• 제목/요약/키워드: AR process

검색결과 1,083건 처리시간 0.031초

Research on Storytelling Elements in Augmented Reality Cinema through the Process of Image Abstraction: A Case Study of 'AR Campus Diary'

  • Tae-Eun, Kim
    • International Journal of Advanced Culture Technology
    • /
    • 제12권1호
    • /
    • pp.262-269
    • /
    • 2024
  • The "AR Campus Diary" project innovates in the realm of art through integrating augmented reality (AR) with interactive storytelling, fostering personal and interpersonal development through artistic expression. This artistic endeavor metaphorically represents the growth and fruition of individual stories, facilitated by a series of progressive art activities that emphasize continual interaction between self and others. Set against the backdrop of a university campus, the project employs AR markers designed to unfold stories in phases through a dedicated application, allowing participants to experience and influence the narrative uniquely. Diverging from traditional film editing techniques, "AR Diary" offers viewers the autonomy to navigate through story segments of their choosing, marking a departure from conventional cinematic storytelling by leveraging marker-based plot progression. This project not only showcases the fusion of technology and art but also pioneers a participatory form of art education based on engagement and play.

AR/VR 콘텐츠의 사용성 평가 체계 개발 (Development of Evaluation Scheme for Usability of AR/VR Contents)

  • 한수민;정한일;이회준;이재영
    • 융합정보논문지
    • /
    • 제11권3호
    • /
    • pp.236-249
    • /
    • 2021
  • AR/VR 헤드셋의 대중화로 인하여 AR/VR 콘텐츠 산업이 많은 관심을 받고 있으나, 콘텐츠의 사용성을 저해하는 불편함이 산업의 성장에 나쁜 영향을 주고 있다. 본 연구는 이를 개선하기 위하여 AR/VR 콘텐츠의 사용성 평가를 위한 체계를 설계하고 해당 체계를 구동하기 위한 프로토타입 시스템의 구축을 시도하였다. 제안된 평가체계는 AR/VR 콘텐츠의 사용성에 연관된 다양한 항목을 개별적으로 평가한 후, 이를 종합하여 통합 사용성을 평가하는 체계이다. 이를 위하여 사용성에 관련된 항목을 안전성과 편의성 및 세부 항목에 맞추어 분류하고, 각 항목을 평가하기 위한 기준과 각 항목 및 요소의 중요도를 도출하는 방법, 그리고 이를 통합하여 최종 사용성을 평가하는 프로세스를 제안하였으며, 체계적 평가 수행을 위한 프로토타입 시스템을 구축하였다. 본 연구의 결과는 AR/VR 콘텐츠의 사용성 검증 기능 외에도 콘텐츠 제작 지침으로 작동하여 산업의 진흥에 크게 이바지할 수 있을 것으로 기대된다.

Effects of Reactor Type on the Economy of the Ethanol Dehydration Process: Multitubular vs. Adiabatic Reactors

  • Yoo, Kee-Youn
    • Korean Chemical Engineering Research
    • /
    • 제59권3호
    • /
    • pp.467-479
    • /
    • 2021
  • Abstract: A kinetic model was developed for the dehydration of ethanol to ethylene based on two parallel reaction pathways. Kinetic parameters were estimated by fitting experimental data of powder catalysts in a lab-scale test, and the effectiveness factor was determined using data from pellet-type catalysts in bench-scale experiments. The developed model was used to design a multitubular fixed-bed reactor (MTR) and an adiabatic reactor (AR) at a 10 ton per day scale. The two different reactor types resulted in different process configurations: the MTR consumed the ethanol completely and did not produce the reaction intermediate, diethyl ether (DEE), resulting in simple separation trains at the expense of high equipment cost for the reactor, whereas the AR required azeotropic distillation and cryogenic distillation to recycle the unreacted ethanol and to separate the undesired DEE, respectively. Quantitative analysis based on the equipment and annual energy costs showed that, despite high equipment cost of the reactor, the MTR process had the advantages of high productivity and simple separation trains, whereas the use of additional separation trains in the AR process increased both the total equipment cost and the annual energy cost per unit production rate.

Cl2CF4/Ar 유도결합 플라즈마에 의해 식각된 SBT 박막의 표면 손상 (The Surface Damage of SBT Thin Film Etched in Cl2CF4/Ar Plasma)

  • 김동표;김창일;이철인;김태형;이원재;유병곤
    • 한국전기전자재료학회논문지
    • /
    • 제15권7호
    • /
    • pp.570-575
    • /
    • 2002
  • $SrBi_2Ta_2O_9$ thin films were etched in $Cl_2/CF_4/Ar$ inductively coupled plasma (ICP). The maximum etch rate was 1300 ${\AA}/min$ at 900 W ICP power in Cl$_2$(20%)/$CF_4$(20%)/Ar(60%). As RF source power increased, radicals (F, Cl) and ion ($Ar^+$) increased. The influence of plasma induced damage during etching process was investigated in terms of P-E hysteresis loops, chemical states on the surface, surface morphology and phase of X-ray diffraction. The chemical states on the etched surface were investigated with X-ray spectroscopy and secondary ion mass spectrometry. After annealing $700^{\circ}C$ for 1 h in $O_2$ atmosphere, the decreased P-E hysteresises of the etched SBT thin films in Ar and $Cl_2/CF_4/Ar$ plasma were recovered.

펄스레이저증착법에 의한 GaN 나노입자의 합성 및 특성분석 (Synthesis and characterization of GaN nanoparticles by pulsed laser deposition)

  • 노정현;심승환;윤종원;;박용주;심광보
    • 한국결정성장학회지
    • /
    • 제13권2호
    • /
    • pp.79-82
    • /
    • 2003
  • ArF(193nm) 엑시머 레이저를 이용한 펄스레이저증착법(PLD)에 의해 GaN 소결체를 타겟 재료로 하여 $SiO_2$기판위에 GaN nanoparticles를 합성하였다. PLD 공정 중에는 100Pa, 50Pa, 10Pa및 1 Pa의 Ar gas 압력과 100mJ 및 200mJ의 레이저 에너지를 가하였다. 합성된 GaN nanoparticles는 XRD, SEM, TEM, XPS 및 optical absorption spectra 등에 의해 분석되었다. 합성된 GaN nanoparticles는 대체적으로 20~30nm의 입경을 갖는 균일한 분포를 하고 있었다. 또한, Ar 기체 압력이 낮아짐에 따라 합성된 GaN nanoparticles의 stoichiometry가 향상되고 optical band edge가 blueshift 경향을 나타내었다.

BCl3및 BCl3/Ar 고밀도 유도결합 플라즈마를 이용한 GaAs와 AlGaS 반도체 소자의 건식식각 (Dry Etching of GaAs and AlGaAs Semiconductor Materials in High Density BCl3and BCl3/Ar Inductively Coupled Plasmas)

  • 임완태;백인규;이제원;조관식;전민현
    • 한국재료학회지
    • /
    • 제13권10호
    • /
    • pp.635-639
    • /
    • 2003
  • We investigated dry etching of GaAs and AiGaAs in a high density planar inductively coupled plasma system with BCl$_3$and BCl$_3$/Ar gas chemistry. A detailed etch process study of GaAs and ALGaAs was peformed as functions of ICP source power, RIE chuck power and mixing ratio of $BCl_3$ and Ar. Chamber process pressure was fixed at 7.5 mTorr in this study. The ICP source power and RIE chuck power were varied from 0 to 500 W and from 0 to 150 W, respectively. GaAs etch rate increased with the increase of ICP source power and RIE chuck power. It was also found that etch rates of GaAs in $15BCi_3$/5Ar plasmas were relatively high with applied RIE chuck power compared to pure 20 sccm $BCl_3$plasmas. The result was the same as AlGaAs. We expect that high ion-assisted effect in $BCl_3$/Ar plasma increased etch rates of both materials. The GaAs and AlGaAs features etched at 20 sccm $BCl_3$and $15BCl_3$/5Ar with 300 W ICP source power, 100 W RIE chuck power and 7.5 mTorr showed very smooth surfaces(RMS roughness < 2 nm) and excellent sidewall. XPS study on the surfaces of processed GaAs also proved extremely clean surfaces of the materials after dry etching.

다변량 시계열 자료의 다중단위근 검정법 (Testion a Multivariate Process for Multiple Unit Roots)

  • Key Il Shin
    • 응용통계연구
    • /
    • 제7권1호
    • /
    • pp.103-112
    • /
    • 1994
  • 본 논문에서는 비정상(단위근) 시계열이 포함된 다변량 시계열 자료에서 단위근에 해당되는 계수행렬 추정량의 극한 분포가 정상시계열의 유무에 상관없이 일정하다는 것을 밝혔다. 또한 단위근만 존재하는 다변량 시계열에서 다중단위근을 검정하는 검정통계량을 제안하였다.

  • PDF

GaN epitaxy 층의 식각특성에 미치는 공정변수의 영향 (Parametric study of inductively coupled plasma etching of GaN epitaxy layer)

  • 최병수;박해리;조현
    • 한국결정성장학회지
    • /
    • 제26권4호
    • /
    • pp.145-149
    • /
    • 2016
  • 플라즈마 조성, ICP source power, rf chuck power 등의 공정변수가 GaN epitaxy층의 식각특성에 미치는 영향을 조사하였다. $GaF_x$ 화합물 보다 더 높은 휘발성을 가지는 $GaCl_x$ 식각 생성물 형성이 가능한 $Cl_2/Ar$ 플라즈마가 $SF_6/Ar$ 플라즈마보다 더 높은 식각속도를 나타내었다. 또한, $Cl_2/Ar$ 플라즈마에서 Ar 비중이 증가함에 따라 물리적 식각 기구 활성화로 인해 식각 이방성이 향상됨을 확인하였다. 두 가지 플라즈마 조성 모두에서 ICP source power와 rf chuck power가 증가함에 따라 식각속도가 지속적으로 증가함을 확인하였고, $13Cl_2/2Ar$, 750W ICP power, 400 W rf chuck power, 10 mTorr 조건에서 최고 251.9 nm/min의 식각속도를 확보하였다.

자성 메모리의 적용을 위한 나노미터 크기로 패턴된 Magnetic Tunnel Junction의 식각 특성 (Etch Characteristics of Magnetic Tunnel Junction Stack Patterned with Nanometer Size for Magnetic Random Access Memory)

  • 박익현;이장우;정지원
    • 공업화학
    • /
    • 제16권6호
    • /
    • pp.853-856
    • /
    • 2005
  • 자성 메모리반도체의 핵심 소자인 magnetic tunnel junction (MTJ) stack에 대한 고밀도 유도결합 플라즈마 반응성 식각이 연구되었다. MTJ stack은 electron(e)-beam lithography 공정을 사용하여 나노미터 크기의 패턴 형성이 되었으며 식각을 위한 하드 마스크(hard mask)로서 TiN 박막이 이용되었다. TiN 박막은 Ar, $Cl_2/Ar$, 그리고 $SF_6/Ar$들의 가스를 사용하여 식각공정이 연구되었다. E-beam lithography로 패턴된 TiN/MTJ stack은 첫 번째 단계로 TiN 하드 마스크가 식각되고 두 번째로 MTJ stack이 식각되어 완성되었다. MTJ stack은 Ar, $Cl_2/Ar$, $BCl_3/Ar$을 이용하여 식각되었으며 각각의 가스농도와 가스 압력을 변화시켜 MTJ stack의 식각특성이 조사되었다.

디지털 전환 시대의 AR기술 기반 판화 제작 연구 (Study on Printmaking Design Based on Augmented Reality Technology in Era of Digital Transformation)

  • 임지붕;김유진
    • 문화기술의 융합
    • /
    • 제9권4호
    • /
    • pp.161-170
    • /
    • 2023
  • 본 연구에서는 전통 판화의 디지털 전환을 위해 전통 판화의 문화적 함의와 형식적 특징 등 판화 예술만이 가진 고유한 매체 특성을 지키는데 중점을 두고 전통 판화 제작에 증강현실 기술을 적용하는 방법을 제한하고 있다. 이를 위해 디지털 전환 시대에 전통 판화 예술과 증강현실 기술의 융합 의도를 이해할 수 있도록 증강현실 작품을 4가지 유형으로 구분하고 여러 나라의 AR 작품 사례를 분석하였다. 이를 통해 증강현실 기술과 전통 판화의 결합 방식과 디자인 방향을 결정하였다. 또한 저자의 작품 "봄, 여름, 가을, 겨울"을 기반으로 한 AR 판화 작품을 완성하여 증강현실 기술이 판화 발전에 충분한 역할을 할 수 있음을 입증하였다. 우리는 이 연구를 통해 AR 판화는 보다 확장된 스토리를 제공하여 몰입감 있는 판화 예술작품으로써의 가능성과 그 가치를 확인할 수 있었다.