journal of Soil and Groundwater Environment
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v.22
no.2
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pp.17-25
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2017
The efficiency and mechanism of electrochemical phenol oxidation using persulfate (PS) and nanosized zero-valent iron (NZVI) were investigated. The pseudo-first-order rate constant for phenol removal by the electrochemical/PS/NZVI ($1mA^*cm^{-2}/12$ mM/6 mM) process was $0.81h^{-1}$, which was higher than those of the electrochemical/PS and PS/NZVI processes. The electrochemical/PS/NZVI system removed 1.5 mM phenol while consuming 6.6 mM PS, giving the highest stoichiometric efficiency (0.23) among the tested systems. The enhanced phenol removal rates and efficiencies observed for the electrochemical/PS/NZVI process were attributed to the interactions involving the three components, in which the electric current stimulated PS activation, NZVI depassivation, phenol oxidation, and PS regeneration by anodic or cathodic reactions. The electrochemical/PS/NZVI process effectively removed phenol oxidation products such as hydroquinone and 1,4-benzoquinone. Since the electric current enhances the reactivities of PS and NZVI, process performance can be optimized by effectively manipulating the current.
Journal of the Korean Institute of Telematics and Electronics A
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v.32A
no.2
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pp.66-72
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1995
Using the Si/SiGe layer grown by solid source molecular beam epitaxy(SSMBE) on the LOCOS-patterned wafers, an emitter-base self-aligned hterojunction biplar transistor(HBT) with the polysilicon-emitter and the silicon germanium(SiGe) base has been fabricated. Trech isolation process, planarization process using a chemical-mechanical poliching, and the selectively implanted collector(SIC) process were performed. A titanium disilicide (TiSi$_{2}$), as a base electrode, was used to reduce an extrinsic base resistance. To prevent the strain relaxation of the SiGe epitaxial layer, low temperature (820${^\circ}C$) annealing process was applied for the emitter-base junction formation and the dopant activation in the arsenic-implanted polysilicon. For the self-aligned Si/SiGe HBT of 0.9${\times}3.8{\mu}m^{2}$ emitter size, a cut-off requency (f$_{T}$) of 17GHz, a maximum oscillation frequency (f$_{max}$) of 10GHz, a current gian (h$_{FE}$) of 140, and an emitter-collector breakdown voltage (BV$_{CEO}$) of 3.2V have been typically achieved.
The reliability issue of IGBT is a concern for researchers given the critical role the device plays in the safety of operations of the converter system. The reliability of power devices can be estimated from the intermittent life test, which aims to simulate typical applications in power electronics in an accelerated manner to obtain lifetime data. However, the test is time-consuming, as testing conditions are not well considered and only rough provisions have been made in the current standards. Acceleration of the test by changing critical test conditions is controversial due to the activation of unexpected failure mechanisms. Therefore, full investigations were conducted on critical test conditions of intermittent life test. A design optimization process for IGBT intermittent life testing program was developed to save on test times without imposing additional failure mechanisms. The applicability of the process has been supported by a number of tests and failure analysis of the test results. The process proposed in this paper can guide the test process for other power semiconductors.
Heat is generated during the synthesis and mixing process of chemical compounds due to a change in activation energy during the reaction. A runaway reaction occurs when sufficient heat is not removed during the heat control process within a reactor, rapidly increasing the temperature, reaction speed, and rate of heat generation inside the reactor. A risk assessment was executed using an RC-1 (Reaction Calorimeter) during Friedel-Crafts acylation. Friedel-Crafts acylation runs the risk of rapid heat generation during Active Pharmaceutical Ingredient (API) manufacturing; it was used to confirm the risk of a runaway reaction at each synthesis stage and during the mixing process. This study used experimental data to develop a safety efficiency improvement plan to control the risks of runaway and other exothermic reactions, which was implemented at the production site of a chemical plant.
Backgrounds and Objectives: A fracture means a loss of continuity in the substance of bone. Bone differs from other musculoskeletal tissue due to its ability to repair and heal itself without leaving a scar. The cutter head has multinucleated osteoclast cells to resorb the dead bone. The tail, with its conical surface, is lined with osteoblast cells laying down new bone. The conjugation of fracture is a unique biological process regulated by a complex array of signaling molecules and proinflammatory cytokines. Pyritum, one of the important prescriptions in the oriental medicine, has been used for conjugation fracture. The purpose of this study is to evaluate the effects of administration of Pyritum on activation of osteoblast cells in human body & on tibia bone fracture in mice. Materials and Methods : Four weeks aged 30 female DBA mice were used for this study. They were divided three groups, normal group, control group(fracture elicitate mice: FE group) and experimental group(Pyritum administered mice group after fracture elicitation : PA group). Left tibia bones of mice in FE and PA groups were fractured by bone cutters. MG-63 cells in human body th Pyritum in the ratio of 1 mg/m${\ell}$, and the cells were further incubated for 24 hours. Activation of osteoblast was identified using osteopontin, FGF in vitro test. In vivo test, regeneration of fractured tibia through the morphological changes was observed, and also activation of inflammation through NF-${\kappa}$B p65, iNOS, COX-2, osteoblast through osteopontin, FGF and osteoblast's proliferation in each group was measured. Results and Conclusions : 1. In vitro test for activation of osteoblast cells in human body by Pyritum, osteopontin and FGF production were remarkably increased in Pyritum treated MG-63 cells. 2. In regeneration of fractured tibia by Pyritum, fractured area in external tibia morphology was decreased more in the PA group than that of the FE group. Osteogenesis in fractured area was increased more in the PA group than that of the FE group. Also, endochodrial ossification in central area of fracture and osteoid in lateral area of fracture were increased more in the PA group than those of the FE group. 3. In activation of inflammation by Pyritum administered, activation of NF-${\kappa}$B p65, increase of iNOS and COX-2 production were higher in the PA and the FE groups than those of the control group. Especially, the PA group showed higher activation and increase than those of the FE group. 4. In activation of osteoblast by Pyritum, increase of osteopontin, FGF and osteoblast's proliferation were higher in the PA and the FE groups than those of the control group. Especially, the PA group showed higher increase and proliferation than those of the FE group.
Using the ASED-MO (Atom Superposition and Electron Delocalization-Molecular Orbital) theory, we investigated carbon formation and carbon hydrogenation for $CO_2$ methanation on the Ni (111) surface. For carbon formation mechanism, we calculated the following activation energies, 1.27 eV for $CO_2$ dissociation, 2.97 eV for the CO, 1.93 eV for 2CO dissociation, respectively. For carbon methanation mechanism, we also calculated the following activation energies, 0.72 eV for methylidyne, 0.52 eV for methylene and 0.50 eV for methane, respectively. We found that the calculated activation energy of CO dissociation is higher than that of 2CO dissociation on the clean surface and base on these results that the CO dissociation step are the ratedetermining of the process. The C-H bond lengths of $CH_4$ the intermediate complex are 1.21 $\AA$, 1.31 $\AA$ for the C${\cdot}{\cdot}{\cdot}H_{(1)}$, and 2.82 $\AA$ for the height, with angles of 105${^{\circ}}$ for ∠ $H_{(1)}$CH and 98${^{\circ}}$ for $H_{(1)} CH _{(1)}$.
The ozonation of sulfamethoxazole (SMX) was performed at 20℃ using a pilot scale countercurrent bubble column reactor. Ozonation systems were combined with UV irradiation and TiO2 addition. As the oxidation reaction proceeded in each treatment system, the pH of the sample decreased and in the O3/UV/TiO2 system, the pH change was the largest from 4.54 to 2.02. Under these experimental conditions, the scavenger impact of carbonate is negligible. The highest COD and TOC removal rate was observed in the O3/UV/TiO2 system due to the UV irradiation and the photocatalytic effect of TiO2. Also, the highest mineralization ratio(ε) value is 0.2 in the O3/UV/TiO2 system, which means theoxidation capacity of the systems. The highest SMX degradation rate constants calculated by COD and TOC values (COD and TOC) were 2.15 × 10-4 sec-1 and 1.00 × 10-4 sec-1 in the O3/UV/TiO2 system, respectively. The activation energy (Ea) of ozone treatment follows the Arrhenius law. It was calculated based on COD and TOC. Each activation energy decreased in order of single O3> O3/TiO2> O3/UV > O3/UV/TiO2 system. The result showed that ΔH≠ is more effective than ΔS≠ in each SMX ozontaionsystem, that is characteristic of the common oxidation reaction.
The activating transcription factor (ATF) 4 belongs to the ATF/CREB (cAMP Response Element Binding bZIP [Basic Leucine Zipper]) transcription factor family, and plays a central role in the UPR (Unfolded Protein Response) process in cells. The induction of ATF4 expression has previously been shown to increase the replication of HIV-1. However, the detailed mechanism underlying this effect and the factors involved in the regulation of ATF4 function are still unknown. Here, we demonstrate first that knocking out ATF4 using siRNA shows a strong negative effect on HIV-1 production, indicating that ATF4 is a functional positive cellular factor in HIV-1 production. To determine the mechanism by which ATF4 regulates the HIV-1 life cycle, we assessed the effect of the overexpression of wild type ATF4 and its various derivatives on HIV-1 LTR-mediated transcriptional activation and the production of HIV-1 particles. This effect was studied through co-transfection experiments with either reporter vectors or proviral DNA. We found that the N-terminal domains of ATF4 are involved in HIV-1 LTR-mediated transcriptional activation, and thus in HIV-1 production.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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