• 제목/요약/키워드: 캐패시터

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CBD(Chemical Bath Deposition) 법으로 제조된 전기화학식 캐패시터용 NiO 나노박편 필름 (Nickel Oxide Nano-Flake Films Synthesized by Chemical Bath Deposition for Electrochemical Capacitors)

  • 김영하;박수진
    • 한국신재생에너지학회:학술대회논문집
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    • 한국신재생에너지학회 2010년도 춘계학술대회 초록집
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    • pp.163.2-163.2
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    • 2010
  • In this work, nano-flake shaped nickel oxide (NiO) films were synthesized by chemical bath deposition technique for electrochemical capacitors. The deposition was carried out for 1 and 2 h at room temperature using nickel foam as the substrate and the current collector. The structure and morphology of prepared NiO film were characterized by X-ray diffraction (XRD) and scanning electron microscopy (SEM). And, electrochemical properties were characterized by cyclic voltammetry, galvanostatic charge-discharge, and AC impedence measurement. It was found that the NiO film was constructed by many interconnected NiO nano-flakes which arranged vertically to the substrate, forming a net-like structure with large pores. The open macropores may facilitate the electrolyte penetration and ion migration, resulted in the utilization of nickel oxide due to the increased surface area for electrochemical reactions. Furthermore, it was found that the deposition onto nickel foam as substrate and curent collector led to decrease of the ion transfer resistance so that its specific capacitance of a NiO film had high value than NiO nano flake powder.

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임피던스 복소캐패시턴스 분석법의 이론 및 응용 (Complex Capacitance Analysis of Impedance Data and its Applications)

  • 장종현;오승모
    • 전기화학회지
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    • 제13권4호
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    • pp.223-234
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    • 2010
  • 본 총설에서는 캐패시터적인 특성을 가지는 다공성 전극의 전기화학특성 분석에 활용되는 임피던스의 복소캐패시턴스 분석법(complex capacitance analysis)의 이론 및 응용에 대해 정리하였다. 이론적으로 캐패시터적인 특성을 갖는 전기화학시스템에 대해 캐패시턴스허수부 도시를 활용하면 효과적인 해석이 가능함이 제시되었다. 또한, 복소캐패시턴스 분석법은 다공성 탄소 재료/전극의 EDLC 특성, 미세기공 내부의 이온전도 특성, 고분자전해질연료전지의 촉매층 이온저항 등의 분석에 효과적으로 적용될 수 있음이 검증되었다.

고효율 하역장비의 기술동향 (Technical Survey of Highly Efficient Cargo Handling System)

  • 박경태;김경한;김두형;조규백;김한메
    • 한국항해항만학회:학술대회논문집
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    • 한국항해항만학회 2010년도 춘계학술대회
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    • pp.276-277
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    • 2010
  • 본 논문은 RTGC 시스템의 에너지 절감을 위한 에너지 저장 시스템에 대해 다룬다. 에너지 저장 시스템으로는 배터리, 슈퍼캐패시터 그리고 플라이휠의 장정과 단점이 조사되었다. 이들 에너지 저장 시스템들 중 플라이휠 에너지 저장시스템은 현재 해결되어야 할 기술 및 가격적인 측면에도 불구하고 향후 기술의 발전을 전제를 뒀을 때 매우 촉망받는 에너지 저장시스템임이 조사되었다. 또한, 컨테이너 이송에 사용되는 RTGC에서 베터리와 플라이휠 에너지 저장 시스템이 각각 사용된 경우에 대해 에너지 절감에 대한 결과가 정량적으로 조사되었다.

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전력선 통신용 접촉식 커플러의 제조와 통신 특성 향상 (Manufacturing and Communication properties of Capacitive Coupler for the low Voltage Power Line Communication)

  • 김현식;이해연;이진;김춘배;오영우
    • 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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    • 한국전기전자재료학회 2009년도 하계학술대회 논문집
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    • pp.369-370
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    • 2009
  • 전력선 통신용 접촉식 커플러의 제조 방법 확립과 응용 가능성을 파악하기 위해 440V이하의 저압용 3상 4선식 접촉식 커플러를 설계 및 제조하였다. 60Hz의 교류 전압 신호를 차단하는 캐패시터의 용량이 증가할수록 삽입 손실의 증가하였으며, 68nF의 캐패시터를 적용하여 90~450kHz, 2~30MHz의 전력선통신 주파수 대역에서 최소 삽입 손실 특성을 얻었다. 커플링 트랜스의 권선수 증가는 전자계 결합계수의 상승으로 자기유도 효율이 증가하여 삽입 손실 특성이 증가하였으며. 6턴 이상의 권선수에서는 거의 일정한 삽입 손실 특성을 나타내었다. 설계 완료된 접촉식 커플러를 이용하여 전력선 통신 주파수인 90~450kHz, 2~30MHz 대역에서 $-2\pm1dB$의 삽입 손실 특성을 얻었다.

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Seeding Method를 이용한 인이 도우핑된 Amorphous-Si에서의 HSG형성 조건 (Hemispherical Grained Silicon formation Condition on In-Situ Phosphorous Doped Amorphous-Si Using The Seeding Method)

  • 정양희;강성준
    • 한국정보통신학회논문지
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    • 제5권6호
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    • pp.1128-1135
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    • 2001
  • 본 논문에서는 HSG형성을 위한 Si$_2$H$_{6}$의 조사와 어닐링을 통한 seeding method를 64Mbit DRAM에 적용하였다. 이 기술을 사용함으로서 인이 도우핑된 Amorphous 실리콘의 전극에 HSG grain 크기를 조절할 수 있었고, 이 새로운 HSG형성조건은 기존의 stack 캐패시터보다 약 2배의 정전용량을 확보할 수 있었다. 이와같은 방법을 이용한 HSG형성에서 인농도, 저장폴리 증착온도 및 HSG의 두께에 대한 공정 최적 조건으로는 각각 3.0-4.OE19atoms/㎤ , 53$0^{\circ}C$ 및 400$\AA$이었다. 이들 최적화된 공정조건으로 64M bit DRAM 캐패시터에 적용시 질화막의 두께 한계는 65$\AA$으로 확인되었다.

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Decoupled Plasma Nitridation에 의한 Flicker 노이즈 개선에 관한 연구 (A study on Flicker Noise Improvement by Decoupled Plasma Nitridation)

  • 문성열;강성준;정양희
    • 한국전자통신학회논문지
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    • 제9권7호
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    • pp.747-752
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    • 2014
  • 본 논문은 $0.13{\mu}m$ 기술의 디자인을 10% 축소하는데 기존의 로직 디바이스만의 축소와는 달리 로직뿐 아니라 입, 출력 회로의 축소에 관한 것이다. 게이트 산화막(1.2V)을 decoupled plasma nitridation(DPN) oxide로 변경함으로써 flicker 노이즈를 축소 전 공정에 비해 1/3-1/5배 감소됨을 확인하였다. 또한, 축소에 의한 피할 수 없는 문제는 일반적인 metal insulator metal(MIM)의 캐패시터 문제이다. 이를 해결하기 위하여 20% 높은 MIM 캐패시터($1.2fF/{\mu}m^2$)를 개선하고 그 특성을 평가하였다.