• 전력전자학회논문지
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• 제11권6호
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• pp.489-493
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• 2006

이 논문의 목표는 최적의 효율을 갖는 PLS 구동 인버터 회로를 설계하는 것이다. 일반적으로 펄스로 구동되는 PLS가 높은 광변환 효율을 갖는다고 알려져 있다. 낮은 듀티비의 펄스를 만들 수 있는 회로로는 E급 공진형 인버터와 세미브리지 인버터가 있다. 이 논문에서는 위의 두 회로의 손실을 분석한다. 손실분석을 확인하기 위해서 220V 380W 입력소비전력을 갖는 인버터 회로를 제작하고 시험하였다. 실험결과를 통해서 높은 효율의 PLS 시스템을 확인했다.

• 항공우주기술
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• 제3권1호
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• pp.188-196
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• 2004

수동제어기구로서 사용되는 배플의 축방향 길이의 최적화 및 한계를 평가하기 위하여, 축방향 길이를 작동인자로 하여 연소 안정성 여분을 평가하였다. 외부 교란 발생 장치로서 2번의 기폭이 가능한 펄스건을 사용하였다. 외부 교란에 대한 연소실에서의 응답 특성을, 감쇠 시간과 진폭비와 같은 인자를 도입하여 정량화하였다. 설계점과 탈설계점에서 시험을 수행하였으며, 분사기의 충돌점으로 생각할 수 있는 화염 영역을 감싸지 못하는 경우에는 배플의 충분한 감쇠 능력을 보장할 수 없음을 확인하였다. 따라서 연소 안정성의 여분의 경계는 50mm 정도의 배플인 것으로 판단되었다.

• 한국추진공학회지
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• 제16권3호
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• pp.49-56
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• 2012

파열판은 고압장치에서 안전장치로써 사용하고 있으며, 추진기관에서는 파열을 임의로 제어하기 위한 장치로써 사용한다. 본 논문은 파열판의 파열압력 시험결과와 유한요소해석 결과를 비교하기 위한 것이다. 본 논문에서는 AISI 316L을 이용하여 제작한 파열판의 파열시험을 수행하였으며, 탄소성 물성치와 진 응력-변형률 관계의 다양한 가정을 이용하여 파열판의 파열압력을 계산하였다. 파열시험과 탄소성해석 결과를 통하여 파열판의 크기에 대한 파열압력의 변화를 확인하였다. 시험과 유한요소해석을 통해 파열압력은 파열판의 크기에 의존하며, 탄소성해석을 수행한 결과 다중 선형 응력-변형률 선도만이 의미있는 예측치를 계산할 수 있었다. 파열시험을 통하여 파열판의 크기에 따라 파열위치가 다르다는 것을 확인할 수 있었다. 시험과 해석 결과는 파열판의 크기 변화를 통하여 파열판의 파열압력을 제어하기 위해 사용할 수 있다.

• 한국정보통신학회논문지
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• 제16권10호
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• pp.2163-2170
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• 2012

신호수신시스템은 수신신호의 주파수, 펄스변조, 스캔 변조, 펄스내 위상변조, 펄스내 주파수 변조 등 다양한 신호에 대한 측정 및 분석능력을 보유하여야 한다. 이러한 신호수신시스템의 성능을 평가하기 위하여 신호원들을 실험실 환경에서 효율적으로 모의발생하고 다수 전파가 존재하는 실제 운영환경과 유사한 복잡한 전파환경을 모의발생할 수 있는 효율적인 신호원 발생기를 제안한다. 제안한 모의전파신호원을 신호수신시스템 개발 전 과정에 걸쳐 활용할 경우 정확한 성능 검증 및 시험 비용을 절감할 수 있다.

• 한국정보통신학회:학술대회논문집
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• 한국정보통신학회 2013년도 춘계학술대회
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• pp.1020-1022
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• 2013

본 논문에서는 펄스방사선 선량 측정을 위한 Peak Detector를 설계하였다. 펄스방사선은 수ns ~ 수십ns의 초고속의 신호로 Peak 값을 측정하기 어렵다. Peak Detector는 센서에서 발생한 Peak 전압을 수ms 동안 유지하므로 ADC를 이용하여 데이터를 쉽게 측정할 수 있다. Peak Detector 시뮬레이션 결과 Peak 값을 1ms 이상 유지하는 것을 확인하였으며 펄스방사선 조사시험 결과 $1.95{\times}10^6rad/s$의 선량을 확인하였다.

• Journal of Radiation Protection and Research
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• 제12권1호
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• pp.12-25
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• 1987

SA(Successive Approximation)형 ADC(Analog to Digital Converter)를 사용하여 방사선다중채널파고 분석기를 설계 제작하였다. 선형게이트, 윈도우 및 펄스스트레처는 논리 IC와 선형 IC들을 위주로 결합하여 구성하였으며, 분석시간이 $120{\mu}sec$인 ADC 1211(12 bit)을 중심으로 한 ADC 모듈의 메모리로는 S-RAM 6264 (Address 13 bit, Data 8 bit) 2개를 병렬로 연결하여 사용하였다. 마이크로 컴퓨터 (Apple II)가 전체 시스템을 제어하고 또 계측된 결과의 데이타를 분석할 수 있도록 인터페이스와 소프트 웨어도 만들었다. 제작된 시스템의 동작시험은 표준펄스 발생기로 $0{\sim}10V$ 사이의 일정한 펄스를 만들어 시스템에 입력시켜 그 펄스들을 계측하게 하고, 계측이 끝난 후 컴퓨터가 그 결과를 받아들여 분석하게 함으로써 이루어졌다.

• 한국정보통신학회:학술대회논문집
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• 한국정보통신학회 2016년도 춘계학술대회
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• pp.775-777
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• 2016

본 연구에서는 반도체 집적회로에 사용되는 단위소자인 nMOSFET, pMOSFET, NPN 트랜지스터를 0.18um 반도체공정으로 제작하고 펄스방사선 영향 분석을 수행하였다. 펄스방사선 조사시험 결과 nMOSFET의 경우 $2.07{\times}10^8rad(si)/s$ 이상의 선량에서 수십 nA의 광전류가 발생되었으며, pMOSFET의 경우 $3{\times}10^8rad(si)/s$ 이상의 선량에서도 광전류가 발생되지 않는 결과를 확인하였다. NPN 트랜지스터의 경우 MOSFET과는 다르게 광전류가 약 1uA 발생되었다. 따라서 내방사선 IC 설계시 BJT 보다는 MOSFET을 시용하여야 한다.

• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 2006년도 제37회 하계학술대회 논문집 C
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• pp.1482-1483
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• 2006

고전압 방전시험 장치는 국제전기기술위원회 규격(IEC 61000-4-2)에서 규정하고 있는 콘덴서 방식을 사용하며, 매우 짧은 시간에 방전함으로서 펄스 형태의 방전전류가 통전된다. 이러한 정전기적인 방전에 의해 전자기기에 고장을 발생시키며 이를 검증하는 방법으로 정전기 내성시험법이 있다. 본 논문에서는 첫째로 방전장치가 발생하는 잡음 전계량을 측정하였고, 둘째로 방전장치를 시험시료에 근접하는 방법에 따른 시험시료에 미치는 영향을 실험을 통해 검증하였고, 셋째로 근접방법에 따른 정전유도 현상이 시험시료에 미치는 영향을 실험적으로 검증하였다. 이러한 세 가지 현상을 바탕으로 시험시료가 고전압 방전장치를 근접 방전하여 방전을 유발시켰을 때의 전자파의 영향에 내성을 갖고 있는지를 검증하는 새로운 시험방법을 제안하였다.

• 한국전자파학회논문지
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• 제29권6호
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• pp.415-423
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• 2018

본 논문에서는 HEMP(High-altitude Electromagnetic Pulse)와 같은 외부전자파 환경에 노출된 EMP 방호시설에 연결된 전송선로에 유기된 HEMP 위협에 대한 전도성 방호 성능 평가를 위한 E1 펄스에 대해 연구한다. 기존 E1 펄스 발생장치는 Marx Generator 고전압 승압 방식을 사용하지만, 본 연구에서는 광대역 출력전압(30~350 kV) 가변이 용이한 Tesla Transformer 방식을 사용한다. E1 펄스 발생장치의 구성 요소인 제어기, 전원장치, 고전압 승압장치, 펄스성형장치도 각각 분석한다. Tesla Transformer를 이용한 E1 펄스는 시뮬레이션을 통해 성능을 예측하고, 실제 개발된 장비를 이용하여 결과를 검증한다.

• 한국추진공학회:학술대회논문집
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• 한국추진공학회 2003년도 제21회 추계학술대회 논문집
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• pp.35-38
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• 2003

위성체와 발사체의 자세제어에 적용 가능한 1 N급의 추력기 개발 및 시험과정에 대해 기술하였다. 엔진의 특성 및 성능이 진공을 모사한 시험장치에서 연소 시험을 통해 평가되었다. 추력기의 성능 평가는 정상모드 및 펄스모드에서 추진제의 주입 압력을 변화시켜가면서 수행되었으며 시험 장치와 절차에 대해서도 간략히 기술하였다.