• Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea SD
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• v.49 no.1
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• pp.8-14
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• 2012

The device performances of n-channel MuGFET with different fin numbers and fin widths but the total effective channel width is constant have been characterized. Two kinds of Pi-gate devices with fin number=16, fin width=55nm, and fin number=14, fin width=80nm have been used in characterization. The threshold voltage, effective electron mobility, threshold voltage roll-off, inverse subthreshold slope, PBTI, hot carrier degradation, and drain breakdown voltage have been characterized. From the measured results, the short channel effects have been reduced for narrow fin width and large fin numbers. PBTI degradation was more significant in devices with large fin number and narrow fin width but hot carrier degradation was similar for both devices. The drain breakdown voltage was higher for devices with narrow fin width and large fin numbers. With considering the short channel effects and device degradation, the devices with narrow fin width and large fin numbers are desirable in the device layout of MuGFETs.

• Journal of the Korea Institute of Information and Communication Engineering
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• v.18 no.1
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• pp.135-141
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• 2014

In this paper, the device design guideline to reduce the threshold voltage variation with fin width in junctionless MuGFET has been suggested. It has been observed that the threshold voltage variation was increased with increase of fin width in junctionless MuGFETs. To reduce the threshold voltage variation with fin width in junctionless MuGFETs, 3-dimensional device simulation with different gate dielectric materials, silicon film thickness, and an optimized fin number has been performed. The simulation results showed that the threshold voltage variation can be reduced by the gate dielectric materials with a high dielectric constant such as $La_2O_3$ and the silicon film with ultra-thin thickness even though the fin width is increased. Particularly, the reduction of the threshold voltage variation and the subthreshold slope by reducing the fin width and increasing the fin numbers is known the optimized device design guideline in junctionless MuGFETs.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2012.02a
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• pp.565-565
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• 2012

그래핀(Graphene) 기반의 전계효과 트랜지스터(Field effect transistor) 응용에 있어, 가장 핵심적인 도전과제중 하나는 에너지 밴드갭(Energy bandgap)을 갖는 그래핀 채널의 제작이다. 그래핀은 에너지 밴드갭이 존재하지 않는 반금속(semi metal)의 특성을 지니고 있어, 그 본래의 물리적 특성을 지니고서는 소자구현에 어려움이 있다. 그러나 폭이 수~수십 나노미터인 그래핀 나노리본(Graphene nanoribbon)의 경우 양자구속효과(Quantum confinement effect)에 의하여 에너지 밴드갭이 형성되며, 갭의 크기는 리본의 폭에 반비례한다는 연구결과가 보고된 바 있다. 이러한 이유에서, 효과적이며 실현가능한 그래핀 나노리본의 제작은 필수적이다. 본 연구에서는 은 나노 와이어(Ag nanowire)를 기반으로 한 그래핀 나노리본의 합성을 연구하였다. 은 나노와이어를 열화학 기상증착법(Thermal chemical vapor deposition)을 이용, 아세틸렌(Acetylene, C2H2) 가스를 탄소공급원으로 하여 그래핀을 나노와이어 표면에 합성하였다. 합성과정에서 구조에 영향을 미치는 요인인 합성온도와 가스의 비율, 압력 등을 조절하여 최적화된 합성조건을 확립하였다. 합성된 나노리본의 특성을 라만분광법(Raman spectroscopy)과 주사전자 현미경(Scanning electron microscopy), 투과전자현미경(Transmission electron microscopy), 원자힘 현미경(Atomic force microscopy)를 통하여 분석하였다.

• Proceedings of the Korean Institute of Information and Commucation Sciences Conference
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• 2014.10a
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• pp.749-752
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• 2014

The device performance of n-channel MuGFET with different fin width, existence of spacer and channel length has been characterized. Tri-Gate structure(fin number=10) has been used. There are four kinds of Tri-Gate with fin width=55nm with spacer, fin width=70nm with spacer, fin width=55nm without spacer, fin width=70nm without spacer. DIBL, subthreshold swing, Vt roll-off, (above Short Channel Effect)and hot carrier stress degradation have been measured. From the experiment results, short Channel Effect with spacer was decreased, hot carrier degradation with spacer and narrow fin width was decreased. Therefore, layout of LDD structure with spacer and narrow fin width is desirable in short channel effect and hot carrier degradation.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2013.02a
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• pp.610-610
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• 2013

그래핀을 구성하는 탄소 원자는 모두 표면에 존재하기 때문에, 맞닿아 있는 물질에 따라 그래핀의 물리적 특성에 민감한 영향을 미치기도 한다. 본 연구에서는 라만분광법과 원자 힘 현미경(atomic force microscopy, AFM)을 이용하여 통상적인 열처리 조건에서 그래핀에 탄화수소가 흡착될 수 있는 가능성을 탐구하였다. 산소가 없는 조건에서 열처리된 그래핀으로부터 D, G, 2D 봉우리와 겹쳐지는 폭이 넓은 새로운 라만 봉우리들이 관찰되었다. 열처리 시간, 온도 및 진공도에 따른 라만 스펙트럼의 변화와AFM에 의해 확인된 표면의 구조 변화로부터 새로이 관찰된 라만 봉우리는 탄화수소의 탄화에 의해 그래핀의 표면에 형성된 비결정성 탄소물질(amorphous carbon)임을 확인하였다. 기계적 박리법과 화학기상증착법으로 시료를 준비할 때 사용된 폴리머 잔유물이 열처리 과정에서 탄화수소를 배출하는 것으로 판단된다. 이 연구는 그래핀 소자의 작동에 있어서 환경적인 효과를 이해하고 탄화에 의해 그래핀 표면에 만들어진 비결정질 탄소를 정량화하는데 도움을 줄 것이다.

• Journal of Advanced Marine Engineering and Technology
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• v.33 no.8
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• pp.1137-1143
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• 2009

Experiments were conducted to evaluate pool boiling heat transfer performance between plain and micro finned surfaces with FC-72, which is chemically and electrically stable. Three kinds of micro fins with the dimension of $100{\mu}m\;{\times}\;10{\mu}m$, $150{\mu}m\;{\times}\;10{\mu}m$ and $200{\mu}m\;{\times}\;10{\mu}m$ (width $\times$ height) were fabricated on the surface of a silicon chip. The experiments were carried out on the liquid subcooling of 5, 10 and 15 K under the atmospheric condition. The micro finned surface with a larger fin width of $200{\mu}m$ provided a better pool boiling heat transfer performance. Also, the micro finned surfaces showed a sharp increase in heat flux with increasing wall superheat and a larger heat transfer enhancement compared to a plain surface.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2013.08a
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• pp.278.2-278.2
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• 2013

그래핀은 우수한 전기적, 기계적, 광학적 특성들로 인하여 전자소자, 센서, 에너지 재료 등으로의 응용이 가능하다고 알려진 단 원자층의 탄소나노재료이다. 특히 그래핀을 전자소자로 응용하기 위해서는 캐리어 농도, 전하 이동도, 밴드갭 등의 전기적 특성을 향상시키거나 제어하는 것이 요구되며, 에너지 소재로의 응용을 위해서는 높은 전기전도도와 함께 기능화를 통한 촉매작용을 부여하여 효율을 향상시키는 것이 요구된다. 일반적으로 화학적 도핑은 그래핀의 전기적 특성을 제어하는 효율적인 방법으로 알려져 있다. 화학적 도핑의 방법으로 질소, 수소, 산소 등 다양한 이종원소를 열처리 또는 플라즈마 처리함으로써 그래핀을 구성하는 탄소원자를 이종원자로 치환하거나 흡착시켜 기능화 처리된 그래핀을 얻는 방법들이 제시되었다. 이중 플라즈마를 이용한 도핑방법은 저온에서 처리가 가능하고, 처리시간, 공정압력, 인가전압 등 플라즈마 변수를 변경하여 도핑정도를 비교적 수월하게 제어할 수 있다는 장점을 가지고 있다. 본 연구에서는 열화학기상증착법으로 합성된 그래핀을 직류 플라즈마로 처리함으로써 효율적인질소도핑 조건을 도출하고자 하였다. 그래핀의 합성은 200 nm 두께의 니켈 박막이 증착된 몰리브덴 호일을 사용하였으며, 원료가스로는 메탄을 사용하였다. 그래핀의 질소 도핑은 평행 평판형 직류 플라즈마 장치를 이용하여 암모니아($NH_3$) 플라즈마로 처리하였으며, 플라즈마 파워와 처리시간을 변수로 최적의 도핑조건 도출 및 도핑 정도를 제어하였다. 그래핀의 질소 도핑 정도는 라만 스펙트럼의 G밴드의 위치와 반치폭(Full width at half maximum; FWHM)의 변화를 통해 확인하였다. NH3 플라즈마 처리 후 G밴드의 위치가 장파장 방향으로 이동하며, 반치폭은 감소하는 것을 통해 그래핀의 질소도핑을 확인하였다.

• Journal of Korean Society of Steel Construction
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• v.12 no.4 s.47
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• pp.437-443
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• 2000

In order to clarify the behavior of beam-to-concrete filled steel tube column under cyclic loading condition, experimental studies were carried out on shear connections. Test parameters of this study are the width-to-thickness ratio and the effect on beams with or without slab and diaphragm. Test results show that the moment-rotation relationships of connections without slab are in the range of AISC regulation of pinned connections and the rotation capacity of connection is dependent upon the width-to-thickness ratio of the column.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2011.02a
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• pp.248-248
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• 2011

유전체 모세관을 이용한 해수에서의 펄스고전압 방전 특성을 연구하였다. 내경 1, 2, 3 mm의 구멍이 뚫린 Quartz 블럭에 외경 1, 2, 3 mm의 SUS 핀을 삽입하였고 삽입된 핀의 끝이 해수에 담구어 지도록 하여 고전압 방전을 발생 시켰다. 인가된 펄스 고전압은 5 kHz의 반복 주파수를 가지며, Pulse 폭을 $1{\sim}2.5{\mu}sec$까지 변화 시켜 전압전류 파형과 방전양상을 살펴 보았다. 방전은 펄스폭 변화에 따라 전해전도 전류에 의한 모세관 가열, 모세관내 미세기포형성, 기포내의 코로나 방전 개시 그리고 글로우 또는 아크방전으로 발전하는 것을 확인하였다. 모세관의 길이는 각각의 구경에 대하여 5 mm, 10 mm 두 가지로 변화하여 실험하였고, 모세관 길이 10 mm 조건에서는 방전이 매우 불안정 하였다. 각각의 방전조건별로 1~5분간 방전을 진행하여 해수내의 유리염소의 농도 변화를 살펴본 결과 방전모드가 글로우 또는 아크 방전 모드에서 단위 에너지당 유리염소 발생 수율이 큰 폭으로 증가하는 것을 확인할 수 있었다.

• The Journal of Korean Institute of Electromagnetic Engineering and Science
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• v.27 no.12
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• pp.1084-1096
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• 2016

This paper presents method of design and analysis of a high-speed serial interface connector with a data rate of 12.5 Gbps. A high-speed serial interface connector is composed of various material and complex structures. It is very difficult to match the impedance of each discontinuous portion of connector. Therefore, this paper proposes the structure of a connector line that be simplified a connector. In the structure of proposed connector line, this research presents a method for extracting R, L, C and G parameters, analyzing the differential mode impedance, and minimizing the impedance discontinuity using time domain transmissometry and time domain reflectometry. This paper applies the proposed methods in the connector line to the high-speed serial interface connector. The proposed high-speed serial interface connector, which consists of forty-four pins, is analyzed signal transmission characteristics by changing the width and spacing of the four pins. According to the analysis result, as the width of the ground pin increases, the impedance decreases slightly. And as the distance between the ground pin and the signal pin increases, the impedance increases. In addition, as the width of the signal pin increases, the impedance decreases. And as the distance between the signal pin and the signal pin increases, the impedance decreases. The impedance characteristic of initial connector presents ranges from 96 to $139{\Omega}$. Impedance characteristic after applying the structure of proposed connector is shown as a value between 92.6 to $107.5{\Omega}$. This value satisfies the design objective $100{\Omega}{\pm}10%$.