• Journal of Adhesion and Interface
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• v.22 no.4
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• pp.113-117
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• 2021

Among the next-generation solar cells, organic solar cells using organic materials are a key energy production device for the future energy generation devices, and have recently been receiving a lot of attention with rapid growth. To improve the efficiency of organic solar cells, interfacial engineering technology has been widely applied. In particular, it is widely used to improve device efficiency through energy level control by using interface engineering on the anode and cathode, which are positive electrodes, and to ultimately utilize interface engineering for tandem organic solar cells to derive excellent electrical and optical performance to produce high-performance devices. In this article, we will summarize and introduce recent research trends on interfacial engineering used in organic solar cells, and discuss the method of manufacturing high-performance organic solar cells.

• Journal of the Korean Vacuum Society
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• v.19 no.3
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• pp.217-223
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• 2010

We grew multi-stacked InAs/$In_{0.1}Ga_{0.9}As$ DWELL (dot-in-a-well) structure by metal organic chemical vapor deposition and investigated optical properties by photoluminescence and I-V characteristics by dark current measurement. When stacking InAs quantum dots (QDs) with same growth parameter, the size and density of QDs were changed, resulting in the bimodal emission peak. By decreasing the flow rate of TMIn, we achieved the uniform multi-stacked QD structure which had the single emission peak and high PL intensity. As the growth temperature of n-type GaAs top contact layer (TCL) is above $600^{\circ}C$, the PL intensity severely decreased and dark current level increased. At bias of 0.5 V, the activation energy for temperature dependence of dark current decreased from 106 meV to 48 meV with increasing the growth temperature of n-type GaAs TCL from 580 to $650^{\circ}C$. This suggest that the thermal escape of bounded electrons and non-radiative transition become dominant due to the thermal inter-diffusion at the interface between InAs QDs and $In_{0.1}Ga_{0.9}As$ well layer.

• Polymer(Korea)
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• v.24 no.1
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• pp.90-96
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• 2000

Organic electroluminescent (EL) device was fabricated with Alq$_3$ as an emitting material and PDPMA ultra thin film prepared by Langmuir-Boldgett technique as a polymer hole transport layer. A stable condensed PDPMA monolayer was obtained using arachidic acid as a surface active material. The thickness and absorbance of PDPMA LB film increased line-arly with the layer numbers. The organic multilayered device consisted of ITO/PDPMA LB film (19 layers)/Alq$_3$/Al emitted green light with brightness of 2500 cd/m$^2$ at a DC 14 V Especially, the drive voltage of EL device having PDPMA LB film of 15 layers exhibited the value as low as 4 V. The effects of thickness control and molecular orientation in the PDPMA LB film on EL performance were discussed.

• Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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• 2008.06a
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• pp.344-344
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• 2008

최근 들어, 압전 세라믹스 제조기술의 급속한 발전으로 기계, 전자뿐만 아니라 휴대용 전자기기의 초소형 적층형 압전모터 및 압전변압기 같은 고품질 압전소자의 개발에 있어 특히 소자의 소형화에 따라 나노크기의 분말제조가 연구의 주류를 이루고 있다. 현재 이러한 나노크기의 세라믹스 제조에 사용되는 방법으로는 화학적 공침법, 졸겔법, 수열반응, 그리고 고에너지 볼밀법등이 보고되고 있다. 볼밀링 공정은 세라믹제조 시 필수 불가결한 공정이나 일반적으로 미세화에 그 한계가 있어 $1{\mu}m$이하의 입자크기를 가지는 분말은 제조가 곤란한 것으로 인식되어 왔다. 그러나 고에너지 볼밀을 이용한 볼밀링은 원료의 변형, 파괴 등과 같은 원료의 물리적 변화 뿐만 아니라 원료를 구성하는 원자/분자 구조에 영향을 미쳐 원료의 화학적 특성의 변화를 유발한다. 이러한 화학적 특성의 변화는 이종 원료간의 화학 반응성을 향상시켜 밀링 중에 새로운 화학종의 생성을 유발하게 되는데 이러한 현상을 mechanochemical 효과라 한다. 이러한 mechanochemical 효과는 나노 분말 입자의 제조뿐만 아니라, 분자설계, 재료합성, 자원처리 및 리사이클링 등에도 그 적용이 시도되고 있다. 이러한 mechanochemical 효과를 이용하여 분말을 미세화 함으로써 저온 소결과 재료특성 향상을 기대해 볼 수 있다. 따라서, 이번 연구에서는 우수한 압전 특성을 가진 PMN-PNN-PZT조성을 가지고 시편을 제작하였으며, 고에너지 볼밀시간에 따라 그 압전 및 유전특성을 조사하였다.

• Proceedings of the KIPE Conference
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• 2011.07a
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• pp.451-452
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• 2011

본 논문에서는 낮은 배터리 전압을 효율적으로 승압하여 전기자동차 구동용 모터를 구동하기 위한 DC-link 전압을 확보하기 위한 승압형 컨버터를 제안한다. 제안하는 컨버터는 배터리와 출력 콘덴서가 직렬 결합되어 출력전압을 형성하는 구조로서 배터리 셀의 적층 수를 감소시킬 수 있어 구조적 신뢰성을 증가시킬 수 있고, 출력전압 전력반도체 소자 수를 최소화하여 전기적 신뢰성을 증가시킬 수 있는 장점을 가진다. 제안하는 컨버터의 이론적 분석을 기반으로 시뮬레이션을 통해 타당성을 검증한다.

• Proceedings of the Korean Institute of Information and Commucation Sciences Conference
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• 2022.05a
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• pp.481-482
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• 2022

In this paper, effect of random dopant fluctuation (RDF) of the top-transistor in a monolithic 3D inverter composed of MOSFET transistors is investigated with 3D TCAD simulation when the gate voltage of the bottom-transistor is changed. The sampling for investigating RDF effect was conducted through the kinetic monte carlo method, and the RDF effect on the threshold voltage variation in the top-transistor was investigated, and the electrical coupling between top-transistors and bottom-transistors was investigated.

• Prospectives of Industrial Chemistry
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• v.24 no.5
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• pp.1-14
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• 2021

유무기 하이브리드 금속-할라이드계 페로브스카이트(organic-inorganic metal halide perovskite) 페로브스카이트 반도체 소재는 광전자 소자와 소재 연구에 새로운 연구 흐름을 만들고 있다. 태양전지 성능이 불과 과거 몇 년 사이의 짧은 연구 기간에도 불구하고, 광-전 변환 소자 중에서도 단일 소자와 적층 소자(tandem)에서 높은 광-전 변환 효율을 나타내기 때문이다. 이러한 급격한 연구 성과와 성장에도 불구하고, 페로브스카이트 소재의 다양한 광전자 특성의 평가와 결과에 대한 논의가 필요한 상황이다. 특히 내부 이온 이동이 광전자 원거리 이동 특성 평가와 해석에 영향을 주는 경우, 페로브스카이트 소재를 기반으로 한 다양한 광전자 소자의 성능 향상과 해석에 여전히 모호함을 준다. 달리 얘기하면, 이 소재의 기초 특성을 이해하고자 적용하는 다양한 기존 특성 평가 분석법의 활용과 해석에도 복잡한 영향을 미치고 있다고 할 수 있다. 이러한 페로브스카이트 소재 내에서 광전자 원거리 이동을 측정하는 새로운 방법을 소개하고자 한다. 첫 번째 방법으로, Quasi-steady 상태에서 광전도도를 전기적 특성으로 측정하고, 광조사 하에 투과 및 반사를 광학적으로 측정하여, 전도도와 광전자 밀도를 동시에 평가하는 방법으로, photo-induced transmission and reflection (PITR) 분광분석법이다. 이 분광분석법은 실제 소자의 구동조건을 구현한 상태에서 광전자의 원거리 이동에서 발생하는 광전자 밀도 변화를 반영한 광전자 이동도 특성 평가라는 장점을 가지고 있다. 두 번째 방법으로, 기존의 연속 전압 인가 방법 대신 펄스형 전압 인가 방식을 도입하는 방법으로, pulsed voltage space charge limited current (PV-SCLC) 분석법이다. 이는 펄스형 전압 인가 방법으로 이온의 이동을 최소화하여, 전류-전압 측정에서 히스테리시스가 없고 측정결과의 재현성과 신뢰도가 매우 높은 장점이 있다.

• The Journal of Korean Institute of Electromagnetic Engineering and Science
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• v.20 no.8
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• pp.730-738
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• 2009

In this paper, we present a equivalent circuit considered parasitic elements about LTCC multi-layer BPF structure that was studied previously and a process of extraction of the element value using SOC technique. By applying extracted element values to equivalent circuit, 2th LTCC filter was designed and fabricated that was applied to satellite DMB. The filter was fabricated of Dupont951 substrate with relative permittivity of 7.8, the dimension of the fabricated filter is $2.4{\times}3.8{\times}0.378mm^3$. The measurement results indicate 1.4 dB of insertion loss and 32.3 dB of return loss, which are in good agreement with simulated ones.

• The Journal of The Korea Institute of Intelligent Transport Systems
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• v.16 no.2
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• pp.171-179
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• 2017

In this paper, microstrip antenna using multi-layer and folded structure for GPS application is presented for aircraft loading. Existing microstrip patch antenna used dielectric of high specific inductive capacity to miniaturize that cause smaller bandwidth and decline of efficiency due to dielectric loss. To compensate the existing flaws, Rogers TMM 10i(dielectric constant=9.8, loss tangent=0.002) is used for multi-layer dielectric miniaturization, and we construct folded radiating element on the surface of the dielectric applying perturbation effect. The antenna is designed in the bandwidth of GPS $L_1$ band, and the size of the antenna's radiating element is $20.3mm{\times}19.93mm$, and it gets 94.2% miniaturized characteristic of basic ${\lambda}/2$ microstrip patch antenna. Also the measured -10 dB bandwidth is 32.3 MHz(2.05%), 3 dB axial ratio bandwidth is 6.7 MHz(0.43%). Measured radiation patterns was maximum gain of 0.56 dBi at x axis polarization, 1.23 dBi at y axis polarization.

• Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea SD
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• v.45 no.2
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• pp.112-117
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• 2008

Vertical interconnection scheme using novel silicon-through-via for 3D MEMS devices or stacked package is proposed and fabricated to demonstrate its feasibility. The suggested silicon-through-via replaces electroplated copper, which is used as an interconnecting material in conventional through-via, with doped silicon. Adoption of doped silicon instead of metal eliminates thermal-mismatch-induced stress, which can make troubles in high temperature MEMS processes, such as wafer bonding and LP-CVD(low pressure chemical vapor deposition). Two silicon layers of $30{\mu}m$ thickness are stacked on the substrate. The through-via arrays with spacing $40{\mu}m$ and $50{\mu}m$ are fabricated successfully. Electrical characteristics of the through-via are measured and analyzed. The measured resistance of the silicon-through-via is $169.9\Omega$.