• 전자공학회논문지A
• /
• 제29A권8호
• /
• pp.56-62
• /
• 1992

This paper is analyzed the charge trapping and electrical properties of 0(Oxide), NO(Nitrided oxide) and ONO(Reoxidized nitrided oxide) as dielectric films in MIS structures. We have processed bottom oxide and top oxide by the thermal method, and nitride(Si$_{3}N_{4}$) by the LPCVD(Low Pressure Chemical Vapor Deposition) method on P-type(100) Silicon wafer. We have studied the charge trapping properties of the dielectrics by using a computer controlled DLTS system. All of the dielectric films are shown peak nearly at 300K. Those are bulk traps. Many trap densities which is detected in NO films, but traps. Many trap densities which is detected in NO films. Varing the nitride thickness, the trap densities of thinner nitride is decreased than the thicker nitride. Finally we have found that trap densities of ONO films is affected by nitride thickness.

• 대한전자공학회논문지
• /
• 제24권4호
• /
• pp.625-630
• /
• 1987

Thermal evaporated SiO rf sputtered SiO2 thin films were most widely used to the gate oxide of TFTs. In this paper, the difference of trap density and distribution between SiO2 and SiO2 film were studied. TFTs using SiO and SiO2 thin film for the gate oxide were fabricated. The output characteirstics of TFTs and the time dpendencd of the leakage current were measured. Models of the carrier transport and carrier trapping in TFT were proposed. The trap density was obtained by substituting measured value for the equation derived from the proposed model. It was found that rf sputtered SiO2 had more traps at interface than thermal evaporated SiO.

• E2M - 전기 전자와 첨단 소재
• /
• 제5권1호
• /
• pp.14-27
• /
• 1992

핫프레스법으로 제작된 0.05Pb(M $n_{1}$3/N $b_{2}$3/) $O_{3}$+ 0.95Pb(Z $r_{0.47}$ $Ti_{0.53}$) $O_{3}$ 세라믹스에 있어서 C $r_{2}$ $O_{3}$의 첨가량이 그 시편의 구조적특성, 유전특성, 압전특성, 온도안정성 및 포아손비에 미치는 영향이 조사되었다. C $r_{2}$ $O_{3}$의 첨가량의 범위가 0.3~0/75[wt%]인 시편만이 포아손비가 1/3이상으로 주파수저하형 에너지포획소자의 기판으로 사용될 수 있으며 이 중에서 C $r_{2}$ $O_{3}$의 첨가량이 0.5[wt%]인 시편이 보다 우수한 압전특성과 안정된 주파수 온도특성을 갖고 있다. 있다.

• E2M - 전기 전자와 첨단 소재
• /
• 제10권1호
• /
• pp.26-32
• /
• 1997

The gate induced drain leakage(GIDL) current under the stress of worse case in -MOSFET's with ultrathin gate oxides has been measured and characterized. The GIDL current was shown that P-MOSFET's of the thicker gate oxide is smaller than that of the thinner gate oxide. It was the results that the this cur-rent is decreased with the increamental stress time at the same devices.It is analyzed that the formation components of GIDL current are both energy band to band tunneling at high gate-drain voltage and energy band to defect tunneling at low drain-gate voltage. The degradations of GIDL current was analyzed the mechanism of major role in the hot carriers trapping in gate oxide by on-state stress.

• 암석학회지
• /
• 제10권3호
• /
• pp.202-211
• /
• 2001

루미네센스(luminescence)는 석영이나 장석 등과 같은 무기결정이 외부에서 에너지를 받아 흡수된 에너지를 빛으로 바꿔 외부에 방출하는 물리적인 현상이다. 가전자대(valence band)에 존재하는 하전입자들은 전리성 방사선에 의해 전자와 정공(hole)으로 이온화 되고, 이온화된 전자와 정공들은 결정 내에서 자유로이 움직이다가 결정 내에 존재하는 격자결함에 포획된다. 이러한 결정을 빛으로 여기하면 격자결함에 포획된 전자들이 결함에서 빠져 나와 발광중심(recombination center)에서 정공과 재결합하면서 빛을 동반하게 되는데, 이를 광 여기 루미네센스(optically stimulated luminescence; OSL)라 한다. 열 루미네센스(thermoluminescence; TL) 연대 측정법의 원리와 같이, 광 여기 루미네센스를 적당한 조건에서 관측하면 퇴적층의 연대 계산에 응용할 수 있다. 광 여기 루미네센스를 연대측정에 이용하면 빛에 민감한 전자들만 여기시킬 수 있는 장점이 있다. 이 연구에서는 신기 퇴적층으로부터 분리된 석영을 청색 파장의 빛으로 여기하여 그로부터 검출된 광 여기 루미네센스를 신기 퇴적층의 연대 산출에 응용하였다. 논문에서는 광 여기 루미네센스 연대측정법과 관련된 일련의 실험방법 및 최근에 소개된 연구성과, 그리고 앞으로 보다 신뢰도 높은 연대측정 결과를 얻기 위해 연구되어야 할 내용을 이 연구에서 수행한 신기 퇴적층의 연대측정 결과와 함께 기술하였다.

• 한국지하수토양환경학회:학술대회논문집
• /
• 한국지하수토양환경학회 2005년도 총회 및 춘계학술발표회
• /
• pp.163-166
• /
• 2005

[ $TiO_2$ ] 광촉매에 의한 분해 반응의 활성을 높이기 위한 다양한 연구가 진행되었다. 광촉매 반응은 1차 반응을 따랐으며 초기농도가 높을수록 분해효율이 감소하는 경향을 보였다. 본 연구에서는 산화제로 과산화수소가 주입되었을 경우 분해효율을 조사하였으며, 과산화수소를 주입하였을 경우가 그렇지 않은 경우보다 더 높은 분해효율을 보였다. 또한 과산화수소 주입량을 달리했을 때, 주입량이 증가할수록 효율이 높아지다가 일정량 이상에서는 오히려 효율이 감소하는 것으로 나타났다. 따라서 과산화수소 최적첨가량이 존재함을 알 수 있었다. 한편 $TiO_2$에 전이금속을 첨가하여 전이금속이 $TiO_2$ 촉매의 분해효율에 미치는 영향을 알아보았다. Pt(0.5%)-$TiO_2$가 가장 높은 분해효을을 보였으며, Pt첨가함량이 더 큰 Pt(2%)-$TiO_2$는 함량이 증가했음에도 불구하고 큰 차이는 아니지만 오히려 효율이 감소하였다. 따라서 촉매표면에서 전자와 정공이 생성되었을 때, Pt가 전자를 포획함으로써 전자와 정공의 재결합율을 감소시켜 OH라디칼을 생성할 수 있는 정공이 많아져 반응효율을 증가되는 것을 알 수 있었고, 금속에 따른 최적 첨가함량이 존재함을 알 수 있다. 반면에 Pd를 첨가했을 경우는 첨가 함량에 관계없이 모두 분해효율이 오히려 감소하는 경향을 나타냈으며 이는 전이금속 고유의 성질이나, 또는 대상물질에 따라 각기 다른 경향이 존재함을 나타내며 추가적인 연구가 필요하다고 사료된다.

• 한국진공학회:학술대회논문집
• /
• 한국진공학회 2009년도 제38회 동계학술대회 초록집
• /
• pp.185-185
• /
• 2010

유기물과 무기물이 혼합된 나노 복합재료는 저전력 동작을 요구하는 휘어짐이 가능한 차세대 전자소자 응용에 대단히 유용한 소재이다. 간단하고 저렴한 제조 공정과 휘어짐이 가능한 유기물과 무기물이 혼합된 나노 복합재료를 사용한 비휘발성 메모리 소자의 제작과 전기적 특성은 연구되었다. 최근에 간단한 방법으로 고집적화된 휘어짐이 가능한 유기 쌍안정성 소자의 제작에 대한 연구가 진행되고 있다. 그러나 유기 쌍안정 소자의 기억 메커니즘에 대한 연구는 비교적 적게 연구되었다. 유기 쌍안정성 소자의 기억 메커니즘에 대한 연구는 효율과 신뢰성을 증진하기 위하여 대단히 중요하다. 본 연구에서는 polymethyl methacrylate (PMMA) 층에 콜로이드 ZnO 양자점을 혼합하여 제작한 유기 쌍안정성 소자의 전기적 성질과 기억 메커니즘에 대한 것을 연구하였다. 본 연구에 사용된 콜로이드 ZnO 양자점은 dimethylformamide를 사용한 환원법을 이용하여 제작하였다. 소자를 제작하기 위하여 PMMA에 대한 콜로이드 ZnO 양자점의 조성비가 1.5 wt% 가 되도록 dimethylformamide에 녹여 혼합한 용액을 하부 전극인 ITO가 증착된 유리기판위에 스핀코팅 방법을 이용하여 박막을 형성하였다. 콜로이드 ZnO 양자점을 포함한 PMMA 박막위에 상부전극으로 Al을 증착하였다. 복합 소재에 대한 투과 전자 현미경 상은 콜로이드 ZnO 양자점이 PMMA 층 안에 형성되어 있음을 보여주었다. 측정된 전류-전압(I-V) 특성은 쌍안정성 특성을 나타내었으며 이 결과는 콜로이드 ZnO 양자점에서 전하 포획, 저장과 방출 과정에 의한 것이다. 콜로이드 ZnO 양자점을 포함한 PMMA 박막을 저장 영역으로 사용한 유기 쌍안정성 소자의 I-V 측정결과를 바탕으로 전하 수송 모델과 전자적 구조를 사용하여 기억 메커니즘을 논하였다.

• 한국전기전자재료학회논문지
• /
• 제37권3호
• /
• pp.337-344
• /
• 2024

This work focuses on improving the light-harvesting efficiency of thin-film silicon solar cells through innovative multi-architecture surface modifications. To create a regular optical structure, a lithographic process was performed to form it on a glass substrate through various etching processes, from Etch-1 to Etch-3. AZO was deposited on top of the structures and re-etched to create a multi-architectural surface. These surface-modified structures improved the light absorption and overall performance of the solar cell through changes in optical and physical properties, which we will analyze. In addition, we investigated the effect of post-cleaning on the etched glass structures through EDX analysis to understand the mechanism of the etching action. The results of this study are expected to provide important guidelines for the design and fabrication of solar cells and other photovoltaic devices.

• 한국언론정보학보
• /
• 제62권
• /
• pp.5-29
• /
• 2013

이 연구는 이러한 신자유주의 원리가 유명인을 중심으로 하는 소셜웹 문화의 일종으로서 대중적으로 발현되는 문화양상을 페미니즘의 관점에서 해석한다. 핵심 질문은 이 현상이 과연 여성적 문화의 건강한 발전인지, 혹은 신자유주의에 의한 여성적 문화의 포획은 아닌지를 판단하고, 전자에 의한 후자의 극복을 지향하는 시각을 여는 것이다. 이 작업을 위해 유명인을 중심으로 한 트위터 담론을 질적 분석했다. 미디어 환경이 부여하는 '스마트함', 신자유주의적 이데올로기로서의 경쟁주의 및 개인주의, 긍정주의와 순응주의, 그리고 포스트페미니즘 라이프스타일 문화산업이 제공하는 환상과 욕망 질서가 결합하여 오늘날 소셜웹의 대중문화의 심성구조를 이루고 있다. 여기에는 자기통치의 자율적 주체라는 신자유주의적 포스트페미니즘의 환상이 자리하고 있다. 한편으로는 신자유주의적 자기 통치성이 지배적인 사회적 상황과 다른 한편으로는 이용자 능동성과 적극성이 강조되는 소셜웹 미디어 환경이라는 환경적 요인들이 서로 접합하며 신자유주의적 포스트페미니즘의 효과가 보다 직접적이고 강대하도록 이끈다. 그리고 그 효과의 강대함만큼이나 비판과 대안적 전망의 필요성 역시 절실하게 요구된다.

• 한국진공학회:학술대회논문집
• /
• 한국진공학회 2010년도 제39회 하계학술대회 초록집
• /
• pp.215-215
• /
• 2010

실리콘 산화막 ($SiO_2$)의 성장 과정에서 발생하는 $SiO_2$ 층에 포획된 전자-정공, Si-$SiO_2$ 계면 영역의 산화물 고정 전하와 Si-$SiO_2$ 계면의 표면 준위에 포획된 전하와 같은 $SiO_2$ 의 결점에 의해 전계효과 트랜지스터 소자의 전기적 특성을 저하하여 신뢰성을 높이는데 한계점이 발생한다. $SiO_2$ 의 결점에 의한 전계효과 트랜지스터 소자의 전기적 특성 변화에 대한 연구는 활발히 진행되었으나, 전계효과 트랜지스터 소자에서 셀 사이즈가 감소함에 따라 전기적 특성에 대한 연구는 많이 진행되지 않았다. 본 연구에서는 산화나 산화 후 열처리 과정 동안에 생기는 Si-$SiO_2$ 계면에서의 산화물 고정 전하의 위치에 따른 전계효과 트랜지스터 소자의 전기적 특성 변화를 TCAD 시뮬레이션 툴인 Sentaurus를 사용하여 관찰하였다. Si-$SiO_2$ 계면 근처의 실리콘 산화물내에 위치시킨 양전하를 산화물 고정 전하로 가정하여 시뮬레이션 하였다. 또한 40 nm의 전계효과 트랜지스터 소자에서 산화물 고정 전하의 위치를 실리콘 산화 막의 가장자리부터 중심으로 10 nm씩 각각 차이를 두고 비교해 본 결과, $SiO_2$의 가장 자리보다 $SiO_2$의 한 가운데에 산화물 고정 전하가 고정되었을 때 전류-전압 특성 곡선에서 문턱전압의 변화가 더 뚜렷함을 알 수 있었다. 산화물 고정 전하를 Si-$SiO_2$ 계면으로부터 1~5 nm 에 각각 위치시켜 계산한 결과 산화물 고정 전하에 의해 문턱 전압이 전류-전압 특성 곡선에서 낮은 전압쪽으로 이동하였고, 산화물 고정 전하가 Si-$SiO_2$ 계면에 가까울수록 문턱 전압의 변화가 커졌다. 이는 전계효과 트랜지스터 소자에서 Si-$SiO_2$ 계면의 산화물 고정 전하에 의해 실리콘의 전위가 영향을 받기 때문이며, 양의 계면전하는 반도체의 표면에서의 에너지 밴드를 아래로 휘게 만들어 문턱전압을 감소하였다.